-
公开(公告)号：KR1020140003711A
公开(公告)日：2014-01-10
申请号：KR1020120067893
申请日：2012-06-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , B01D53/14
CPC classification number: H02J1/00 , B01D53/02 , B01D53/0407 , B01D53/62 , B01D2257/504 , H02J7/00 , Y02C10/04 , Y02C10/06 , Y02C10/08
Abstract: The present invention relates to a solar cell having a fan structure for providing convenience, stability and pleasant life and an application system using the same. A flexible color solar cell coated with a CO2 absorption material is formed with the fan structure. The flexible color solar cell is integrated with information and communication. An application system using the solar cell includes a double side supporter fixed to the ground, a transmitter including an antenna for power and data, an application body part providing a specific service by using a data screen, a solar cell producing solar power by using the light of the other wavelength, displaying color by using light of a specific wavelength, and formed in the upper part of the application body part.
Abstract translation: 本发明涉及具有用于提供便利性，稳定性和愉快寿命的风扇结构的太阳能电池以及使用该太阳能电池的应用系统。 利用风扇结构形成涂覆有CO 2吸收材料的柔性彩色太阳能电池。 灵活的彩色太阳能电池与信息和通信相结合。 使用太阳能电池的应用系统包括固定在地面上的双面支撑体，包括用于电力和数据的天线的发射器，通过使用数据屏幕提供特定服务的应用主体部分，通过使用数据屏幕产生太阳能发电的太阳能电池 另一波长的光，通过使用特定波长的光显示颜色，并且形成在应用主体部分的上部。
-
公开(公告)号：KR1020130022438A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110083618
申请日：2011-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , C23C16/325 , C23C16/24 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon is provided to increase the luminous efficiency of the silicon carbide film applied to the next generation solar cell field by forming the silicon carbide film with the nanocrystalline silicon. CONSTITUTION: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon uses plasma gas including methane(CH4) gas and silane(SiH) gas. The silicon carbide film(110) comprises silicon carbide(SiC) or silicon oxycarbide(SiOC). The silicon carbide film and the nanocrystalline silicon(120) are formed simultaneously.
Abstract translation: 目的：提供具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法，以通过与纳米晶硅形成碳化硅膜来增加施加到下一代太阳能电池领域的碳化硅膜的发光效率。 构成：具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法使用包括甲烷（CH 4）气体和硅烷（SiH））气体在内的等离子体气体。 碳化硅膜（110）包括碳化硅（SiC）或碳氧化硅（SiOC）。 碳化硅膜和纳米晶硅（120）同时形成。
-
公开(公告)号：KR101234598B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110018031
申请日：2011-02-28
Applicant: 충북대학교 산학협력단 , 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 롬셀의 구조 및 동작 방법에 관한 것으로, 특히 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 구조 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 유기물 박막트랜지스터를 통해 제조된 롬셀의 읽기 및 쓰기 장치에 있어서, 워드라인에 각각 대응하는 복수의 롬셀로 이루어진 롬어레이; 쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 입력 데이터를 기록하는 쓰기 회로부; 및 선충전 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 기록된 데이터를 읽는 읽기 회로부를 포함하되, 상기 롬어레이는, 워드라인, 반전 워드라인, 읽기 회로부와 쓰기 회로부를 연결되어 데이터를 기록 및 읽을 수 있도록 하는 비트라인 및 커패시터와 연결된 접지단을 구비한 트랜스미션 게이트의 롬셀로 이루어져, 쓰기 동작시 쓰기 회로부의 입력 데이터로 커패시터의 파괴 가능한 특정 레벨의 전압이 인가되면, 커패시터가 파괴되면서 선택되는 워드라인에 연결된 롬셀에 입력 데이터가 기록되고, 읽기 동작시 읽기 회로부에 따라 상기 특정 레벨 이하의 전압이 인가되어 데이터가 읽혀지는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치 및 방법을 제공한다.
-
公开(公告)号：KR101204338B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020090027376
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , B32B27/28
Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다.
이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020120106521A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110069863
申请日：2011-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A flexible flat cable and a manufacturing method thereof are provided to minimize distortion and interference of signals by surrounding a wire core with shield coating layers made of metal components, and insulation coating layers made of parylene polymers. CONSTITUTION: A flexible flat cable(100) includes insulation coating layers(20) made of parylene polymers and shield coating layers(30) made of metal components surrounding a wire core(10). The insulation coating layer increases insulation properties between the wire cores. The insulation coating layer reduces an RC delay of a signal. The shield coating layer shields electromagnetic waves between the wire cores. The flexible flat cable maximizes the transfer efficiency of the wire core.
