公开(公告)号：DE10257681B4

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：DE10257681

申请日：2002-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: The document explains, inter alia, a method in which a titanium nitride layer is removed by wet chemical means ( 106 ). Following removal of the titanium nitride, further metallization strata are produced ( 114 ). The result is an integrated circuit arrangement having connections which have a low electrical resistance. The circuit arrangement is particularly suitable for the purpose of switching high powers.

公开(公告)号：DE102004057238B4

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：DE102004057238

申请日：2004-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOELLNER REINHARD ,  HARTNER WALTER ,  BUSCH JOERG

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/52

公开(公告)号：DE102005020806A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：DE102005020806

申请日：2005-05-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BUSCH JOERG ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

Abstract: The chip has an intermediate oxide layer (1) formed between an upper conductor consisting of aluminum and a lower conductor, and a silicon oxide layer (3) provided on the intermediate oxide layer (1) and the upper conductor (2). A passivation layer (5) made of silicon carbide having high breaking point/tensile strength is provided on the silicon oxide layer, where the thickness of the passivation layer is 100-1,000 nanometer.

公开(公告)号：DE102004057238A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：DE102004057238

申请日：2004-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOELLNER REINHARD ,  HARTNER WALTER ,  BUSCH JOERG

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/52

Abstract: Semiconductor component comprises a passivation layer (6) over a semiconductor body (1) with a crack-forming structure (10,11) between them that encourages formation of cracks at defined positions (14) within the passivation layer when mechanical stresses arise within the layer.

公开(公告)号：DE102011052952A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011052952

申请日：2011-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/115

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements offenbart. Das Verfahren weist das Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (120) über einem Substrat (100) auf. Die erste leitfähige Schicht (120) besitzt eine obere Oberfläche (122) und Seitenwände (121), wobei die erste leitfähige Schicht (120) einen Überhang (127) aus einem nichtleitfähigen Material (125) entlang den Seitenwänden (121) aufweist. Das Verfahren weist ferner das Bilden einer isolierenden Schicht (130) auf der ersten leitfähigen Schicht (120) und das Bilden einer Opferschicht (140) über der isolierenden Schicht (130) und dem Überhang (127) der ersten leitfähigen Schicht auf (120). Die Opferschicht (140) wird teilweise entfernt, wobei ein Rest (142) der Opferschicht (140) unter dem Überhang (127) verbleibt, und es wird eine zweite leitfähige Schicht (150) auf der isolierenden Schicht (130) gebildet.

公开(公告)号：DE102010003129A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：DE102010003129

申请日：2010-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

IPC: H01L41/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L41/047

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat umfasst die Schritte des Bildens einer Schichtstruktur auf dem Substrat, des Bildens einer Hilfsschicht auf der Schichtstruktur, des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Hilfsschicht und auf dem Substrat, des Freilegens der Hilfsschicht durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess und des Entfernens der Hilfsschicht zumindest teilweise, um eine planare Oberfläche der verbleibenden Hilfsschicht oder der Schichtstruktur und der Planarisierungsschicht zu bilden. Der chemisch-mechanische Polierprozess umfasst eine erste Entfernungsrate bezüglich der Planarisierungsschicht und eine zweite Entfernungsrate bezüglich der Hilfsschicht und die erste Entfernungsrate ist größer als die zweite Entfernungsrate.

公开(公告)号：DE102006035875A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：DE102006035875

申请日：2006-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDEMANN GEORG ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/8246