公开(公告)号：DE112011103052T5

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE112011103052

申请日：2011-10-21

Applicant: IBM

Inventor： LI WAI-KIN ,  CHEN KUANG-JUNG ,  LIU SEN ,  HUANG WU-SONG

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Fotoresist-Zusammensetzung, die für die Negativentwicklung geeignet ist, und ein diese Fotoresist-Zusammensetzung verwendendes Strukturierungsverfahren. Die Fotoresist-Zusammensetzung weist ein Abbildungspolymer und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator auf. Das Abbildungspolymer weist eine erste Monomereinheit mit einer anhängenden säurelabilen Gruppe und eine zweite Monomereinheit auf, die eine reaktive Ethergruppe, eine Isocyanidgruppe oder eine Isocyanatgruppe enthält. Das Strukturierungsverfahren verwendet ein organisches Lösungsmittel als Entwickler, um unbelichtete Regionen einer Fotoresistschicht aus der Fotoresist-Zusammensetzung selektiv zu entfernen und in der Fotoresistschicht eine strukturierte Struktur zu bilden. Die Fotoresist-Zusammensetzung und das Strukturierungsverfahren sind besonders nützlich, um mithilfe der 193-nm-(ArF)-Lithografie auf einem Halbleitersubstrat Materialstrukturen zu bilden.

公开(公告)号：GB2484880B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：GB201203472

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN ,  GOLDFARB DARIO L ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: G03F7/09 ,  G03F9/00

公开(公告)号：DE112010003326T5

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE112010003326

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： LIU SEN ,  GOLDFARB DARIO L ,  HUANG WU-SONG ,  LI WAI-KIN ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: C09B67/10 ,  C08J5/18 ,  C08K5/17 ,  C08L63/00 ,  H01L21/02

Abstract: Härtbare flüssige Formulierung, umfassend wenigstens (i) einen oder mehrere Nahinfrarot-absorbierende Farbstoffe auf Triphenylaminbasis, und (ii) ein oder mehrere Gießlösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch Nahinfrarotabsorbierende Dünnschichten, die aus vernetzten Formen der härtbaren flüssigen Formulierung zusammengesetzt sind. Die Erfindung betrifft auch ein mikroelektronisches Substrat, das eine Schicht der festen, Nahinfrarot-absorbierenden Dünnschicht umfasst, und ein Verfahren zum Strukturieren einer Fotolackschicht, die auf ein mikroelektronisches Substrat geschichtet ist, falls die nahinfrarot-absorbierende Dünnschicht zwischen dem mikroelektronischen Substrat und einer Fotolack-Dünnschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：GB2484880A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：GB201203472

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN ,  GOLDFARB DARIO L ,  VYKLICKY LIBOR ,  GLODDE MARTIN ,  VARANASI PUSHKARA R

IPC: G03F7/09 ,  G03F9/00

Abstract: A curable liquid formulation containing at least (i) one or more near-infrared absorbing triphenylamine -based dyes, and (ii) one or more casting solvents. The invention is also directed to solid near- infrared absorbing films composed of crosslinked forms of the curable liquid formulation. The invention is also directed to a microelectronic substrate containing a coating of the solid near-infrared absorbing film as well as a method for patterning a photoresist layer coated on a microelectronic substrate in the case where the near-infrared absorbing film is between the microelectronic substrate and a photoresist film.

公开(公告)号：GB2517324B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：GB201419648

申请日：2013-06-27

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HOLMES STEVEN ,  HUANG WU-SONG ,  KWONG RANEE WAI-LING ,  LIU SEN

IPC: G02B1/11 ,  B32B7/02 ,  C09D133/00 ,  G03F7/004

Abstract: The present invention relates to a developable bottom antireflective coating (BARC) composition and a pattern forming method using the BARC composition. The BARC composition includes a first polymer having a first carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing alicyclic moiety, and a first chromophore moiety; a second polymer having a second carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing acyclic moiety, and a second chromophore moiety; a crosslinking agent; and a radiation sensitive acid generator. The first and second chromophore moieties each absorb light at a wavelength from 100 nm to 400 nm. In the patterning forming method, a photoresist layer is formed over a BARC layer of the BARC composition. After exposure, unexposed regions of the photoresist layer and the BARC layer are selectively removed by a developer to form a patterned structure in the photoresist layer. The BARC composition and the pattern forming method are especially useful for implanting levels.

公开(公告)号：GB2486851B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：GB201206101

申请日：2011-01-07

Applicant: IBM

Inventor： LIU SEN ,  VARANASI PUSHKARA

IPC: G03F7/004

公开(公告)号：DE112011100086T8

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：DE112011100086

申请日：2011-01-07

Applicant: IBM

Inventor： VARANASI PUSHKARA ,  LIU SEN

IPC: G03F7/004

公开(公告)号：DE112011100086T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112011100086

申请日：2011-01-07

Applicant: IBM

Inventor： VARANASI PUSHKARA ,  LIU SEN

IPC: G03F7/004

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen fluorfreien Fotosäuregenerator (PAG) und eine Fotoresist-Zusammensetzung, die ihn enthält. Der PAG ist durch das Vorhandensein einer Oniumkation-Komponente und einer fluorfreien, anionischen heteroaromatischen Sulfonat-Komponente mit kondensierten Ringen und einem oder mehreren elektronenziehenden Substituenten gekennzeichnet. Die Oniumkation-Komponente des PAG ist vorzugsweise ein Sulfonium- oder ein Iodonium-Kation. Die Fotoresist-Zusammensetzung enthält ferner ein säureempfindliches Bildgebungspolymer. Die Fotoresist-Zusammensetzung ist besonders zum Bilden von Materialstrukturen auf einem Halbleitersubstrat unter Verwendung von 193-nm-(ArF)-Lithographie verwendbar.

公开(公告)号：GB2486102B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：GB201203634

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

公开(公告)号：DE112013003188T5

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE112013003188

申请日：2013-06-27

Applicant: IBM

Inventor： LIU SEN ,  CHEN KUANG-JUNG ,  HOLMES STEVEN ,  HUANG WU-SONG ,  KWONG RANEE WAI-LING

IPC: G02B1/11 ,  B32B7/02 ,  G03F7/004

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Zusammensetzung einer entwickelbaren untenliegenden Antireflexbeschichtung (BARC-Zusammensetzung) und ein Verfahren zum Bilden von Strukturen unter Verwendung der BARC-Zusammensetzung. Die BARC-Zusammensetzung enthält ein erstes Polymer mit einer ersten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden alicyclischen Einheit und einer ersten chromophoren Einheit; ein zweites Polymer mit einer zweiten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden acyclischen Einheit und einer zweiten chromophoren Einheit; ein Vernetzungsmittel; und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator. Die erste und die zweite chromophore Einheit absorbieren jeweils Licht mit einer Wellenlänge von 100 nm bis 400 nm. Bei dem Verfahren zum Bilden von Strukturen wird eine Photoresistschicht über einer BARC-Schicht aus der BARC-Zusammensetzung gebildet. Nach dem Exponieren werden nichtexponierte Bereiche der Photoresistschicht und der BARC-Schicht selektiv durch einen Entwickler entfernt, um eine strukturierte Struktur in der Photoresistschicht zu bilden. Die BARC-Zusammensetzung und das Verfahren zum Bilden von Strukturen sind besonders für Implantationsebenen verwendbar.