公开(公告)号：KR1020030094711A

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020020031972

申请日：2002-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  유병수 ,  권오균 ,  노정래 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).

Abstract translation: 目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本 它们。 反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。 形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。 下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。 形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。

公开(公告)号：KR100527108B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100484490B1

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 1.3 ~ 1.55 ㎛ 대역의 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법에 관한 것이다. 종래 수직 공진 표면방출 레이저의 전류 감금 구조를 형성하기 위해 취해진 여러 방법은 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 제작방법으로 적용하기에는 문제가 있다. 본 발명에서는 전류 감금 구조와 그 형성방법을 개선하여 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 가벼운 이온의 저에너지 주입과 터널 접합층의 복합적 사용을 통한 새로운 전류 감금 구조를 제시한다. 저에너지 이온주입은 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성할 수 있어서, 기존의 고에너지 이온주입과 달리 최소 전류 주입 직경을 아주 작게 만들 수 있고 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시킨다. 터널 접합층의 사용으로, 전하 운반자에 의한 광손실 저항을 줄여주므로 효과적으로 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020020058637A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020000086751

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/18

Abstract: PURPOSE: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens is provided to correct a difference between cutoff angles due to an asymmetric of a laser mode. CONSTITUTION: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens includes a distributed Bragg mirror(13) formed on a top surface of a substrate(10), an active medium(12) formed on a top surface of the distributed Bragg mirror(13), a mirror(11) formed in such a way that the mirror(11) is inclined at a predetermined angle with coexisting in the same plane of the active medium(12) and an astigmatic micro lens(14) formed on a bottom surface of the substrate(10). In the laser device, the astigmatic micro-lens is used to correct a difference between the angles of radiation of a light beam radiated from the bottom surface of the substrate(10) through the distributed Bragg mirror(13).

Abstract translation: 目的：提供一种结合有散光微透镜的激光装置，用于校正由于激光模式不对称而导致的截止角之间的差异。 构成：其中结合有像散微透镜的激光装置包括形成在基板（10）的顶表面上的分布式布拉格反射镜（13），形成在分布式布拉格镜（13）的顶表面上的有源介质 ），反射镜（11），其形成为使得反射镜（11）以共存于活性介质（12）的同一平面中的预定角度倾斜，并且形成在底表面上的像散微透镜（14） 的衬底（10）。 在激光装置中，散光微透镜用于校正通过分布式布喇格镜（13）从衬底（10）的底表面辐射的光束的辐射角之间的差异。

公开(公告)号：KR1020020046465A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020000076661

申请日：2000-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emitting laser device having a diffusion area on both end parts of an upper mirror layer and a method for fabricating the same are provided to prevent a loss of absorption of a p type doping layer within a resonator and reduce a scattering loss of a mirror layer and a carrier loss by controlling efficiently current flow. CONSTITUTION: A lower mirror layer(22) is formed on an n type InP semiconductor substrate(21). An active layer(23) is formed on the lower mirror layer(22). The active layer(23) is formed with a quantum well layer and a spatial layer. An electron leakage barrier(24) is formed on the active layer(23). A current induction layer(25) is formed on the electron leakage barrier(24). A current expansion layer(26) is formed on the current induction layer(25). The current expansion layer(26) is formed by a p type semiconductor layer. An upper mirror layer(27) is formed on the current expansion layer(26). A Zn diffusion layer(28) is formed on end parts of the upper mirror layer(27). An insulating layer(29) is used for forming an air layer among the current expansion layer(26), the current induction layer(25), and the current leakage barrier(24). The first metallic line(31) is connected with the upper mirror layer(27). The second metallic line(32) is connected with a back side of the n type InP semiconductor substrate(21).

Abstract translation: 目的：提供一种在上镜面层的两端部具有扩散区域的长波长表面发射激光器件及其制造方法，以防止谐振器内的p型掺杂层的吸收损失并降低散射损耗 的镜面层和载流子损失。 构成：在n型InP半导体衬底（21）上形成下镜层（22）。 活性层（23）形成在下镜层（22）上。 活性层（23）由量子阱层和空间层形成。 在有源层（23）上形成电子泄漏势垒（24）。 电子感应层（25）形成在电子泄漏屏障（24）上。 在电流感应层（25）上形成电流膨胀层（26）。 电流膨胀层（26）由p型半导体层形成。 在电流膨胀层（26）上形成上镜层（27）。 在上镜层（27）的端部形成有Zn扩散层（28）。 绝缘层（29）用于在电流膨胀层（26），电流感应层（25）和漏电屏障（24）之间形成空气层。 第一金属线（31）与上镜层（27）连接。 第二金属线（32）与n型InP半导体衬底（21）的背面连接。

公开(公告)号：KR100397371B1

公开(公告)日：2003-09-13

申请号：KR1020010069489

申请日：2001-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  권오균 ,  한원석 ,  주영구 ,  유병수

IPC: H01S5/183

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434

Abstract: A long-wavelength VCSEL is provided. The laser includes a first conductive semiconductor substrate, lower mirror layers that are formed on the semiconductor substrate and are proper to the Bregg-reflection, an active layer formed on the lower mirror layer, a current passage layer that is formed on the active layer as a path through which an electric current flows into the active layer, current blocking layers that are formed on the active layer to encompass the current passage layer and limit the path through which an electric current flows into the active layer, an intra-cavity contact layer formed on a portion of the current passage layer and the current blocking layer, upper mirror layers that are formed on a portion of the intra-cavity contact layer and are proper to the Bragg-reflection, a first electrode formed on the exposed surface of the intra-cavity contact layer and the upper mirror layers, and a second electrode formed on a predetermined surface of the semiconductor substrate

