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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007001108A1

    公开(公告)日：2008-07-10

    申请号：DE102007001108

    申请日：2007-01-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

    IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

    Abstract: A method of fabricating a diode is disclosed. One embodiment provides a semiconductor body having a front and a back, opposite the front in a vertical direction of the semiconductor body. The semiconductor body contains, successively in the vertical direction from the back to the front, a heavily n-doped zone, a weakly n-doped zone, a weakly p-doped zone and a heavily p-doped zone. In the vertical direction, the weakly p-doped zone has a thickness of at least 25% and at most 50% of the thickness of the semiconductor body.

    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005037573B4

    公开(公告)日：2007-05-31

    申请号：DE102005037573

    申请日：2005-08-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER

    IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  H01L23/62 ,  H01L27/082 ,  H01L31/111 ,  H03K17/72

    Abstract: A main thyristor (1) has a recovery protection which is integrated into a drive thyristor (2) whose n-doped emitter (25) is electrically connected to a main thyristor control terminal (140). Moreover, the p-doped emitter (28) of the drive thyristor (2) is electrically connected to the p-doped emitter (18) of the main thyristor (1). Various optional measures for realizing a recovery protection are provided in this case. A method for producing a thyristor system having a main thyristor and a drive thyristor, the drive thyristor (2) having anode short circuits (211) involves introducing particles (230) into a target region (225) of the semiconductor body (200) of the drive thyristor (2), the distance between the target region (225) and a front side (201) of the semiconductor body (200) opposite to the rear side (202) being less than or equal to the distance between the p-doped emitter (28) and the front side (201).

    Halbleiterbauelemente
    17.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102015112502B4

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：DE102015112502

    申请日：2015-07-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SANDOW CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF

    IPC: H01L25/16 ,  H01L27/088

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300, 500, 600), umfassend:eine erste Transistorzelle (101) aus einer Mehrzahl von Transistorzellen (111) einer Feldeffekttransistoranordnung, die in einem ersten Halbleiterchip gebildet ist;eine zweite Transistorzelle (104) aus der Mehrzahl von Transistorzellen (111);wobei die erste Transistorzelle (101) aus der Mehrzahl von Transistorzellen (111) und die zweite Transistorzelle (104) aus der Mehrzahl von Transistorzellen (111) elektrisch parallel geschaltet sind, undwobei ein Gate (106) der ersten Transistorzelle (101) und ein Gate (107) der zweiten Transistorzelle (104) durch unterschiedliche Gate-Steuerungssignale (108, 109) steuerbar sind; undein Steuerungsmodul (213) und eine Stromerfassungsstruktur, die sich in einem zweiten, unterschiedlichen Halbleiterchip als die Transistorzellen befinden, wobei das Steuerungsmodul (213) die unterschiedlichen Gate-Steuerungssignale basierend auf dem Strom der ersten Transistorzelle (101) oder eines Teilsatzes der Transistorzellen, der die erste Transistorzelle umfasst, erzeugt, wobei der Strom ein Bruchteil des Laststroms ist,und wobei die Stromerfassungsstruktur, die den Strom erfasst, in der Nähe zu einer Emitter/Kollektor- oder Source/Drain-Kontaktstruktur (216) angeordnet ist, wobei die Emitter/Kollektor- oder Source/Drain-Kontaktstruktur (216) die erste Transistorzelle (101) bzw. den Teilsatz von Transistorzellen aus der Mehrzahl von Transistorzellen (111), der die erste Transistorzelle (101) umfasst, kontaktiert.

    Leistungshalbleiterbauelement
    18.
    发明专利
    Leistungshalbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102018132236A1