Abstract translation: 目的：提供柔性扁平电缆及其制造方法，以通过围绕具有由金属部件制成的屏蔽涂层的线芯和由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层来最小化信号的变形和干扰。 构成：柔性扁平电缆（100）包括由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层（20）和围绕线芯（10）的金属组件制成的屏蔽涂层（30）。 绝缘涂层增加了导线芯之间的绝缘性能。 绝缘涂层降低了信号的RC延迟。 屏蔽涂层屏蔽线芯之间的电磁波。 柔性扁平电缆使线芯的传输效率最大化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101183964B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080078593
申请日：2008-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0027 , H01L51/0036 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킴으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 박막, 국부적, 결정화, 유기 박막 트랜지스터, 활성층, 유기 용매, 레이저-
公开(公告)号：KR1020120061531A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122869
申请日：2010-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808 , H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A metal pattern formation method and an apparatus using the same are provided to improve electrical properties of a metal wire by forming the metal wire using a non-electrode electrochemical plating method. CONSTITUTION: An adhesive pattern is formed on a substrate(S10). An initiator is combined on the adhesive pattern by spraying an initiator solution on the substrate(S20). A metal is combined with the initiator by performing a plating process after spraying a metal precursor solution on the substrate(S30). The initiator solution and the metal precursor solution on the substrate are eliminated between the adhesive patterns by performing a cleaning process(S40).
Abstract translation: 目的：提供一种金属图案形成方法及其使用方法，通过使用非电极电镀法形成金属线来提高金属线的电特性。 构成：在基材上形成粘合剂图案（S10）。 通过在基板上喷射引发剂溶液将引发剂组合在粘合剂图案上（S20）。 通过在金属前体溶液喷涂到基板上之后进行电镀处理，将金属与引发剂结合（S30）。 通过进行清洗处理，在粘合剂图案之间消除了基板上的引发剂溶液和金属前体溶液（S40）。
-
公开(公告)号：KR101153368B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020080117461
申请日：2008-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/167
Abstract: 본발명은전기유변유체마이크로캡슐을포함하는투과도가변필름및 이의제조방법에관한것으로, 이투과도가변필름은전기유변유체마이크로캡슐을포함하도록형성됨으로써, 가공성이증대되어, 평평한판 유리뿐만아니라구부릴수 있는 (flexible) 플라스틱투명전극이나, 굴곡이있는유리투명전극표면에도적용이될 수있다. 또한, 전기유변유체마이크로캡슐은전체전극을수십또는수백마이크로미터단위의공간으로세분화할수 있으며, 분극입자의뭉침이방지되므로, 균일한투과도가발현된다.
-
公开(公告)号：KR1020110064149A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120620
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/84 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L27/1266 , H01L27/1262 , H01L29/78603 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to form an embedded insulating film and a gate insulating film by different materials, thereby preventing damage of the gate insulating film when the embedded insulating film is eliminated. CONSTITUTION: An embedded insulating film(14) and an active layer(16) are stacked on a single-crystalline silicon wafer(12). A gate insulating layer(18) is formed on the active layer. A gate electrode(20) is formed on the gate insulating layer. Source/drain areas(22,24) are formed on the active layer of the gate electrode. A part of the embedded insulating film is eliminated to form an under cut in the lower part of the thin film transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过不同的材料形成嵌入式绝缘膜和栅极绝缘膜，从而防止当绝缘膜被去除时对栅极绝缘膜的损坏。 构成：在单晶硅晶片（12）上堆叠嵌入绝缘膜（14）和有源层（16）。 在有源层上形成栅极绝缘层（18）。 栅电极（20）形成在栅极绝缘层上。 源极/漏极区域（22,24）形成在栅电极的有源层上。 消除了嵌入式绝缘膜的一部分，以在薄膜晶体管的下部形成欠切割。
-
公开(公告)号：KR1020110044454A
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：KR1020090101136
申请日：2009-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/4814 , H01L21/4867 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H05K1/0277 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/0313 , H05K1/09 , H05K3/105 , H05K3/125 , H05K3/4069 , H05K2203/1105 , H05K2203/125 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A multilayered wire connecting structure and manufacturing method thereof are provided to eliminate a chemical and mechanical grinding process which eliminates a conductive metal layer, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A first wire(12) is formed on a substrate(10). An interlayer insulating film(14) is formed on the first wire. A second wire(22) is formed on the interlayer insulating film. A via contact(20) includes at least one conductive filament(17). The conductive filament electrically connects a first wire with a second wire.
Abstract translation: 目的：提供多层导线连接结构及其制造方法，以消除消除导电金属层的化学和机械研磨过程，从而最大限度地提高生产率。 构成：在基板（10）上形成第一线（12）。 在第一导线上形成层间绝缘膜（14）。 第二线（22）形成在层间绝缘膜上。 通孔接触件（20）包括至少一个导电细丝（17）。 导电丝将第一线与第二线电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
146
records
(took 0.029 seconds)
