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公开(公告)号：DE102005009164B4
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：DE102005009164
申请日：2005-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PAPE HEINZ , MARTIN ANDREAS
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公开(公告)号：DE59711922D1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：DE59711922
申请日：1997-07-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MARTIN ANDREAS , HUB WALTER , KOLBESEN BERND
IPC: H01L21/304 , C11D3/39 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/50 , H01L21/306
Abstract: The present invention concerns aqueous cleaning solutions for semiconductor substrates principally comprising a base, hydrogen peroxide and a complex-forming agent, the latter being formed by heterocyclic hydrocarbons with a ring size comprising a minimum of 9 and a maximum of 18 atoms and at least 3 heteroatoms, e.g. nitrogen, oxygen, sulphur. In the case of nitrogenated cryptands, these may also be formed with functionally reactive groups and/or aliphatic bridges between the nitrogen atoms (cage structures).
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公开(公告)号：DE10135805A1
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：DE10135805
申请日：2001-07-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ASAM WILHELM , FAZEKAS JOSEF , HAGEN JOCHEN VON , MARTIN ANDREAS , SMEETS DAVID
IPC: G01R31/28 , G01R31/3173 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/58 , H01L21/68
Abstract: Device for measuring the reliability of integrated semiconductor elements has a support substrate (1) for receipt of the integrated semiconductor element (HBE), a heating element (HE) for heating the semiconductor element and a temperature sensor (TS) for measuring its temperature. The temperature sensor is formed at least partially from an interference element of the semiconductor element itself. An Independent claim is made for a method for measuring the reliability of an integrated semiconductor circuit wherein a measurement mode is implemented and the element heated, followed by a stress mode wherein the semiconductor element is heated and stressed simultaneously and the failure point of the circuit is determined dependent on the applied temperature.
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公开(公告)号：DE102008058837B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102008058837
申请日：2008-11-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEINRIGS WOLFGANG , HODEL UWE DR , MARTIN ANDREAS
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: Halbleitereinrichtung (100, 200), aufweisend:ein Array (102, 202), wobei das Array (102, 202) mindestens einen ersten Bereich (104, 204) und mindestens einen zweiten Bereich (106, 206) aufweist, wobei der mindestens eine erste Bereich (104, 204) mindestens eine einen in einer ersten Richtung orientierten Stromfluss aufweisende erste Einrichtung (110a, 210a) aufweist, wobei der mindestens eine zweite Bereich (106, 206) mindestens eine einen in einer zweiten Richtung orientierten Stromfluss aufweisende zweite Einrichtung (110b, 210b) aufweist, wobei die zweite Richtung von der ersten Richtung verschieden ist, wobei jede der mindestens einen ersten Einrichtung (110a, 210a) und der mindestens einen zweiten Einrichtung (110b, 210b) einen Transistor aufweisen, wobei der Transistor aufweist:eine erste Wanne (120, 220), die einen ersten Dotierungstyp aufweist,eine zweite Wanne (118, 218), die einen zweiten Dotierungstyp entgegengesetzt zur ersten Wanne (120, 220) aufweist, und die lateral angrenzend an die erste Wanne (120, 220) angeordnet ist, wobei die erste Wanne (120, 220) und die zweite Wanne (118, 218) einen ersten p-n-Übergang teilen,eine dritte Wanne (116), die den ersten Dotierungstyp aufweist und die unterhalb der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist, wobei die dritte Wanne (116) mit der zweiten Wanne (118, 218) überlappt und einen zweiten p-n-Übergang mit der zweiten Wanne (118, 218) formt,einen ersten Grabenisolationsbereich (132), der in der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist,einen zweiten Grabenisolationsbereich (126), der in der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist,einen Bodykontakt (B), der in der ersten Wanne angeordnet ist,einen Sourcekontakt (S), der in der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist und durch den ersten Grabenisolationsbereich (132) von dem Bodykontakt (B) isoliert ist,einen Drainkontakt (D), der in der zweiten Wanne (118, 218) angeordnet ist, wobei der zweite Grabenisolationsbereich (126) zwischen dem ersten p-n-Übergang und dem Drainkontakt (D) angeordnet ist,einen ersten Gatekontakt (G1), der über einem Abschnitt der ersten Wanne (120, 220) angeordnet ist,einen zweiten Gatekontakt (G2), der über einem Abschnitt der ersten Wanne (120, 220), dem Übergang (122a), einem Abschnitt der zweiten Wanne (118, 218) und einem Abschnitt des zweiten Grabenisolationsbereichs (126) angeordnet ist, wobei der erste Gatekontakt (G1) und der zweite Gatekontakt (G2) physikalisch getrennt sind und parallel verlaufen, wobei der erste Gatekontakt (G1) der mindestens einen ersten Einrichtung (110a, 210a) entlang der zweiten Richtung verläuft und der erste Gatekontakt (G1) der mindestens einen zweiten Einrichtung (110b, 210b) entlang der ersten Richtung verläuft, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der ersten Richtung verläuft, wobei die dritte Wanne (116) mit einem Randbereich der ersten Wanne (120, 220) nahe des ersten p-n-Übergangs überlappt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018128881A1
