公开(公告)号：CA2719684A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：CA2719684

申请日：2009-06-04

Applicant: IBM

Inventor： JAFFE MARK D ,  GAMBINO JEFFREY P ,  LEIDY ROBERT K ,  MUSANTE CHARLES F ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/00

Abstract: A plurality of image sensor structures and a plurality of methods for fabricating the plurality of image sensor structures provide for inhibited cracking and delamination of a lens capping layer (22) with respect to a planarizing layer (18) within the plurality of image sensor structures. Particular image sensor structures and related methods include at least one dummy lens layer (20') of different dimensions than active lens layer (20) located over a circuitry portion (Rl) of a substrate within the particular image sensor structures. Additional particular image sensor structures include at least one of an aperture (A) within the planarizing layer and a sloped endwall of the planarizing layer located over a circuitry portion (Rl) within the particular image sensor structures.

公开(公告)号：DE112010003239B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Bildsensor-Pixelstruktur, welche ein Halbleitersubstrat umfasst, das eine Struktur flacher Grabenisolierungen und einen Halbleitermaterialabschnitt umfasst, wobei die Struktur flacher Grabenisolierungen seitlich den Halbleitermaterialabschnitt umschließt, der Halbleitermaterialabschnitt eine zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden, vier Kanalzonen und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone umfasst, die zusammenhängende Halbleiterfläche sich über den gesamten Halbleitermaterialabschnitt erstreckt und jede der vier Kanalzonen direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone angrenzt, wobei eine erste und eine dritte der vier Kanalzonen an einer ersten Linie von einer ersten zu einer dritten der vier Photodioden liegen und eine zweite und eine vierte der vier Kanalzonen an einer zweiten Linie von einer zweiten zu einer vierten der vier Photodioden liegen, welche erste und zweite Linien sich in der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone kreuzen.

公开(公告)号：DE112010003704T5

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：DE112010003704

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

Abstract: Pixelsensorzellen, Verfahren zur Herstellung von Pixelsensorzellen und Entwurfsstruktur für Pixelsensorzellen. Die Pixelsensorzellen umfassen das Folgende: einen Photodiodenkörper (150) in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht (100); einen schwebenden Diffusionsknoten (165) in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; und eine dielektrische Isolierung (105) in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112010003239T5

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Eine Pixelstruktur für einen Bildsensor umfasst einen Halbleitermaterialabschnitt (30), welcher eine planare und zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden (30A, 30B, 30C, 30D), vier Kanalzonen (31A, 31B, 31C, 31D) und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone (32) umfasst. Jede der vier Kanalzonen grenzt direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone an. Die vier Photodioden sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O1, 2Q_O1, 3Q_O1, 4Q_O1) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O1) innerhalb der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone führt, als Mittelachse verwendet wird. Die gemeinsame schwebende Diffusionszone, ein Rücksetz-Gate-Transistor (RG), ein Source-Folger-Transistor (SF) und ein Zeilenauswahltransistor (RS) sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O2, 2Q_O2, 3Q_O2, 4Q_O2) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O2) innerhalb einer der Photodioden (30A) führt, als Achse verwendet wird.