公开(公告)号：DE102013211943A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211943

申请日：2013-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERRMANN MATTHIAS FRIEDRICH ,  KRUMBEIN ULRICH ,  BARZEN STEFAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  FRIZA WOLFGANG ,  WURZER MARTIN

IPC: B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Eine MEMS-Struktur umfasst eine Rückplatte, eine Membran und eine einstellbare Ventilationsöffnung, die dafür ausgelegt ist, eine Druckdifferenz zwischen einem in Kontakt mit der Membran stehenden ersten Raum und einem in Kontakt mit einer entgegengesetzten Seite der Membran stehenden zweiten Raum zu verringern. Die einstellbare Ventilationsöffnung wird als Funktion der Druckdifferenz zwischen dem ersten Raum und dem zweiten Raum passiv betätigt.

公开(公告)号：DE10221660B4

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：DE10221660

申请日：2002-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC

IPC: B81B3/00 ,  H04R19/00 ,  H04R19/04

公开(公告)号：DE102014216749B4

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102014216749

申请日：2014-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: MEMS-Bauelement (10), das Folgendes umfasst:eine Rückwandelektrode (12), welche eine Segmentierung (12S) umfasst; eine zweite Rückwandelektrode (14), welche eine Segmentierung (14S) umfasst, wobei die Rückwandelektrode (12) und die zweite Rückwandelektrode (14) parallel zueinander angeordnet sind; undeine Membran (16), die in einem Abstand von der Rückwandelektrode (12) und der zweiten Rückwandelektrode (14) angeordnet ist, wobei die Membran (16) einen verdrängbaren Abschnitt und einen unbeweglichen Abschnitt umfasst;wobei die Rückwandelektrode (12) und die Membran (16) so angeordnet sind, dass ein Überlappungsbereich des unbeweglichen Abschnitts der Membran (16) mit der Rückwandelektrode (12) weniger als maximal überlappend ist, wobei die Segmentierung (12S) der Rückwandelektrode (12) eine elektrische Isolierung zwischen einem aktiven Rückwandabschnitt (12ABP) und einem weiteren Rückwandabschnitt (12FBP) bildet, wobei der aktive Rückwandabschnitt (12ABP) dem verdrängbaren Abschnitt der Membran (16) zugewandt ist, wobeidie Segmentierung (14S) der zweiten Rückwandelektrode (14) eine elektrische Isolierung zwischen einem aktiven Rückwandabschnitt (14ABP) und einem weiteren Rückwandabschnitt (14FBP) bildet, wobei der aktive Rückwandabschnitt (14ABP) dem verdrängbaren Abschnitt der Membran (16) zugewandt ist, wobei die Rückwandelektrode (12) und die zweite Rückwandelektrode (14) jeweils eine Bondungsschicht (12B, 14B) umfassen und die Bondungsschichten (12B, 14B) derart angeordnet sind, dass die Bondungsschichten (12B, 14B) die aktiven Rückwandabschnitte (12ABP, 14ABP) an den weiteren Rückwandabschnitten (13FBP, 14FBP) stützen.

公开(公告)号：DE102015122781B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102015122781

申请日：2015-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  FUELDNER MARC ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Kondensatormikrophon (100), umfassend:eine Membran (304); eine erste perforierte Rückplatte (306);eine zweite perforierte Rückplatte (802), die auf einer Seite der Membran angeordnet ist, die einer Seite der Membran, auf der die erste perforierte Rückplatte angeordnet ist, entgegengesetzt ist;ein Gehäuse aufweisend eine Schallöffnung, wobei das Gehäuse um die Membran, die erste perforierte Rückplatte und die zweite perforierte Rückplatte herum bereitgestellt ist;eine erste Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, und eine zweite Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (306) angeordnet ist, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist;eine dritte Isolierschicht, die auf einer, der Membran (304) zugewandten ersten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, und eine vierte Isolierschicht, die auf einer zweiten Seite der zweiten Rückplatte angeordnet ist, die der ersten Seite der zweiten Rückplatte entgegengesetzt ist;wobei weitere Isolierschichten auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der ersten perforierten Rückplatte (306) angeordnet sind und mindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdecken; undwobei Isoliermaterial auf jeder äußeren Wand von mindestens einem aus einer Vielzahl an Perforationslöchern in der zweiten perforierten Rückplatte angeordnet ist undmindestens einen jeweiligen Abschnitt jeder äußeren Wand, der der Membran am nächsten ist, abdeckt.

