公开(公告)号：KR1020120023493A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020100133200

申请日：2010-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱

IPC: G02B5/02 ,  G02B1/115 ,  H01L31/043

CPC classification number: Y02E10/50 ,  G02B5/021 ,  G02B1/115 ,  H01L31/043

Abstract: PURPOSE: A thin film and a manufacturing method thereof are provided to enhance surface roughness by concentrating particles on an upper part or a lower part of a support material with a density difference. CONSTITUTION: Nano particles(30) are coated on a substrate(10) on which a precursor solution of a mixed support material(20) is prepared. The nano particles are concentrated on an upper part of the precursor solution or arranged by itself by using the density difference of the nano particles and the support material. The support material is solidified. The nano particle increases the surface roughness of a thin film(40) on the upper part of the support material.

Abstract translation: 目的：提供薄膜及其制造方法，以通过将颗粒聚集在具有密度差的支撑材料的上部或下部上来增强表面粗糙度。 构成：将纳米颗粒（30）涂覆在其上制备混合载体材料（20）的前体溶液的基底（10）上。 纳米颗粒集中在前体溶液的上部或通过使用纳米颗粒和载体材料的密度差自身排列。 支撑材料固化。 纳米颗粒增加了支撑材料上部的薄膜（40）的表面粗糙度。

公开(公告)号：KR100937871B1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：KR1020070129929

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이용욱 ,  김현탁 ,  윤선진 ,  오수영 ,  문종태

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/72 ,  G02B6/35

Abstract: 본 발명은 3 단자 MIT 소자의 스위칭 소자로서의 이용의 문제점을 개선하기 위하여, 소비전력이 작고 또한 신뢰성이나 내구성 문제도 해결할 수 있으며, 더 나아가 고속으로 스위칭 기능이 가능한 MIT 소자를 포함한 광 유도 스위칭 장치를 제공한다. 그 스위칭 장치는 광원을 포함하는 광 스위칭 모듈; 및 상기 광 스위칭 모듈에 결합되어 상기 광 스위칭 모듈에서 출력되는 광 또는 전자파를 감지하는 광 감지 소자부;를 포함하고, 상기 광 감지 소자부가 상기 광을 감지하여 소자를 ON-OFF(켜짐-꺼짐) 스위칭한다. 한편, 광 감지 소자부는 MIT(Metal-Insulator Transition)발생 전압에서 불연속 MIT가 발생하는 MIT 박막, 및 상기 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2개의 전극을 포함하는 MIT 소자를 적어도 하나 구비한 MIT 소자 어레이이고, 상기 MIT 소자는 광이 조사되었을 때, 상기 MIT 발생 전압이 이동되는 특징을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020090093767A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020080091266

申请日：2008-09-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진

IPC: G05F3/24

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L23/62 ,  H01L27/067 ,  H01L27/082 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

Abstract: A high current control circuit comprising a metal-insulator transition(MIT) device and a system comprising the same circuit are provided to control the heat generated from a transistor without using the cooling fin. A high current control circuit comprises a MIT-TR composition element(1000) and a switching control transistor(400). The MIT-TR composition element is connected to a current driving device(500). The MIT-TR composition element has the MIT device and a transistor for preventing heat from being generated. The MIT device performs the metal-insulator transition at the predetermined transition voltage. The transistor for preventing heat from being generated is connected to the MIT device. The switching control transistor controls the on-off switching of the MIT-TR composition element. The system has the high current control circuit in the array shape.

Abstract translation: 提供包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件和包括相同电路的系统的高电流控制电路以控制从晶体管产生的热而不使用冷却鳍。 高电流控制电路包括MIT-TR组成元件（1000）和开关控制晶体管（400）。 MIT-TR组成元件连接到电流驱动装置（500）。 MIT-TR组成元件具有MIT器件和用于防止产生热的晶体管。 MIT装置在预定的转变电压下执行金属 - 绝缘体转变。 用于防止产生热量的晶体管连接到MIT装置。 开关控制晶体管控制MIT-TR组成元件的开 - 关切换。 该系统具有阵列形状的高电流控制电路。

公开(公告)号：KR1020090091648A

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：KR1020090002732

申请日：2009-01-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  김대용

IPC: H01L29/73 ,  G05F3/24

CPC classification number: H01L27/067 ,  H01L49/003

Abstract: A circuit for preventing self-heating of MIT(Metal-Insulator-Transition) device and a method for fabricating an integrated device for the same circuit are provided to control the current drive of the current drive device by packaging the MIT device and the resistance device. An MIT device(100) generates the MIT(Metal-Insulator Transition) at the critical temperature or more, and is connected to the current-driven device and controls the current flow. A resistance unit(300) connects a MIT device and a transistor. A transistor is a bipolar transistor(200). The bipolar transistor is the NPN type or the PNP type. The MIT device, the transistor and the resistance unit are integrated to one chip and are packaged. The transistor is the bipolar transistor or the MOS transistor.

Abstract translation: 提供用于防止MIT（金属绝缘体转换）装置的自身加热的电路和用于制造用于同一电路的集成装置的方法，以通过封装MIT装置和电阻装置来控制当前驱动装置的电流驱动 。 MIT设备（100）在临界温度或更高温度下生成MIT（金属绝缘体转换），并连接到电流驱动器件并控制电流。 电阻单元（300）连接MIT装置和晶体管。 晶体管是双极晶体管（200）。 双极晶体管是NPN型或PNP型。 MIT器件，晶体管和电阻单元集成到一个芯片中并进行封装。 晶体管是双极晶体管或MOS晶体管。

公开(公告)号：KR100744551B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020060015636

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  이용욱 ,  채병규 ,  김봉준 ,  최상국 ,  윤선진

IPC: G08B17/06 ,  G08B3/00 ,  G08B5/00

CPC classification number: G01K3/005 ,  G01K7/22

Abstract: 본 발명은 일정한 특정온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서 및 그 온도센서를 포함한 경보기를 제공한다. 그 온도센서는 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT) 박막 및 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하고, 급격한 MIT 소자는 일정한 전이온도에서 급격한 금속-절연체 전이를 일으키는 특성을 가진다. 또한, 경보기는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 구비한 온도센서; 온도센서와 연결된 릴레이 스위치; 및 릴레이 스위치에 연결된 경보신호기;를 포함한다. 본 발명의 경보기는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서를 포함함으로써, 회로적으로 간단하고 소형의 사이즈로 제작할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 경보기

公开(公告)号：KR100734854B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐이산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐이산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR100734830B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR100670804B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050012453

申请日：2005-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  고영욱 ,  이진호

IPC: H05B33/04

Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060093266A

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR1020060064985A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020040103686

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  윤선진 ,  임정욱

IPC: H01L21/318 ,  H01L33/12 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 소정 두께의 Al
x O
y N
z (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) 완충층을 증착하는 단계와, 열처리를 수행한 후 소정 두께의 단결정 반도체층을 성장하는 단계를 포함함으로써, 종래의 저온 GaN 및 AlN 층을 이용한 성장법에 비해 ALE로 성장된 완충층의 조성 및 밀도 제어를 통하여 기판과의 격자 부정합 및 열팽창계수 차이를 감소시켜 질화물 반도체의 특성을 높일 수 있는 효과가 있다.
질화물 반도체, 사파이어 기판, 원자층 에피택시(ALE), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD), 완충층, 단결정 반도체층