Abstract:
본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법은 기판상에 탄소 나노튜브가 형성될 위치에 탄소 나노튜브 성장을 촉진시키는 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매 처리된 상기 기판의 상기 위치에 상기 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및 상기 탄소 나노튜브에 표면 개질제를 처리하여 상기 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하는 단계;를 포함 한다. 본 발명의 탄소 나노튜브 반도체 소자의 제조 방법을 이용하면, 성장되어 형성된 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하여 반도체성만을 가지게 함으로써 탄소 나노튜브를 반도체 소자의 채널로 적합하게 이용할 수 있다. 탄소 나노 튜브
Abstract:
본 발명은 금속 소스전극, 금속 드레인전극, 게이트 및 탄소나노튜브로 이루어진 채널영역을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이, 상기 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브의 표면에 흡착 개질되어 미생물과 특이적으로 결합하는 압타머(aptamer), 및 상기 압타머를 상기 탄소나노튜브에 고정시키는 고정물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이를 이용한 미생물 검출센서에 관한 것이다. 이를 통해 시료의 대장균 유무 및 농도를 20분내에 간단하게 추정할 수 있다. 이 과정은 복잡한 실험장비나 시설 또는 배양에 필요한 조건등이 전혀 필요하지 않으므로 수질, 식품, 환경등의 응용에서 간단하게 미생물을 찾아내는 수단으로 이용될 수 있다. 미생물, 탄소 나노튜브, 나노 트랜지스터
Abstract:
Carbon nanotube transistor biosensors using aptamers as molecular recognition elements and a method for sensing a target material in blood by using the same biosensors are provided to inexpensively detect the target protein by measuring electrical change of the carbon nanotube when the aptamers on the carbon nanotube is exposed to the target protein, and enhance detection sensitivity and selectivity by using carbon nanotube and DNA aptamers. The carbon nanotube transistor biosensor comprises (i) a carbon nanotube transistor containing source, drain and gate, where the channel region is composed of carbon nanotube, (ii) DNA aptamers bound to the surface of the carbon nanotube, and (iii) a fixing material for fixing the aptamers to the carbon nanotube, wherein the channel is composed of single wall or multiple wall nanotubes, and metal oxide nanowire and semiconductor nanowire showing transistor properties; the nanowire has diameter of 50 nm or less and uses the aptamers as recognition materials; the single wall nanotube has diameter of 2 nm and the multiple wall nanotube has diameter of 50 nm or less; and the aptamer-fixing material is pyrene or other molecules having affinity to the carbon nanotube. The method for sensing a target material in blood comprises the steps of: manufacturing the carbon nanotube transistor containing the carbon nanotube with aptamers; measuring the electrical conductivity change of the carbon nanotube when the aptamers are exposed to the target material; and detecting the target material based on the data on the electrical conductivity change, wherein the target material is protein, peptide, amino acid, nucleotide, drug, vitamin or organic/inorganic compound.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다. 탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자
Abstract:
A carbon nanotube is provided to be used as the channel of the semiconductor device because of having only semiconductive by removing metallic properties from the grown and formed carbon nanotube. The sensitivity of sensor is improved by improving properties of the semiconductor device. A catalyst accelerating growth of the carbon nanotube is introduced to the location in which the carbon nanotube is formed. The carbon nanotube is formed on the substrate treated by the catalysis. A surface modification agent is processed in the carbon nanotube and a metallic property is removed from the carbon nanotube. The surface modification agent comprises the electron affinity molecule. The electron affinity molecule is selected from nitronium, diazonium, pyrillium and irium.
Abstract:
본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서, 상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다. SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머
Abstract:
본 발명은 분자자기조립(Molecular Self-Assembled)법이나 랭무어-블로짓 (Langmuir-Blodgett)법 등으로 형성한 단분자 박막(monolayer)을 전자 활성층(electroactive layer)으로 이용하는 분자 전자 소자(molecular electronics devices)에 관한 것으로, 금속-분자-금속이 수직 구조를 이루며 어레이(array) 형태로 구현이 가능한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 기존의 방법으로 제작하기 어려운 어레이 형태의 소자를 용이하게 제조할 수 있도록 하며, 랭무어-블로짓(LB) 박막과 자기조립 박막 모두에 적용이 가능하다. 상, 하부 전극 사이에 소정의 기능기를 갖는 단분자 박막이 삽입된 분자 전자 소자는 분자의 특성에 따라 분자 다이오드, 분자 스위치, 분자 트랜지스터 등으로 작동될 수 있으며, 고집적 메모리 소자 및 논리 소자에도 적용이 가능하다. 또한, 얇은 박막과 유기물의 특징을 이용하면 유연한 전자 회로 소자(flexible electronic device)에도 적용이 가능하다.
Abstract:
본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다. 변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다. 단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장
Abstract:
PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.
Abstract:
PURPOSE: A bio sensor and a manufacturing method thereof are provided to fix metal nano-particle using a non-covalent binding mode without destroying covalent bond between carbons of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A manufacturing method with a metal immobilized carbon nano-tube comprises following steps. A carbon nano-tube transistor including source electrode, drain electrode, and gate and carbon nano-tube(30) is manufactured. In the carbon nano-tube transistor, all electrodes except for the carbon nano-tube are insulated. The insulated carbon nano-tube transistor is put into solution with metallic ion and fixes the metal nano-particle on the surface of the carbon nano-tube.