公开(公告)号：DE102017103621A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102017103621

申请日：2017-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bilden einer Isoliergrabenstruktur, umfassend ein Isoliermaterial, die sich in das Halbleitersubstrat von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats erstreckt. Die Isoliergrabenstruktur umgibt lateral einen Abschnitt des Halbleitersubstrats. Das Verfahren umfasst ferner ein Modifizieren des lateral umgebenen Abschnitts des Halbleitersubstrats, um eine vertikale, elektrisch leitfähige Struktur zu bilden, die ein Legierungsmaterial umfasst. Das Legierungsmaterial ist eine Legierung des Halbleitersubstratmaterials und zumindest eines Metalls.

公开(公告)号：DE102016114454A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102016114454

申请日：2016-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN

IPC: H04R19/02 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00 ,  H04R3/00

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Betreiben eines Lautsprechers mit einer Schallpumpe: Generieren eines Trägersignals mit einer ersten Frequenz durch Anregen der Schallpumpe mit der ersten Frequenz und Generieren eines Schallsignals mit einer zweiten Frequenz durch Verstellen des Trägersignals. Bei derartigen Ausführungsformen liegt die erste Frequenz außerhalb eines hörbaren Frequenzbereichs und die zweite Frequenz liegt innerhalb des hörbaren Frequenzbereichs. Das Verstellen des Trägersignals beinhaltet das Durchführen von Verstellungen an dem Trägersignal mit der zweiten Frequenz. Andere Ausführungsformen beinhalten entsprechende Systeme und Vorrichtungen, die jeweils konfiguriert sind zum Durchführen entsprechender Ausführungsform-Verfahren.

公开(公告)号：DE102016114451A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102016114451

申请日：2016-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält ein MEMS-Umformer einen Stator, einen vom Stator beabstandeten Rotor und eine Mehrelektrodenstruktur mit Elektroden mit unterschiedlichen Polaritäten. Die Mehrelektrodenstruktur wird an einem des Rotors und des Stators ausgebildet und ist konfiguriert zum Generieren einer abstoßenden elektrostatischen Kraft zwischen dem Stator und dem Rotor. Andere Ausführungsformen enthalten entsprechende Systeme und Vorrichtungen, die jeweils konfiguriert sind zum Durchführen entsprechender Ausführungsformverfahren.

公开(公告)号：DE102015122781A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：DE102015122781

申请日：2015-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARZEN STEFAN ,  BROCKMEIER ANDRE ,  FRIZA WOLFGANG ,  FUELDNER MARC ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/12 ,  H04R19/04

Abstract: Ein Kondensatormikrophon (100) kann ein Gehäuse, eine Membran (110) und eine erste Rückplatte (120) umfassen, wobei eine erste Isolierschicht auf einer, der Membran (110) zugewandten ersten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, und eine zweite Isolierschicht auf einer zweiten Seite der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein kann, die der ersten Seite der ersten Rückplatte (120) entgegengesetzt ist. Eine weitere Isolierschicht kann auf einer Seitenwand von mindestens einem aus einer Vielzahl von Perforationslöchern in der ersten Rückplatte (120) angeordnet sein. Jede leitfähige Oberfläche der ersten Rückplatte (120) kann mit Isoliermaterial bedeckt sein.

公开(公告)号：DE102013203379A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102013203379

申请日：2013-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERZUM CHRISTIAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  WURZER MARTIN ,  BARZEN STEFAN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H04R19/04

Abstract: Es werden eine abstimmbare Mikroelektromechanisches-System-(MEMS-)Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer abstimmbaren MEMS-Vorrichtung offenbart. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung ein Substrat, eine bewegliche Elektrode und eine Gegenelektrode. Die bewegliche Elektrode oder die Gegenelektrode umfasst eine erste Region und eine zweite Region, worin die erste Region von der zweiten Region isoliert ist, worin die erste Region abstimmbar ist, worin die zweite Region ein Messsignal bereitstellen oder ein System steuern kann und worin die bewegliche Elektrode und die Gegenelektrode mechanisch mit dem Substrat verbunden sind.

公开(公告)号：DE102006055147B4

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：DE102006055147

申请日：2006-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  BARZEN STEFAN ,  FUELDNER MARC

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01L11/04 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00