公开(公告)号：DE102015120493A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Vorgehensweisen für eine Silicium-Photonik-Integration bereitgestellt. Ein Verfahren beinhaltet: Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum; thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht; und Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials. Die konforme abdichtende Schicht ist so konfiguriert, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet. Der Photodetektor und die zumindest eine Einheit befinden sich auf einem gleichen Substrat. Die zumindest eine Einheit beinhaltet eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit oder eine passive Photonik-Einheit.

公开(公告)号：GB2495437B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：GB201300364

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  ASSEFA SOLOMON ,  KIM JEE HWAN ,  VLASOV YURIL

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

公开(公告)号：DE112011102241B4

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE112011102241

申请日：2011-06-21

Applicant: IBM

Inventor： PARK JIN-HONG ,  KIM JEE HWAN ,  ASSEFA SOLOMON ,  VLASOV YURII

IPC: H01L31/102

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Isolatorschicht auf einem Substrat; Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats; Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht; Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht; Strukturieren der n-Ge-Schicht; Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht; Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt; und Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.

公开(公告)号：DE102015120493B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L31/173

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum;thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht;Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials, wobei das Bilden der konformen abdichtenden Schicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer schnellen thermischen chemischen Gasphasenabscheidung aufweist;Bilden einer Barrierenschicht sowohl auf einem ersten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über dem Photodetektor als auch auf einem zweiten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über einem Laser-Gitter-Koppler, wobei das Bilden der Barrierenschicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung aufweist; undselektives Entfernen eines Teilbereichs der Barrierenschicht von dem Gebiet über dem Laser-Gitter-Koppler,wobei die konforme abdichtende Schicht so konfiguriert ist, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet,sich der Photodetektor und die zumindest eine Einheit auf einem gleichen Substrat befinden; unddie zumindest eine Einheit eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit und dem Laser-Gitter-Koppler aufweist.

公开(公告)号：GB2526960A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：GB201514364

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: H01L31/0232

Abstract: A method of forming an integrated photonic semiconductor structure having a photodetector and a CMOS device may include forming the CMOS device on a first silicon-on-insulator region, forming a silicon optical waveguide on a second silicon- on-insulator region, and forming a shallow trench isolation (STI) region surrounding the silicon optical waveguide such that the shallow trench isolation electrically isolating the first and second silicon-on-insulator region. Within a first region of the STI region, a first germanium material is deposited adjacent a first side wall of the semiconductor optical waveguide. Within a second region of the STI region, a second germanium material is deposited adjacent a second side wall of the semiconductor optical waveguide, whereby the second side wall opposes the first side wall. The first and second germanium material form an active region that evanescently receives propagating optical signals from the first and second side wall of the semiconductor optical waveguide.

公开(公告)号：DE112014000444T5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000444

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  H01L31/0745

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer integrierten photonischen Halbleiterstruktur mit einem Photodetektor und einem CMOS-Bauteil kann das Ausbilden des CMOS-Bauteils auf einem ersten Silizium-auf-Isolator-Gebiet, das Ausbilden eines Siliziumlichtwellenleiters auf einem zweiten Silizium-auf-Isolator-Gebiet und das Ausbilden eines Flachen-Graben-Isolations(Shallow Trench Isolation, STI)-Gebietes um den Siliziumlichtwellenleiter aufweisen, sodass die Flache-Graben-Isolation das erste und zweite Silizium-auf-Isolator-Gebiet elektrisch isoliert. In einem ersten Gebiet des ersten STI-Gebiets wird ein erstes Germanium-Material angrenzend an eine erste Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden. In einem zweiten Gebiet des STI-Gebiets wird ein zweites Germanium-Material angrenzend an eine zweite Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden, wobei die zweite Seitenwand der ersten Seitenwand gegenüberliegt. Das erste und zweite Germanium-Material bilden ein aktives Gebiet, das in evaneszenter Weise sich ausbreitende optische Signale von der ersten und zweiten Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters empfängt.