반도체 나노소자
    1.
    发明授权
    반도체 나노소자 失效
    半导体纳米元件

    公开(公告)号:KR100820102B1

    公开(公告)日:2008-04-10

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 Al 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, n 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 Pd 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서,
    상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소자를 제공한다.
    탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어, 나노구조체, 채널, 금속 나노입자, 일함수

    반도체 나노소자
    2.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号:KR1020070002111A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度,并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极(12),从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒(16)涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

    나노 와이어 반도체 소자, 이를 구비하는 반도체 메모리소자 및 그의 제조방법
    3.
    发明授权
    나노 와이어 반도체 소자, 이를 구비하는 반도체 메모리소자 및 그의 제조방법 有权
    具有纳米结构的半导体器件,具有该纳米结构的半导体存储器件及其制造半导体存储器件的方法

    公开(公告)号:KR100844094B1

    公开(公告)日:2008-07-04

    申请号:KR1020070016461

    申请日:2007-02-16

    Abstract: A nano-wire semiconductor device, a semiconductor memory device including the same, and a manufacturing method thereof are provided to capture or remove electric charges by forming a silicide island at a contact part between a nano-wire and source/drain electrodes. A nano-wire(110) is arranged on an upper surface of an element forming substrate(200). Source and drain electrodes(240a,240b) are arranged on an upper surface of the nano-wire. The source and drain electrodes are separated from each other. A silicide island is formed at a contact part between the source and drain electrodes and the nano-wire. A surface of the nano-wire between the source and drain electrodes is exposed. A channel layer is formed in the nano-wire by using voltage swing between the source and drain electrodes.

    Abstract translation: 提供纳米线半导体器件,包括该纳米线半导体器件的半导体存储器件及其制造方法,以通过在纳米线和源极/漏极之间的接触部分处形成硅化物岛来捕获或去除电荷。 纳米线(110)布置在元件形成衬底(200)的上表面上。 源极和漏极(240a,240b)布置在纳米线的上表面上。 源极和漏极彼此分离。 在源电极和漏电极和纳米线之间的接触部分处形成硅化物岛。 在源极和漏极之间的纳米线的表面被暴露。 通过使用源极和漏极之间的电压摆动,在纳米线中形成沟道层。

    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법 有权
    包含金属固定碳纳米管的生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:KR100991011B1

    公开(公告)日:2010-10-29

    申请号:KR1020080054358

    申请日:2008-06-10

    Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
    탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자

    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터
    5.
    发明授权
    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터 失效
    具有SU-8抗蚀剂的碳纳米管晶体管涂覆在电极中

    公开(公告)号:KR100692916B1

    公开(公告)日:2007-03-12

    申请号:KR1020050057443

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
    상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
    SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머

    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법
    6.
    发明公开
    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법 有权
    包含金属硫化碳纳米管的生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020090128276A

    公开(公告)日:2009-12-15

    申请号:KR1020080054358

    申请日:2008-06-10

    Abstract: PURPOSE: A bio sensor and a manufacturing method thereof are provided to fix metal nano-particle using a non-covalent binding mode without destroying covalent bond between carbons of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A manufacturing method with a metal immobilized carbon nano-tube comprises following steps. A carbon nano-tube transistor including source electrode, drain electrode, and gate and carbon nano-tube(30) is manufactured. In the carbon nano-tube transistor, all electrodes except for the carbon nano-tube are insulated. The insulated carbon nano-tube transistor is put into solution with metallic ion and fixes the metal nano-particle on the surface of the carbon nano-tube.

    Abstract translation: 目的:提供生物传感器及其制造方法,以使用非共价结合模式固定金属纳米颗粒,而不破坏碳纳米管的碳之间的共价键。 构成:具有金属固定碳纳米管的制造方法包括以下步骤。 制造包括源电极,漏电极和栅极和碳纳米管(30)的碳纳米管晶体管。 在碳纳米管晶体管中,除了碳纳米管之外的所有电极是绝缘的。 将绝缘碳纳米管晶体管放入金属离子溶液中,并将金属纳米颗粒固定在碳纳米管表面。

    바이오 센서, 그 제조방법 및 이를 이용한 바이오 물질의검출방법
    8.
    发明公开
    바이오 센서, 그 제조방법 및 이를 이용한 바이오 물질의검출방법 有权
    生物传感器,其制造方法和使用它的生物材料的检测方法

    公开(公告)号:KR1020090008798A

    公开(公告)日:2009-01-22

    申请号:KR1020070072051

    申请日:2007-07-19

    Abstract: A biosensor is provided to bind to the specific target biomolecule by segmenting the surface of the long single nanowire device, thereby simultaneously detecting the identical or multiple biomolecules. The biosensor comprises: a source electrode(14), a drain electrode(15) and a transistor consisting of gate and nanowire(10), wherein the nanowire has a plurality of scanning units segmented in the longitudinal direction; the length of transistor is 10mum to 10 cm; and the scanning unit is segmented by the serial manner so as not to overlap the channel region.

    Abstract translation: 提供生物传感器以通过分割长单一纳米线装置的表面来结合特异性目标生物分子,从而同时检测相同或多个生物分子。 生物传感器包括:源电极(14),漏电极(15)和由栅极和纳米线(10)组成的晶体管,其中所述纳米线具有沿纵向方向分割的多个扫描单元; 晶体管的长度为10m到10cm; 并且扫描单元被串行方式分段,以便不与信道区域重叠。

    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법
    9.
    发明授权
    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 失效
    使用蛋白纳米颗粒的碳纳米管晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR100756320B1

    公开(公告)日:2007-09-07

    申请号:KR1020050056879

    申请日:2005-06-29

    Abstract: 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면

    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터
    10.
    发明公开
    변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터 失效
    具有涂覆在电极中的SU-8电阻的碳纳米管晶体管

    公开(公告)号:KR1020070002119A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057443

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A carbon nanotube transistor having a deformation electrode is provided to increase the work function of a metal and to effectively induce hole doping by using an SU-8 negative photoresist on an electrode of the carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube. The electrode is connected to the carbon nanotube to configure a carbon nanotube transistor and then an SU-8 negative photoresist(16) is coated on the carbon nanotube transistor to form an insulating layer.

    Abstract translation: 提供具有变形电极的碳纳米管晶体管,以增加金属的功函数,并且通过在碳纳米管晶体管的电极上使用SU-8负性光刻胶来有效地诱导空穴掺杂。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过对碳纳米管进行光刻和热蒸发来形成电极(12)。 电极与碳纳米管连接以构成碳纳米管晶体管,然后在碳纳米管晶体管上涂覆SU-8负性光致抗蚀剂(16)以形成绝缘层。

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