公开(公告)号：GB2485486B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

公开(公告)号：DE112010003451T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010003451

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es wird ein Verfahren zum selektiven Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren beschrieben, wobei das Verfahren folgende Schritte beinhaltet: Bilden einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht; Bilden einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht, die Flächen der Seitenwände und des Bodens des Durchgangskontaktes beinhaltet; und Abtragen der aktiven Metallschicht von Teilen der oberen Fläche mittels eines Ionenstrahls, um das selektive Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren innerhalb des Durchgangskontaktes zu ermöglichen.

公开(公告)号：GB2485486A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: A method of selectively growing one or more carbon nano-tubes includes forming an insulating layer (10) on a Substrate (12), the insulating layer having a top surface (14); forming a via (18) in the insulating layer; forming an active metal layer (30) over the insulating layer, including sidewall and bottom surfaces of the via; and removing the active metal layer at portions of the top surface with an ion beam to enable the selective growth of one or more carbon nano-tubes inside the via.

公开(公告)号：AT364860T

公开(公告)日：2007-07-15

申请号：AT01993186

申请日：2001-11-30

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  CHAUDHARI PRAVEEN ,  DOANY FUAD E ,  DOYLE JAMES ,  GALLIGAN EILEEN ,  HOUGHAM GARETH ,  GLOWNIA JAMES ,  LACEY JAMES ,  LIEN SHUI-CHIH ,  LU MINHAU ,  ROSENBLUTH ALAN ,  YANG KEI-HSIUNG

IPC: G02F1/1337 ,  B01J19/12 ,  C01B31/02 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

Abstract: A method for preparing an alignment layer surface provides a surface on the alignment layer. The surface is bombarded with ions, and reactive gas is introduced to the ion beam to saturate dangling bonds on the surface. Another method for preparing an alignment layer surface provides a surface on the alignment layer. The surface is bombarded with ions and quenched with a reactive component to saturate dangling bonds on the surface.