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公开(公告)号:KR1020110045408A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:KR1020090101972
申请日:2009-10-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Inventor: 김달현
IPC: G01N1/00 , H01L21/265 , H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A reference material of quantification of dopant density in two-dimensional dopant imaging and a measuring method by using the same are provided to change a measuring signal of all dopant concentration section into dopant concentration. CONSTITUTION: A reference material of quantification of dopant density in two-dimensional dopant imaging is as follows. The dopant of different concentration is implanted on a substrate in several times in order to manufacture a single crystal wafer. The single crystal wafer has two more concentration peaks. A one-dimension measurement signal profile of a measurement object sample is obtained. A two dimension concentration profile is converted from the signal profile of a one-dimension measurement object.
Abstract translation: 目的:提供二维掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料和使用该参考材料的测量方法,以将所有掺杂剂浓度部分的测量信号改变为掺杂剂浓度。 构成:二维掺杂剂成像中的掺杂剂浓度的定量参考材料如下。 为了制造单晶晶片,将不同浓度的掺杂剂注入基片上几次。 单晶晶片有两个浓度峰。 获得测量对象样品的一维测量信号轮廓。 二维浓度分布从一维测量对象的信号分布转换。
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公开(公告)号:KR100143505B1
公开(公告)日:1998-10-01
申请号:KR1019940019471
申请日:1994-08-08
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G02B21/24
Abstract: 본 발명은 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscope)에서의 밑판(baseplate)의 구조에 관한 것으로 더 상세하게는 현미경 밑판을 제조함에 있어서 자석이나 구리블록 등 댐핑(damping)용 부품을 고정할 마운트를 밑판과 일체화하여 하나의 구조물로 제작하되 밑판 블록의 내부나 벽면의 일부를 깎아내어 다른 용도로 사용할 공간을 확보하고 진동공진 주파수를 높인 것으로 자석이나 구리블록 등 댐핑 부품을 고정할 마운트를 밑판과 일체화하여 하나의 밑판 구조물로 제작하되 밑판 블록의 내부나 벽면의 일부를 깎아내서, 다른 용도로 사용할 공간을 확보하고 진동 공진 주파수를 높은 것을 특징으로 하는 주사형 터널링 현미경에서의 일체화된 밑판의 구조.
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公开(公告)号:KR1020130074521A
公开(公告)日:2013-07-04
申请号:KR1020110142613
申请日:2011-12-26
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: H01J37/317 , B82B3/0023 , B82B3/0076 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/901
Abstract: PURPOSE: A motionless bending method of one-dimensional or two-dimensional nanostructure using ion beams is provided to repetitively use high energy ion beams and low energy ion beams, thereby controlling a bending direction and shape of nanostructure without movement of the nanostructure. CONSTITUTION: A motionless bending method of one-dimensional or two-dimensional nanostructure using ion beams comprises following steps. One-dimensional or two-dimensional nanostructure (20) is bent by irradiating ion beams (10). According to the energy of the ion beams, a bending direction of the nanostructure is controlled. A bending direction and a shape of the nanostructure are controlled by repetitively irradiation of high energy ion beams (11) and low energy ion beams (12). The high energy ion beams have energy which bends the nanostructure to an ion beam direction (S). The low energy ion beams have energy which bends the nanostructures to an ion beam progressive direction (P). According to the thickness of the nanostructures, a bending direction of the nanostructures is controlled.
Abstract translation: 目的:提供使用离子束的一维或二维纳米结构的静态弯曲方法,以重复使用高能离子束和低能量离子束,从而控制纳米结构的弯曲方向和形状,而不会移动纳米结构。 构成:使用离子束的一维或二维纳米结构的静态弯曲方法包括以下步骤。 通过照射离子束(10)使一维或二维纳米结构(20)弯曲。 根据离子束的能量,控制纳米结构的弯曲方向。 通过重复照射高能离子束(11)和低能离子束(12)来控制纳米结构的弯曲方向和形状。 高能离子束具有将纳米结构弯曲成离子束方向的能量(S)。 低能离子束具有将纳米结构弯曲成离子束渐进方向(P)的能量。 根据纳米结构的厚度,控制纳米结构的弯曲方向。
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公开(公告)号:KR100845005B1
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:KR1020060130408
申请日:2006-12-19
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01N13/10
CPC classification number: G01Q10/065
Abstract: 본 발명은 고속 주사탐침현미경(Scanning Probe Microscopy)의 제어 방법에 관한 것으로 선택적으로 탐침 피드백 요소를 줄이고 탐침을 수평 이동시킴으로서 고속으로 이미징할 수 있는 고속 주사탐침현미경(Scanning Probe Microscopy)의 제어 방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 고속 주사탐침현미경의 제어 방법은 탐침과 ; 탐침과 시편 사이의 거리에 따라서 변하는 신호인 피드백신호를 감지하는 검출기와 ; 탐침과 시편 사이의 거리를 일정하게 유지하는 피드백요소와, 상기 탐침 또는 시편을 이동시키는 스캐너를 포함하여 구성된 주사탐침현미경의 제어 방법에 있어서, 상기 탐침을 수평 이동시켜 시편의 표면을 스캐닝하되, 상기 탐침과 시편 사이의 거리가 피드백신호의 거리의존성이 미약하지만 잡음으로부터 분리할 수 있는 정도의 미리 정한 최대작동거리와 탐침이 시편과 부딪히는 것을 방지하기 위해서 미리 설정한 최소작동거리 사이의 고속모드작동거리 안에 속하는지를 상기 피드백신호를 통하여 판단하고, 고속모드작동거리에 속하는 경우 즉시 피드백요소를 제거하여 일정하게 탐침의 높이를 유지하는 상태로 탐침을 수평 이동하면서 시편의 표면굴곡을 고속으로 감지함을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 시편의 표면을 감지 과정에서 시편의 표면에 상기 고속모드작동거리를 벗어나는 경우 피드백 요소를 즉시 회복하여 기존의 주사탐침현미경과 같이 표면을 감지함을 특징으로 한다.
