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公开(公告)号：KR1020160088472A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150007299
申请日：2015-01-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03H1/12
CPC classification number: G03H1/12
Abstract: 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부및 공간광 변조기를포함할수 있다. 상기공간광 변조기는상기광원부에서출사된광의위상및 진폭중 적어도하나를변조하여홀로그램영상을출력할수 있다. 상기공간광변조기는기판및 상기기판상에적층된복수의광 변조층들을포함할수 있다. 상기복수의광 변조층들은굴절률, 두께, 및투명도중 적어도하나가서로상이할수 있다.
Abstract translation: 全息显示装置包括：用于发光的光源单元; 和空间光调制器。 空间光调制器可以通过调制由光源单元发射的光的相位和幅度中的至少一个来输出全息图像。 空间光学调制器包括基板和堆叠在基板上的多个光学调制层。 光调制层的折射率，厚度和透明度中的至少一个可以是不同的。
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公开(公告)号：KR101899423B1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：KR1020170050301
申请日：2017-04-19
Abstract: 정전용량방식의지문인식센서어레이가투명한패널형태로제공되는투명지문인식패널및 디스플레이패널상에이러한투명지문인식패널을포함하는지문인식디스플레이장치가개시된다. 상기지문인식센서어레이는, 다수의게이트라인; 상기다수의게이트라인과교차하는다수의리드아웃라인; 및, 상기다수의게이트라인과상기다수의리드아웃라인의교차점마다대응되도록배치된적어도하나의센서화소전극을갖는다수의센서화소;를포함하고, 서로인접한 N개(N은 2 이상의자연수)의게이트라인에대응되는 N개행의센서화소로이루어진일시적검출화소그룹의각 센서화소전극으로부터상기다수의리드아웃라인을통해동시에정전용량신호를검출하며, 상기다수의게이트라인에순차적으로인가되는게이트온(On) 신호가 1개의라인단위로시프트(shift) 될때마다상기일시적검출화소그룹도 1개의행씩순차적으로시프트되도록구동된다.
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公开(公告)号：KR1020160088787A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150157615
申请日：2015-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부, 및상기광원부에서출사된광의위상및 진폭중 적어도하나를변조하여홀로그램영상을출력하며, 제1 방향을따라배열된복수의화소그룹들을포함하는공간광 변조기를포함하고, 상기복수의화소그룹들각각은행렬로배열되고, 제1 파장의영상을제공하는제1 화소들, 상기제1화소들과상기제1 방향으로인접하며,행렬로배열되고, 상기제1 파장과상이한제2 파장의영상을제공하는제2 화소들을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种通过简化的结构实现彩色全息图的全息显示装置。 全息显示装置包括用于发光的光源单元; 以及空间光调制器（SLM），用于调制从光源单元发射的光的相位和幅度中的至少一个，以输出全息图像，并且包括沿第一方向布置的多个像素组， 多个像素组包括以x1×y1的矩阵排列并且提供具有第一波长的图像的第一像素和与第一方向上的第一像素相邻的第二像素，以x2×y2的矩阵排列，并且提供 具有不同于第一波长的第二波长的图像。
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公开(公告)号：KR1020160027315A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113198
申请日：2014-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/786
Abstract: 본발명은디스플레이장치를제공한다. 디스플레이장치는기판, 상기기판상에순차적으로적층된공통전극및 제 1 절연막, 상기제 1 절연막상의캡 전극, 상기캡 전극을덮는제 2 절연막, 상기제 2 절연막상의소스전극, 상기제 2 절연막상에제공되고, 상기제 1 컨택을통해상기캡 전극에연결되고상기소스전극의상부로연장되는드레인전극, 상기소스전극과상기드레인전극사이의제 3 절연막, 상기드레인전극및 제 3 절연막의측면상에제공되고, 상기소스전극으로연장되는게이트전극, 상기게이트전극과상기소스전극, 상기제 3 절연막및 상기드레인전극사이의활성층, 상기활성층과상기게이트전극사이의게이트절연막, 상기게이트전극및 상기드레인전극을덮는제 4 절연막상에제공되고, 제 2 컨택을통해연결되는픽셀전극을포함한다.
Abstract translation: 提供一种显示装置，其包括：基板; 依次层叠在基板上的公共电极和第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的帽电极; 覆盖所述盖电极的第二绝缘膜; 在第二绝缘膜上的源电极; 设置在第二绝缘膜上的漏极，通过第一接触连接到帽电极，并延伸到源电极的上部; 设置在源电极和漏电极之间的第三绝缘膜; 设置在所述漏电极上的栅电极和所述第三绝缘膜的侧面，并延伸到所述源电极; 设置在栅电极和源电极之间的有源层，以及第三绝缘膜和漏电极; 设置在所述有源层和所述栅电极之间的栅极绝缘膜; 以及设置在覆盖所述栅电极和所述漏电极的第四绝缘膜上并通过第二触点连接的像素电极。
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公开(公告)号：KR1020150081026A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000574
申请日：2014-01-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 박막트랜지스터가제공된다. 박막트랜지스터는기판, 상기기판위에형성된활성층, 상기활성층위에형성된게이트절연막, 상기게이트절연막위에형성된게이트전극, 상기게이트전극양쪽의상기활성층에형성된도핑영역, 및상기게이트전극양측의상기기판상에서로이격되고상기도핑영역과직접접촉하는소스전극및 드레인전극을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种薄膜晶体管。 薄晶体管包括衬底; 形成在所述基板上的有源层; 形成在有源层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 形成在栅电极两侧的有源层上的掺杂区域; 以及源电极和漏电极在栅极两侧的衬底上彼此分离，并与掺杂区域直接接触。 因此，本发明能够提供没有接触工艺的自配置型半导体薄膜晶体管结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140076111A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144276
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L29/0665
Abstract: A transistor according to an embodiment of the present invention may include an oxide semiconductor layer with a nano-layered structure. The oxide semiconductor layer may include at least one first nano-layer and at least on second nano-layer. The first nano-layer and the second nano-layer are alternately stacked. A channel with higher electron mobility at the interface between the first nano-layer and the second nano-layer as the first nano-layer and the second nano-layer contain different materials. The transistor of the present invention may have high reliability.
Abstract translation: 根据本发明实施例的晶体管可以包括具有纳米层状结构的氧化物半导体层。 氧化物半导体层可以包括至少一个第一纳米层和至少第二纳米层。 第一纳米层和第二纳米层交替堆叠。 在第一纳米层和第二纳米层之间的界面处作为第一纳米层和第二纳米层含有不同材料的具有较高电子迁移率的通道。 本发明的晶体管可以具有高的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020130038722A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103231
申请日：2011-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
CPC classification number: H02M3/073 , G09G3/3696 , H02M2003/077
Abstract: PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.
Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差 关掉TFT。 构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。 多个TFT轮流打开和关闭。 主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。 开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。
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公开(公告)号：KR101775563B1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020110085561
申请日：2011-08-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
IPC: H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 본발명은인버터, NAND 게이트및 NOR 게이트에관한것으로서, 게이트에인가되는전압에따라제1 전원전압을출력단자로출력하는제2 박막트랜지스터로이루어지는풀업부; 게이트에인가되는입력신호에따라그라운드전압을출력단자로출력하는제5 박막트랜지스터로이루어지는풀다운부; 및상기입력신호에따라제2 전원전압또는상기그라운드전압을상기제2 박막트랜지스터의게이트에인가하는풀업구동부를포함한다.
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