公开(公告)号：DE112015004455B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE112015004455

申请日：2015-11-03

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL ,  GELORME JEFFREY ,  WEBB BUCKNELL ,  KANG-I TSANG CORNELIA

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B32B7/12 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren, aufweisend:Bereitstellen einer Laservorrichtung, welche zum Emittieren von UV-Licht einer ausgewählten Wellenlänge konfiguriert ist;Erhalten einer Struktur, welche einen Vorrichtungs-Wafer, eine auf den Vorrichtungs-Wafer geklebte Klebstoffschicht, einen UV-durchlässigen Handling-Wafer und eine Ablationsschicht zwischen dem Handling-Wafer und der Klebstoffschicht aufweist, und welche an die Klebstoffschicht geklebt ist, wobei die Ablationsschicht eine optische Eindringtiefe von 0,1 Mikrometer bis 0,2 Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge aufweist und eine Dicke von mindestens zwei Eindringtiefen aufweist, wobei die Klebstoffschicht eine optische Eindringtiefe von zwei Mikrometer bis zwanzig Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge und eine Dicke von mindestens einer Eindringtiefe aufweist, wobei die Klebstoffschicht darin suspendierte Nanopartikel zum Streuen von UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge und/oder Farbstoff umfasst, welcher Licht der ausgewählten Wellenlänge absorbiert;Bewirken, dass die Laservorrichtung UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge in Richtung der Struktur emittiert und die Ablationsschicht ablatiert, undTrennen des Handling-Wafers von dem Vorrichtungs-Wafer.

公开(公告)号：DE112017000808T5

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE112017000808

申请日：2017-05-23

Applicant: IBM

Inventor： WEBB BUCKNELL ,  ANDRY PAUL

IPC: H01M4/76

Abstract: Batterien und Verfahren zur Bildung derselben beinhalten eine Anoden-Struktur, eine Kathoden-Struktur sowie eine leitfähige Deckschicht. Die Anoden-Struktur beinhaltet ein Anoden-Substrat, eine auf dem Anoden-Substrat ausgebildete Anode sowie einen leitfähigen Anoden-Überzug, der sich mit der Anode in Kontakt befindet. Die Kathoden-Struktur beinhaltet ein Kathoden-Substrat, eine auf dem Kathoden-Substrat ausgebildete Kathode sowie einen leitfähigen Kathoden-Überzug, der sich mit der Kathode in Kontakt befindet. Die leitfähige Deckschicht ist über der Anoden-Struktur und der Kathoden-Struktur so ausgebildet, dass ein Hohlraum abgedichtet wird, der durch die Anoden-Struktur und die Kathoden-Struktur gebildet wird. Zumindest eines von dem Anoden-Substrat und dem Kathoden-Substrat ist von Durchkontakten durchdrungen, die sich in Kontakt mit dem jeweiligen leitfähigen Anoden-Überzug oder leitfähigen Kathoden-Überzug befinden.

公开(公告)号：DE102016221191A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：DE102016221191

申请日：2016-10-27

Applicant: IBM

Inventor： DANG BING ,  FRITZ GREGORY ,  LEWANDOWSKI ERIC ,  MARIA JOANA ,  WEBB BUCKNELL ,  WRIGHT STEVEN

IPC: A61M37/00 ,  B81B1/00

Abstract: Eine digitale biomedizinische Einheit umfasst ein Substrat, welches einen Hohlraum bildet, eine Versiegelung, welche um den Hohlraum herum ausgebildet ist, eine Abdeckung, welche durch die Versiegelung mit dem Substrat verbunden ist, eine reaktive Metallstruktur, welche eine Mehrzahl von Metallschichten aufweist, wobei die reaktive Metallstruktur eine Komponente des Substrats und/oder der Abdeckung ist, eine Metallspur, welche so konfiguriert ist, dass sie eine von selbst fortschreitende Reaktion zwischen der Mehrzahl von Metallschichten der reaktiven Metallstruktur auslöst und Inhalte des Hohlraums freisetzt, und eine Stromversorgung, welche so konfiguriert ist, dass sie einen elektrischen Strom auf die Metallspur anwendet.

公开(公告)号：GB2491446B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：GB201207700

申请日：2012-05-02

Applicant: IBM

Inventor： SHAPIRO MICHAEL JAY ,  LAFONTANT GARY ,  WASSICK THOMAS ANTHONY ,  WEBB BUCKNELL ,  INTERRANTE MARIO

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60

Abstract: A semiconductor structure which includes a plurality of stacked semiconductor chips in a three dimensional configuration. There is a first semiconductor chip in contact with a second semiconductor chip. The first semiconductor chip includes a through silicon via (TSV) extending through the first semiconductor chip; an electrically conducting pad at a surface of the first semiconductor chip, the TSV terminating in contact at a first side of the electrically conducting pad; a passivation layer covering the electrically conducting pad, the passivation layer having a plurality of openings; and a plurality of electrically conducting structures formed in the plurality of openings and in contact with a second side of the electrically conducting pad, the contact of the plurality of electrically conducting structures with the electrically conducting pad being offset with respect to the contact of the TSV with the electrically conducting pad.

公开(公告)号：GB2491446A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：GB201207700

申请日：2012-05-02

Applicant: IBM

Inventor： SHAPIRO MICHAEL JAY ,  LAFONTANT GARY ,  WASSICK THOMAS ANTHONY ,  WEBB BUCKNELL ,  INTERRANTE MARIO

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60

Abstract: The a semiconductor chip 400 includes one or more through silicon vias 410 (TSV) extending through the chip, the via meeting with an electrically conducting pad 416 at the chip surface. A passivation layer 404 covers chip surface and the electrically conducting pad(s) and has a plurality of openings 406 to allow the pad to connect with a electrically conducting structures, such as solder balls 408. The location of the openings is offset with respect to the location 402 of the connection with between the TSV with the electrically conducting pad. The semiconductor chip may have the contacts arranged to allow stacking with a second semiconductor chip in a three dimensional configuration (fig 1). Figures 6 and 7 show how multiple openings reduce current density near the TSV in comparison to a single opening over the TSV, when the openings do not lie over the TSV.