고속 주사탐침현미경, 피드백요소, 고속모드작동거리, 최소작동거리, 최대작동거리-
公开(公告)号:KR1020060009563A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:KR1020040058197
申请日:2004-07-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 나노프로브(nano-probe)를 이용하여 기판 위에 있는 나노구조물(nano-structure)을 이동시키는 방법에 관한 것으로서, 특히 나노프로브와 나노구조물 사이에 작용하는 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 신속하고 정확하며 단 한차례의 작업으로 손쉽게 나노구조물을 목표 지점으로 이동시킬 수 있는 나노프로브를 이용한 나노구조물의 이동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이동 방법은 상기 나노프로브에 전압을 인가하는 단계와, 상기 전압이 인가된 나노프로브를 상기 나노구조물 근방으로 이동시켜 상기 나노프로브에 나노구조물을 부착시키는 단계와, 상기 나노구조물이 부착된 나노프로브를 상기 기판 위의 목표 지점으로 이동시키는 단계와, 상기 목표 지점에서 상기 나노프로브에 인가된 전압을 끊어 상기 나노프로브에 부착된 나노구조물을 탈리시키는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 通过使用静电力(静电力)之间作用很快本发明涉及一种方法,用于使用纳米探针(纳米探针)在上基板移动所述纳米结构(纳米结构),尤其是纳米探针和纳米结构 准确和涉及使用纳米探针可以容易地移动纳米结构到目标点到仅一次工作移动纳米结构的方法。 其中连接根据本发明的通过移动到纳米探针的施加电压来移动过程中的纳米结构,在纳米结构包括在所述纳米探针安装的纳米结构的步骤的附近施加至纳米探针上的电压, 在纳米探针移动到目标点的步骤在所述基底和所述目标点包括的切断施加至纳米探针帐簿纳米结构附着于纳米探针上的电压的步骤。
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公开(公告)号:KR100135481B1
公开(公告)日:1998-04-22
申请号:KR1019940019469
申请日:1994-08-08
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L41/08
Abstract: 본 발명은 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기(scanner)의 감도제어방법에 관한 것으로 주사형 터널링 현미경용 3차원 주사기에 있어서 원통형 3차원 주사기의 z축을 위한 전극을 바깥쪽에 형성시켜 내부전극을 접지시키거나 z 전압을 가하게 하여 열팽창보상에 이용하고 또 z-전극의 길이를 변화시켜 각축의 감도를 조절하게 함을 특징으로 하는 주사형 터널링 현미경에 사용되는 3차원 주사기의 감도제어방법.
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公开(公告)号:KR101787431B1
公开(公告)日:2017-10-19
申请号:KR1020150190647
申请日:2015-12-31
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명의목적은정밀하고미세한이동을수행함에있어서단순한구조를통해시스템복잡성을최소화하면서원하는이동을원활하게수행할수 있도록하는구조를가지는, 변위전달용선형구조물및 이를이용한 1차원및 3차원미세이동장치를제공함에있다.
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公开(公告)号:KR1020090121572A
公开(公告)日:2009-11-26
申请号:KR1020080047542
申请日:2008-05-22
Applicant: 한국표준과학연구원
Inventor: 김달현
Abstract: PURPOSE: A reference material of spatial resolution for 2-dimensional dopant imaging is provided to evaluate 1nm high resolution by oxidizing a semiconductor film layer or forming an oxide layer which is naturally oxidized between the semiconductor film layer and a coating layer. CONSTITUTION: A reference material of spatial resolution for 2-dimensional dopant imaging comprises a semiconductor film layer(300), a coating layer(100) and an oxide layer(200). A dopant is activated in the semiconductor film layer. The coating layer is formed on the semiconductor film layer using the semiconductor material excluding the dopant. The oxide layer is formed by oxidizing the semiconductor film layer between the semiconductor film layer and the coating layer. The interface between the semiconductor film layer and the coating layer is vertically formed on the measurement plane measuring reference materials.