公开(公告)日：2020-05-20
申请号：DE102018128881
申请日：2018-11-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BECKMEIER DANIEL , MARTIN ANDREAS
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) bereitgestellt sein oder werden zum computergestützten Charakterisieren eines Schaltkreises (400), der eine Halbleiterschicht (202) und einen in der Halbleiterschicht (202) elektrisch isoliert eingebetteten Halbleiterbauelementbereich (204) aufweist, wobei der Halbleiterbauelementbereich (204) optional mit einer zu schützenden dielektrischen Schichtstruktur gekoppelt ist; das Verfahren aufweisend: Ermitteln einer Angabe (1602), welche eine Stärke einer elektrischen Aufladung des Halbleiterbauelementbereichs (204) von einem Herstellungsprozess, mittels dessen der Schaltkreis (400) hergestellt wird, gegenüber der Halbleiterschicht (202) repräsentiert, wobei beim Ermitteln der Angabe (1602) ein körperlicher Aufbau des Halbleiterbauelementbereichs (204) berücksichtigt wird; und Klassifizieren des Halbleiterbauelementbereichs (204) unter Berücksichtigung der Angabe (1602).
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公开(公告)号：DE102017123508A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：DE102017123508
申请日：2017-10-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MARTIN ANDREAS , BECKMEIER DANIEL
Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100, 200, 300) zum computergestützten Charakterisieren eines Schaltkreises (400), der eine Schutz-Schaltkreisstruktur (404) und ein zu schützendes Bauelement aufweist, welches von einem Herstellungsprozess (1300), mittels dessen der Schaltkreis (400) hergestellt wird, elektrisch aufgeladen wird, Folgendes aufweisend: Ermitteln (101) der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) für das zu schützende Bauelement, wobei die Schutz-Schaltkreisstruktur (404) elektrisch mit dem zu schützenden Bauelement verbunden ist; Ermitteln (103) einer Angabe, welche ein Vermögen der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) repräsentiert, einer elektrischen Aufladung des zu schützenden Bauelements während des Herstellungsprozesses (1300) entgegenzuwirken, wobei beim Ermitteln der Angabe ein körperlicher Aufbau und/oder eine Verschaltung der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) berücksichtigt wird; und Klassieren (107) des zu schützenden Bauelements unter Berücksichtigung der Angabe.
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公开(公告)号：DE102008058837A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：DE102008058837
申请日：2008-11-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HEINRIGS WOLFGANG , HODEL UWE , MARTIN ANDREAS
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：DE102005009164A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：DE102005009164
申请日：2005-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PAPE HEINZ , MARTIN ANDREAS
Abstract: The connector surface has a heater structure (1) for testing electrical connection between the surface and an electrical connecting unit. The heater structure is electrically isolated from the surface and includes metallic conducting paths (10). The conducting paths surround the surface at its edges and are arranged meander shaped under the surface. The heater structure is formed from insulation and metal layers sequence. An independent claim is also included for a method of manufacturing and operating a contact connector surface.
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公开(公告)号：DE10132641A1
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：DE10132641
申请日：2001-07-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FAZEKAS JOSEF , MARTIN ANDREAS
IPC: H01L23/485 , H01L23/58 , H01L23/62 , H01L23/522
Abstract: Semiconductor arrangement comprises a substrate (101) with an electrically active region; an insulating region (105) made from a dielectric arranged on the electrically active region; an electrically conducting region arranged on the insulating region; an electrically conducting supply lead connected to the electrically conducting region; an auxiliary strip conductor arranged next to the supply lead; and a highly doped region with doping atoms of a first conductivity connected to the strip conductor. An Independent claim is also included for the production of a semiconductor arrangement. Preferably the device also comprises a source region (102) of a field effect element; and a drain region (103) of a field effect region. An active region is arranged between the source and drain regions and forms a channel region (104). The electrically conducting region forms a gate region of a field effect element.
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