Bonden und Debonden von Handhabungsvorrichtungen für Halbleiter-Dies

    公开(公告)号:DE112016004442T5

    公开(公告)日:2018-06-14

    申请号:DE112016004442

    申请日:2016-12-02

    Applicant: IBM

    Abstract: Verschiedene Ausführungsformen verarbeiten Halbeitereinheiten (202, 302). In einer Ausführungsform wird eine Ablösungsschicht (210) auf eine Handhabungsvorrichtung (204) aufgebracht. Die Ablösungsschicht (210) weist mindestens einen Zusatzstoff auf, der eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht (210) einstellt. Der Zusatzstoff weist beispielsweise einen chemischen Absorber für 355 nm und/oder einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich auf, der 600 nm bis 740 nm umfasst. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird eingehaust, während sie an die Handhabungsvorrichtung (204) gebondet ist. Die Ablösungsschicht (210) wird durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die Handhabungsvorrichtung (204) hindurch mit einem Laser (214) abgetragen. Die mindestens eine vereinzelte Halbleitereinheit (202) wird, nachdem die Ablösungsschicht (210) abgetragen wurde, von der transparenten Handhabungsvorrichtung (204) entfernt.

    Verfahren zum Bonden und Debonden von Handhabungsvorrichtungen für Halbleiter-Dies und gebondetes Halbleitergehäuse

    公开(公告)号:DE112016004442B4

    公开(公告)日:2021-03-25

    申请号:DE112016004442

    申请日:2016-12-02

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zum Verarbeiten von Halbleitereinheiten, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Aufbringen (102) einer Ablösungsschicht (210) auf eine transparente Handhabungsvorrichtung (204),Bonden mindestens einer vereinzelten Halbleitereinheit (202) an die transparente Handhabungsvorrichtung,Einhausen (106) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit, während sie an die transparente Handhabungsvorrichtung gebondet ist,Abtragen (110) der Ablösungsschicht durch Bestrahlen der Ablösungsschicht durch die transparente Handhabungsvorrichtung hindurch mit einem Laser (214) undEntfernen (112) der mindestens einen vereinzelten Halbleitereinheit von der transparenten Handhabungsvorrichtung, nachdem die Ablösungsschicht abgetragen wurde,wobei die Ablösungsschicht mindestens ein Zusatzmaterial aufweist undwobei das mindestens eine Zusatzmaterial eine Frequenz einer elektromagnetischen Strahlungsabsorptionseigenschaft der Ablösungsschicht einstellt, wobei:das mindestens eine Zusatzmaterial ein erstes Zusatzmaterial und ein zweites Zusatzmaterial aufweist, wobei es sich bei dem ersten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine Wellenlänge von 355 nm und bei dem zweiten Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich handelt, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und wobei das erste und das zweite Zusatzmaterial jeweils bei einer Temperatur von ≥ 250 °C thermisch stabil sind; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um einen chemischen Absorber für 355 nm in einem Phenoxy-Basismaterial handelt, oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um 2,5-Bis(2-benzimidazolyl)-pyridin handelt; oderes sich bei dem mindestens einen Zusatzmaterial um Folgendes handelt:wobei R Methylcyclohexan oder n-Butyl ist; oderdas mindestens eine Zusatzmaterial chemischer Absorber für eine von mehreren Wellenlängen in einem Bereich ist, der 600 nm bis 740 nm umfasst, und vollständig in Cyclohexanon löslich ist.

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