Abstract translation: 目的:提供二维掺杂剂成像的空间分辨率的参考材料,以通过氧化半导体膜层或形成在半导体膜层和涂层之间自然氧化的氧化物层来评价1nm的高分辨率。 构成:用于二维掺杂剂成像的空间分辨率的参考材料包括半导体膜层(300),涂层(100)和氧化物层(200)。 掺杂剂在半导体膜层中被激活。 使用除掺杂剂以外的半导体材料,在半导体膜层上形成涂层。 通过氧化半导体膜层和涂层之间的半导体膜层来形成氧化物层。 半导体膜层和涂层之间的界面在测量基准材料的测量平面上垂直地形成。
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公开(公告)号:KR100287957B1
公开(公告)日:2002-05-13
申请号:KR1019980055279
申请日:1998-12-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01B11/30
Abstract: 본 발명은 광화이버를 통한 아토믹 포스 마이크로스코프 탐침광 전송방법에 관한 것으로, 광화이버를 통한 아토믹 포스 마이크로스코프 탐침광을 전송하는 방법으로서, AFM 팁(2)의 (10㎛ ∼ 100㎛) 크기보다 더 이 빛이 퍼지기 전에 팁에 광화이버 끝을 (100㎛ ∼ 500㎛)로 근접시키고, 빛이 팁 끝에서 전부 반사되어 4-cell 포토다이오드에서 검출되게 하되 샘플과 팁의 거리가 달라지면 팁과 시편 사이에 작용하는 힘의 크기가 달라져서 팁이 위 또는 아래로 구부러지고, 그러면 팁에서 반사된 레이저 빛의 반사각도가 달라져서 포토다이오드의 상부(2개 cell), 하부(2개 cell )에 입사하는 빛의 양이 달라져 상부가 하부보다 빛의 세기가 더 커지거나 작아진다. 그러면 상부와 하부 사이의 빛의 세기 차이를 측정하여 일정한 차이를 유지하는데 이것은 팁과 시편 사이가 일정한 거리로 유지된다는 것을 의미한다. 팁을 시편의 다른 지점으로 이동시키면 시편 표면의 높이가 다르므로 팁과 시편 사이의 거리가 달라져서 팁이 위로 혹은 아래로 휘어진다. 따라서 거리를 일정하게 유지시켜 주기 위해서 팁 혹은 시편을 움직여서 거리를 일정하게 유지시킨다. 이때 움직인 거리가 결국 그 지점에서의 표면 높낮이가 되는 것이다. 그래서 시편의 측정 지점을 바꾸면서 이 높낮이를 측정하면 시편의 표면 굴곡을 측정하는 것이 아토믹 포스 마이크로스코프의 원리이다. 그런데 우리는 광화이버를 팁에 가깝게 접근시키고 반사된 빛이 포토다이오드의 중앙에 입사하도록 광화이버를 조절하기 위하여 광화이버를 스테인리스스틸 튜브 안에 넣고 접착제로 고정시켜서 광화이버를 미세하게 조절하는 것이다.
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公开(公告)号:KR1020000039822A
公开(公告)日:2000-07-05
申请号:KR1019980055279
申请日:1998-12-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01B11/30
Abstract: PURPOSE: A method for transmitting atomic force microscope probe light through an optical fiber is provided to minimize a head and improve a laser property by using an optical fiber without using a lens. CONSTITUTION: In a method for transmitting atomic force microscope probe light, an extreme end of an optical fiber(1) approaches a tip(2) before light is dispersed over a size of the tip(2). When a distance between the tip(2) and a sample(4) is varied, the tip(2) is bent upward and downward so that laser reflected from the tip(2) can be deflected. By deflection of the laser, amounts of light incident to two cells. By measuring the difference, an irregulation of the surface of the sample(4) is measured. The optical fiber(1) is inserted into a tube(5) so as to adjust the optical fiber(1) such that the light reflected from the optical fiber can be incident to a center of a photo diode(3).
Abstract translation: 目的:提供通过光纤传输原子力显微镜探针光的方法,以最小化头部,并且通过在不使用透镜的情况下使用光纤来提高激光性能。 构成:在用于发射原子力显微镜探针光的方法中,在将光分散在尖端(2)的尺寸上之前,光纤(1)的末端接近尖端(2)。 当尖端(2)和样品(4)之间的距离改变时,尖端(2)向上和向下弯曲,使得从尖端(2)反射的激光可以偏转。 通过激光的偏转,入射到两个电池的光量。 通过测量差异,测量样品(4)的表面的不调节。 将光纤(1)插入管(5)中,以便调节光纤(1),使得从光纤反射的光可以入射到光电二极管(3)的中心。
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