公开(公告)号：AU2002356887A1

公开(公告)日：2004-06-07

申请号：AU2002356887

申请日：2002-10-31

Applicant: IBM

Inventor： LANE MICHAEL W ,  LINIGER ERIC G ,  FITZSIMMONS JOHN A ,  GATES STEPHEN M

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/053

公开(公告)号：DE112014000384B4

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE112014000384

申请日：2014-01-07

Applicant: IBM

Inventor： CHENG TIEN-JEN ,  FAROOQ MUKTA G ,  FITZSIMMONS JOHN A

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden eines Metall-Bonds zwischen einer ersten Metallstruktur und einer zweiten Metallstruktur, das aufweist:Zusammenhalten der ersten Metallstruktur und der zweiten Metallstruktur bei weniger als 350 °C, um ein Metall-Bond an einer Schnittstelle zu bilden, wobei die Schnittstelle einen Metallabscheidungs-Inhibitor in einer ersten Konzentration in wenigstens einer Größenordnung höher als eine zweite Konzentration des Metallabscheidungs-Inhibitors in entweder der ersten Metallstruktur oder der zweiten Metallstruktur aufweist.

公开(公告)号：GB2525351A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：GB201513842

申请日：2014-01-07

Applicant: IBM

Inventor： CHENG TIEN-JEN J ,  FAROOQ MUKTA G ,  FITZSIMMONS JOHN A

IPC: H01L25/065

Abstract: The present invention provides a stabilized fine textured metal microstructure that constitutes a durable activated surface 310 usable for bonding a 3D stacked chip. A fine-grain layer that resists self anneal enables metal to metal bonding at moderate time and temperature and wider process flexibility.

公开(公告)号：AU2002360420A1

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：AU2002360420

申请日：2002-11-22

Applicant: IBM

Inventor： WANG YUN YU ,  GATES STEPHEN ,  AGARWALA BIRENDRA N ,  FITZSIMMONS JOHN A ,  LEE JIA ,  LUSTIG NAFTALI E

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763

Abstract: An advanced back-end-of-line (BEOL) metallization structure is disclosed. The structure includes a diffusion barrier or cap layer having a low dielectric constant (low-k). The cap layer is formed of amorphous nitrogenated hydrogenated silicon cabride, and has a dielectric constant (k) of less than about 5. A method for forming the BEOL metallization structure is also disclosed, where the cap layer is deposited using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE CVD) process. The invention is particularly useful in interconnect structure comprising low-k dielectric material for the inter-layer dielectric (ILD) and copper for the conductors.