Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterschicht

    公开(公告)号:DE102013109202A1

    公开(公告)日:2014-03-06

    申请号:DE102013109202

    申请日:2013-08-26

    Applicant: GEN ELECTRIC

    Abstract: Es werden Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterschicht, die ein Halbleitermaterial beinhaltet, vorgelegt. Ein Verfahren beinhaltet das Inkontaktbringen zumindest eines Teils des Halbleitermaterials mit einem Passivierungsmittel. Das Verfahren beinhaltet ferner das Ausbilden einer ersten Region in der Halbleiterschicht durch Einführen eines Dotierungsmittels in das Halbleitermaterial; und das Ausbilden einer chalkogenreichen Region. Das Verfahren beinhaltet ferner das Ausbilden einer zweiten Region in der Halbleiterschicht, wobei die zweite Region ein Dotierungsmittel aufweist, wobei die durchschnittliche Atomkonzentration des Dotierungsmittels in der zweiten Region größer ist als eine durchschnittliche Atomkonzentration des Dotierungsmittels in der ersten Region. Es werden außerdem photovoltaische Vorrichtungen vorgelegt.

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