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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008039732A1

    公开(公告)日：2009-04-09

    申请号：DE102008039732

    申请日：2008-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HODEL UWE ,  BAUMGARTNER PETER

    IPC: H01L23/60 ,  H01L21/822

    Abstract: Embodiments of the invention relate to semiconductor manufacturing process charge protection circuits, integrated circuits and to methods for manufacturing a semiconductor manufacturing process charge protection circuit. In an embodiment of the invention, a charge protection circuit includes a first terminal coupled to a charge receiving region, a second terminal providing a discharge path, and a rectifying circuit coupled between the first terminal and the second terminal, the rectifying circuit including at least two anti-parallel coupled rectifying components.

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004052868B4

    公开(公告)日：2007-02-08

    申请号：DE102004052868

    申请日：2004-11-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STREIBL MARTIN ,  TIEBOUT MARC ,  KIENMAYER CHRISTOPH ,  HODEL UWE ,  BENETIK THOMAS

    IPC: H01L23/60 ,  G11C7/10 ,  H03H7/00

    Abstract: Integrated circuit arrangement having first and second signal input pads, to which a differential input signal is applied, and first and second signal outputs, at which a differential output signal is provided. The first signal output is coupled to the first signal input pad and the second signal output is coupled to the second signal input pad. A first capacitance is between the first and second signal input pads. First and second inductances are connected in series, are between the first and second signal input pads, and are connected in parallel with the first capacitance. A first terminal is at a first supply potential and a second terminal is at a second supply potential. A first electrostatic discharge element is between the first and second terminals. A second electrostatic discharge element is between the first terminal, on the one hand, and the first and second inductances, on the other hand.

    LDMOS-Vorrichtungen und Verfahren zum Ausbilden eines Grabenisolationsbereichs in einer LDMOS-Vorrichtung
    3.
    发明专利
    LDMOS-Vorrichtungen und Verfahren zum Ausbilden eines Grabenisolationsbereichs in einer LDMOS-Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102010037889B4

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：DE102010037889

    申请日：2010-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CALABRESE GIOVANNI ,  HODEL UWE ,  MOLZER WOLFGANG ,  SIPRAK DOMAGOJ

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: LDMOS-Vorrichtung (100), die aufweist: • einen ersten dotierten Bereich (102) innerhalb eines Halbleitersubstrats (104), der als erweiterter Drainbereich eingerichtet ist; • einen Grabenisolationsbereich (106), wobei der Grabenisolationsbereich (106) ein Rauschverringerungsmittel aufweist und wobei der Grabenisolationsbereich (106) einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt aufweist, wobei der erste Abschnitt zwischen dem Halbleitersubstrat (104) und dem zweiten Abschnitt liegt und wobei zumindest der erste Abschnitt das Rauschverringerungsmittel aufweist; und • einen zweiten dotierten Bereich (110) zwischen dem ersten dotierten Bereich (102) und dem Grabenisolationsbereich (106), wobei der Grabenisolationsbereich (106) und der zweite dotierte Bereich (110) zumindest teilweise innerhalb des ersten dotierten Bereichs (102) ausgebildet sind; • wobei sich ein Raumladungsbereich (118) zwischen dem zweiten dotierten Bereich (110) und dem ersten dotierten Bereich (102) erstreckt und den LDMOS-Stromfluss vom Grabenisolationsbereich (106) trennt.

    Elektronischer Schaltkreis und elektronische Schaltkreis-Anordnung
    7.
    发明专利
    Elektronischer Schaltkreis und elektronische Schaltkreis-Anordnung 未知

    公开(公告)号：DE102009005120A1

    公开(公告)日：2010-07-22

    申请号：DE102009005120

    申请日：2009-01-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HODEL UWE ,  LEUSCHNER STEPHAN ,  MUELLER JAN-ERIK

    IPC: H03F1/22 ,  H01L27/06

    Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird ein elektronischer Schaltkreis bereitgestellt, wobei der elektronische Schaltkreis einen ersten Transistor sowie einen mit dem ersten Transistor in Serie gekoppelten zweiten Transistor aufweist. Ferner weist der elektronische Schaltkreis einen Kondensator auf, wobei ein erster Anschluss des Kondensators mit einem Steuer-Anschluss des zweiten Transistors gekoppelt ist, und wobei ein zweiter Anschluss des Kondensators gekoppelt ist mit einem elektrischen Potential, welches abhängig ist von einem Hochfrequenz-Eingangssignal des elektronischen Schaltkreises.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008010321A1

    公开(公告)日：2008-08-28

    申请号：DE102008010321

    申请日：2008-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STIFTINGER MARTIN ,  JENEI SNEZANA ,  WERNER WOLFGANG ,  HODEL UWE

    IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/749 ,  H01L29/78

    Abstract: In an embodiment, an apparatus includes a source region, a gate region and a drain region supported by a substrate, and a drift region including a plurality of vertically extending n-wells and p-wells to couple the gate region and the drain region of a transistor, wherein the plurality of n-wells and p-wells are formed in alternating longitudinal rows to form a superjunction drift region longitudinally extending between the gate region and the drain region of the transistor.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004052868A1

    公开(公告)日：2006-05-11

    申请号：DE102004052868

    申请日：2004-11-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STREIBL MARTIN ,  TIEBOUT MARC ,  KIENMAYER CHRISTOPH ,  HODEL UWE ,  BENETIK THOMAS

    IPC: H01L23/60 ,  G11C7/10 ,  H03H7/00

    Abstract: Integrated circuit arrangement having first and second signal input pads, to which a differential input signal is applied, and first and second signal outputs, at which a differential output signal is provided. The first signal output is coupled to the first signal input pad and the second signal output is coupled to the second signal input pad. A first capacitance is between the first and second signal input pads. First and second inductances are connected in series, are between the first and second signal input pads, and are connected in parallel with the first capacitance. A first terminal is at a first supply potential and a second terminal is at a second supply potential. A first electrostatic discharge element is between the first and second terminals. A second electrostatic discharge element is between the first terminal, on the one hand, and the first and second inductances, on the other hand.

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