公开(公告)号：KR101315473B1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)

公开(公告)号：KR1020110064150A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603 ,  H01L27/1262

Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法，通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离，并将活性层转移到柔性基板上，从而最大限度地提高生产率。 构成：源区域（12），漏区（14）和沟道区（15）在第一方向上在第一衬底（10）上扩展。 沟槽（18）在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形（20）形成在沟槽之间的有源层（16）上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底，使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。

公开(公告)号：KR101912798B1

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：KR1020110144978

申请日：2011-12-28

Applicant: 한화에어로스페이스 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 송영일 ,  김형근 ,  홍병희 ,  안종현

IPC: C01B31/02 ,  B01J23/755 ,  B01J19/24

CPC classification number: C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/545

Abstract: 본발명은수평또는수직방향을따라챔버내에촉매금속을로딩하는단계와, 촉매금속을가열하여촉매금속의그레인사이즈를증가시키는단계와, 촉매금속에기상의탄소공급원을투입하면서챔버의내부온도를올리는단계, 및촉매금속을냉각시켜그래핀을형성하는단계;를포함하는그래핀합성방법및 합성장치를제공한다.

公开(公告)号：KR101695256B1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：KR1020160068857

申请日：2016-06-02

Applicant: 한화테크윈 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  홍병희 ,  이영빈 ,  배수강 ,  김형근

IPC: G06F3/045 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명의일 측면에따르면, 제1기판과, 상기제1기판과대향하여배치되는제2기판과, 상기제1기판의적어도일면에배치되는제1도전막과, 상기제2기판의적어도일면에배치되는제2도전막과, 상기제1도전막과전기적으로연결되는제1전극들과, 상기제2도전막과전기적으로연결되는제2전극들을포함하고, 상기제1도전막및 상기제2도전막중 적어도하나는그래핀을포함하고, 상기제1도전막과상기제2도전막중 상기그래핀을포함한도전막에보호막이배치되는터치패널및 이의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明提供一种触摸面板及其制造方法。 根据本发明的一个方面，触摸面板包括：第一基板; 布置成面对所述第一基板的第二基板; 布置在所述第一基板的至少一个表面上的第一导电膜; 布置在所述第二基板的至少一个表面上的第二导电膜; 电连接到第一导电膜的第一电极; 以及与第二导电膜电连接的第二电极。 第一和第二导电膜中的至少一个包括石墨烯。 导电膜上设置保护膜，该保护膜可以是包括石墨烯的第一导电膜或第二导电膜。

公开(公告)号：KR101657520B1

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020100010138

申请日：2010-02-03

Applicant: 한화테크윈 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  홍병희

IPC: G06F3/041 ,  H01L21/00

Abstract: 본발명은, 한쌍의기판들을구비한터치패널의전극형성방법에있어서, (a) 화학기상증착법을이용하여금속촉매층에탄소를흡수시키는단계와, (b) 상기금속촉매층을냉각시켜그래핀을성장시키는단계와, (c) 상기기판들중 적어도하나에상기그래핀을배치하여도전막을형성하는단계와, (d) 상기금속촉매층을가공함으로써상기도전막의표면에전극들을형성하는단계를포함하는터치패널의전극형성방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101500192B1

公开(公告)日：2015-03-06

申请号：KR1020130137799

申请日：2013-11-13

Applicant: 주식회사 포스코 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  염근영

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 본 발명은 투명전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그래핀층을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명에서는 투명한 기판 상에 일정 패턴을 갖는 메탈 메쉬 및 그래핀층을 순차적으로 형성함으로써, 전기 전도도가 우수하고, 경제적으로 유리하여 기존 ITO를 대체할 수 있는 투명전극을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种透明电极，更具体地说，涉及一种包括石墨烯层的透明电极及其制造方法。 根据本发明，在透明基板上依次形成具有一定图案的金属网和石墨烯层，从而提供导电性优异的透明电极，在经济上是有利的，可以代替现有的ITO。

公开(公告)号：KR101315187B1

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020130023040

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 본원은, 플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 트랜지스터형 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자, 1T-1R(1Transistor-1Resistor) 플렉서블 강유전체 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로서, 강유전체층과 반도체층 사이의 계면에 고분자 접착층을 형성함으로써 계면에서의 전기적 특성 및 물리화학적 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130103913A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020120024922

申请日：2012-03-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  안종현 ,  이진환 ,  이영빈

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/06

Abstract: PURPOSE: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films is provided to form the chalcogenide thin films from a single layer to double layers using a chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A method for easily manufacturing metal chalcogenide thin films comprises following steps. A metal thin film (20) is formed in a base material (10). Chalcogen gas is supplied to the metal thin film. A metal chalcogen thin film (30) marked chemical formula 1 is formed by reacting with the chalcogen gas. The metal thin film is formed one of the sputtering, E-beam evaporator, thermal evaporation, ion cluster beam, pulsed laser deposition methods.

Abstract translation: 目的：提供一种容易制造金属硫族化物薄膜的方法，以使用化学气相沉积从单层到双层形成硫族化物薄膜。 构成：容易制造金属硫族化物薄膜的方法包括以下步骤。 金属薄膜（20）形成在基材（10）中。 向金属薄膜供应硫族元素气体。 通过与硫属元素气体反应形成标记化学式1的金属硫属元素薄膜（30）。 金属薄膜形成溅射，电子束蒸发器，热蒸发，离子簇束，脉冲激光沉积方法之一。

公开(公告)号：KR1020130028770A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020130023041

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/7839

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a method for manufacturing the same are provided to improve an electrical property by using a polymer bonding layer. CONSTITUTION: A source and a drain region(520,530) are formed at both sides of a semiconducting channel layer(510). A barrier layer(540) is formed on the drain region. A ferroelectric layer(550) is formed on the barrier layer. A source electrode(570) is formed on the source region. A drain electrode(580) is formed on the ferroelectric layer and a gate dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以通过使用聚合物粘结层来改善电性能。 构成：源极和漏极区（520,530）形成在半导体沟道层（510）的两侧。 在漏区上形成阻挡层（540）。 在阻挡层上形成铁电体层（550）。 源极（570）形成在源极区域上。 在铁电层和栅介质层上形成漏电极（580）。

公开(公告)号：KR1020130028769A

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020130023038

申请日：2013-03-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  노종현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/24 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/7839

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric capacitor for a flexible nonvolatile memory device, a flexible nonvolatile ferroelectric memory device, and a method for manufacturing the same are provided to easily process a device. CONSTITUTION: A semiconducting channel layer(510) is formed on a flexible substrate(500). A source and a drain region(520,530) are formed at both sides of the semiconductor channel layer. A polymer bonding layer is formed on the semiconductor channel layer. A gate electrode(590) is formed on a ferroelectric layer(550). The source and the drain electrode(570,580) are formed on the source and the drain region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于柔性非易失性存储器件的强电介质电容器，柔性非易失性铁电存储器件及其制造方法，以容易地处理器件。 构成：半导体沟道层（510）形成在柔性衬底（500）上。 源极和漏极区域（520,530）形成在半导体沟道层的两侧。 聚合物键合层形成在半导体沟道层上。 栅电极（590）形成在铁电层（550）上。 源极和漏极电极（570,580）形成在源极和漏极区域上。