    公开(公告)日：2020-06-18

    申请号：DE102018132236

    申请日：2018-12-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BABURSKE ROMAN ,  JELINEK MORIZ ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1) und einer Rückseite (10-2), wobei der Halbleiterkörper (10) Folgendes enthält: ein Driftgebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; ein Feldstoppgebiet (105) vom ersten Leitfähigkeitstyp, wobei das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und Dotierstoffe vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als das Driftgebiet (100) aufweist, wobei das Feldstoppgebiet (105) zumindest teilweise mittels einer Implantation von Protonen durch die Rückseite (10-2) geschaffen wurde; und ein Emittereinstellungsgebiet (106) vom ersten Leitfähigkeitstyp, wobei das Emittereinstellungsgebiet (106) zwischen dem Feldstoppgebiet (105) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und Dotierstoffe vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als das Feldstoppgebiet (105) aufweist. Das Feldstoppgebiet (105) umfasst in einem Querschnitt entlang einer Vertikalrichtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) weist, ein Dotierstoffkonzentrationsprofil von Dotierstoffen vom ersten Leitfähigkeitstyp, das ein erstes lokales Maximum (1051) und ein erstes lokales Minimum (1052) aufweist, wobei das erste lokale Minimum (1052) zwischen dem ersten lokalen Maximum (1051) und einem anderen lokalen Maximum (1053, 1055, 1057) des Dotierstoffkonzentrationsprofils des Feldstoppgebiets (105) und/oder zwischen dem ersten lokalen Maximum (1051) und einem Maximum eines Dotierstoffkonzentrationsprofils des Emittereinstellungsgebiets (106) angeordnet ist, wobei die Dotierstoffkonzentration an dem ersten lokalen Maximum (1051) um höchstens einen Faktor von drei höher als die Dotierstoffkonzentration an dem ersten lokalen

    BIPOLARER HALBLEITERSCHALTER UND EIN HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
    19.
    发明专利
    BIPOLARER HALBLEITERSCHALTER UND EIN HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 未知

    公开(公告)号：DE102014101239B4

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：DE102014101239

    申请日：2014-01-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

    Abstract: Bipolarer Halbleiterschalter (100), umfassend einen Halbleiterkörper (40), der Folgendes umfasst:- ein erstes p-dotiertes Halbleitergebiet (2);- ein zweites p-dotiertes Halbleitergebiet (4); und- ein erstes n-dotiertes Halbleitergebiet (1), das einen ersten pn-Übergang (14) mit dem ersten p-dotierten Halbleitergebiet (2) und einen zweiten pn-Übergang (16) mit dem zweiten p-dotierten Halbleitergebiet (4) bildet; wobei auf einem kürzesten Weg (s) durch das erste n-dotierte Halbleitergebiet (1) zwischen dem ersten pn-Übergang (14) und dem zweiten pn-Übergang (16) eine Konzentration von Ladungsrekombinationszentren und eine Konzentration von n-Dotierstoffen derart variiert, dass die Konzentration der Ladungsrekombinationszentren an einem Punkt entlang des kürzesten Wegs (s) ein Maximum aufweist, an dem die Konzentration von n-Dotierstoffen ein lokales Maximum aufweist, dessen Konzentrationswert geringer ist als eine maximale Konzentration der n-Dotierstoffe auf dem Weg (s).

    Leistungshalbleitervorrichtung mit vollständig verarmten Kanalregionen
    20.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung mit vollständig verarmten Kanalregionen 未知

    公开(公告)号：DE102016112018B4

    公开(公告)日：2020-03-12

    申请号：DE102016112018

    申请日：2016-06-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist;- ein aktives Zellenfeld (16), das in dem Halbleiterkörper (10) verwirklicht ist und das ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu leiten, wobei das aktive Zellenfeld (16) von einer Randabschlusszone (18) umgeben ist;- eine Vielzahl von ersten Zellen (141) und eine Vielzahl von zweiten Zellen (142), die in dem aktiven Zellenfeld (16) vorgesehen sind, und die jeweils ausgebildet sind, den Laststrom (15) zu steuern, und die jeweils auf der einen Seite mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) elektrisch verbunden sind und auf der anderen Seite mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) elektrisch verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst; wobei:- jede erste Zelle (141) eine erste Steuerelektrode (131) und eine erste Mesa (101) umfasst, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- jede zweite Zelle (142) eine zweite Mesa (102) umfasst, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden des zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- jede erste Mesa (101) und jede zweite Mesa (102) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101, 102) durch eine Isolationsstruktur (133) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) senkrecht zu der Richtung (Z) des Laststroms (15) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist;und wobeidas aktive Zellenfeld (16) von einer Ableitungsregion (104) umgeben ist, welche zwischen dem aktiven Zellenfeld (16) und der Randabschlusszone (18) angeordnet ist, wobei die Ableitungsregion (104) Dotanden des zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist;und wobeider Halbleiterkörper (10) eine Plateau-Region (1023) mit Dotanden des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei die Plateau-Region (1023) zwischen der zweiten Kanalregion (1022) und der Driftregion (100) angeordnet ist und sich weiter in den Halbleiterkörper (10) erstreckt als die zweite Mesa (102), und wobei sich die Plateau-Region (1023) mit dem Teil, der tiefer als die zweite Mesa (102) liegt, in Richtung der ersten Mesa (101) erstreckt, sodass die Plateau-Region (1023) und die erste Steuerelektrode (131) einen gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (DX80) aufweisen.

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