公开(公告)号：SG174129A1

公开(公告)日：2011-10-28

申请号：SG2011057288

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

Abstract: A method of forming a device includes providing a substrate, forming an interfacial layer on the substrate, depositing a high-k dielectric layer on the interfacial layer, depositing an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer and performing an anneal. A high-k metal gate transistor includes a substrate, an interfacial layer on the substrate, a high-k dielectric layer on the interfacial layer and an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer.

公开(公告)号：MX2011008338A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：MX2011008338

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

IPC: H01L21/336

Abstract: El método para formar un dispositivo incluye proporcionar un sustrato, formar una capa interfacial sobre el sustrato, depositar una capa dieléctrica de k alta sobre la capa interfacial, depositar una capa depuradora de oxígeno sobre la capa dieléctrica de k alta y efectuar un recocido. Un transistor de compuerta de metal de k alta incluye un sustrato, una capa interfacial sobre el sustrato, una capa dieléctrica de k alta sobre la capa interfacial y una capa depuradora de oxígeno sobre la capa dieléctrica de k alta.

公开(公告)号：AT219292T

公开(公告)日：2002-06-15

申请号：AT93480154

申请日：1993-10-05

Applicant: IBM

Inventor： JENG SHWU-JEN ,  NATZLE WESLEY C ,  YU CHIENFAN

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: New device and method are described for accurate etching and removal of thin layer by controlling the surface residence time, thickness and composition of reactant containing film. Etching of silicon dioxide at low pressure using a quartz crystal microbalance is illustrated. Usefulness of the invention in the manufacture of microelectronic devices is shown.