Abstract translation: 提供长波长VCSEL。 该激光器包括第一导电半导体衬底，形成在半导体衬底上并且适合于Bregg反射的下镜层，形成在下镜像层上的有源层，形成在有源层上的电流通过层， 电流流入有源层的路径，形成在有源层上以包围电流通过层并限制电流流入有源层的路径的电流阻挡层，腔内接触层 形成在所述电流通过层和所述电流阻挡层的一部分上的第一电极，形成在所述腔内接触层的一部分上且适于布拉格反射的上镜层，形成在所述第一电极的暴露表面上的第一电极 腔内接触层和上镜层，以及形成在半导体衬底的预定表面上的第二电极

公开(公告)号：KR100395492B1

公开(公告)日：2003-08-25

申请号：KR1020000086751

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/18

Abstract: A folded cavity laser for generating a laser beam, includes a substrate provided with a distributed Bragg reflector (DBR); an active medium formed above the DBR for amplifying the laser beam; a first and a second mirrors formed on sides of the active medium, respectively, for making a horizontal cavity and for reflecting the amplified laser beam to the DBR; and a microlens, formed on the substrate opposite the DBR, for making the amplified laser beam astigmatic after passing therethrough.

Abstract translation: 一种用于产生激光束的折叠腔激光器，包括设有分布式布拉格反射器（DBR）的衬底; 在DBR上方形成的用于放大激光束的有源介质; 第一反射镜和第二反射镜，分别形成在所述有源介质的侧面上，用于形成水平腔并将放大的激光束反射到所述DBR; 以及在与DBR相对的基板上形成的微透镜，用于在经过放大后的激光束之后使其散光。

公开(公告)号：KR1020030062110A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002534

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균 ,  주영구 ,  신재헌

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A multi-channel long wavelength VCSEL array and a fabricating method thereof are provided to form constantly an interval of a laser oscillation wavelength by controlling a resonant interval. CONSTITUTION: A multi-channel long wavelength VCSEL array includes a semiconductor substrate(10), a bottom mirror(20), an active region(30), a current limit layer(40), a superlattice control layer(50), and a top mirror(60). The bottom mirror is formed on the semiconductor substrate. The active region is formed on the bottom mirror. The current limit layer is formed on the active region in order to limit efficiently the current and enhance the efficiency of the heat transfer. The superlattice control layer is formed on the current limit layer in order to control an interval of laser oscillation wavelength. The top mirror is formed on the superlattice control layer.

Abstract translation: 目的：提供多通道长波长VCSEL阵列及其制造方法，以通过控制谐振间隔来恒定地形成激光振荡波长的间隔。 构成：多通道长波长VCSEL阵列包括半导体衬底（10），底镜（20），有源区（30），限流层（40），超晶格控制层（50）和 顶镜（60）。 底镜形成在半导体衬底上。 有源区形成在底镜上。 在有源区上形成电流限制层，以有效地限制电流并提高传热的效率。 为了控制激光振荡波长的间隔，在电流限制层上形成超晶格控制层。 上镜子形成在超晶格控制层上。

公开(公告)号：KR1020030062073A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002494

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  한원석 ,  권오균 ,  신재헌 ,  유병수 ,  노정래

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18308 ,  H01L33/145 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2063

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a long wavelength VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) is provided to reduce a current implantation diameter by implanting heavy ions and regrowing a crystal. CONSTITUTION: A lower dispersion Bragg reflection mirror(10), a laser active medium(11), and a heat spreading layer(12) are sequentially grown by considering the thickness of a resonator. A photoresist mask is formed on the heat spreading layer. A current confining layer(13) is formed by implanting ions into an exposed portion of the heat spreading layer. The photoresist mask is removed. An Inp layer(14) and a current spreading layer(15) are formed regrown on the heat spreading layer. An electrode(16) is formed on the current spreading layer. An upper dispersion Bragg reflection mirror(17) is formed thereon. An Au reflective mirror(18) is formed on the upper dispersion Bragg reflection mirror.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造长波长VCSEL（垂直腔表面发射激光器）的方法，以通过注入重离子并重新生长晶体来减小电流注入直径。 构成：通过考虑谐振器的厚度，顺序地生长较低色散的布拉格反射镜（10），激光活性介质（11）和散热层（12）。 在散热层上形成光刻胶掩模。 通过将离子注入到散热层的暴露部分中形成电流限制层（13）。 去除光致抗蚀剂掩模。 在热扩散层上重新形成Inp层（14）和电流扩展层（15）。 在电流扩散层上形成电极（16）。 在其上形成上色散布拉格反射镜（17）。 在上分散布拉格反射镜上形成Au反射镜（18）。

公开(公告)号：KR100358111B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1020000083422

申请日：2000-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신제헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/20

Abstract: 본 발명은 통신용 다채널 광원으로서 성능을 갖춘 장파장 대역의 표면방출형 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 활성층 상에 두꺼운 내부공진접촉층을 가지는 메사구조 및 이온주입층을 형성하므로써 효과적인 전류주입 및 열분산을 달성할 수 있는 두꺼운 내부공진접촉층을 갖는 장파장 표면방출 레이저 및 그것의 제조방법에 관한 것이다. 상기 메사 구조 및 상기 이온주입층에 의하여 전류가 상기 내부공진접촉층 상의 전극으로부터 상기 내부공진접촉층을 통과하여 상기 메사 구조의 하부에 있는 활성층으로 도달하는 전류유도구경이 형성된다. 이와 함께, 상기 활성층에서 발행한 열은 상기 전류유도구경에 의하여 흐르는 전류와 반대방향으로 상기 내부공진접촉층을 통과하여 그것 상에 형성된 전극을 통하여 배출된다.