公开(公告)号：DE102014101475A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101475

申请日：2014-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GISSIBL ANJA ,  HESS EVA-MARIA ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  STRASSER JOHANN ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/306

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, bei denen poröses Metall auf einem Substrat abgeschieden wird, eine Maske auf dem porösen Metall bereitgestellt wird und dann ein Ätzvorgang ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102017204023B4

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：DE102017204023

申请日：2017-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTHER ARNAUD ,  DEHE ALFONS ,  STRASSER JOHANN ,  METZGER-BRUECKL GERHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H04R7/04 ,  H04R19/04

Abstract: MEMS-Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst:ein erstes Membranelement (102),ein zweites Membranelement (104), das von dem ersten Membranelement (102) beabstandet ist,einen Niederdruckbereich (106) zwischen dem ersten und dem zweiten Membranelement (102, 104), wobei der Niederdruckbereich (106) einen Druck aufweist, der geringer als ein Umgebungsdruck ist, undeine Gegenelektrodenstruktur (108), die eine leitfähige Schicht (110) umfasst, die wenigstens teilweise in dem Niederdruckbereich (106) angeordnet ist oder sich in den Niederdruckbereich (106) erstreckt, wobei die leitfähige Schicht (110) eine Segmentierung (112) umfasst, die eine elektrische Isolation zwischen einem ersten Abschnitt (110a) der leitfähigen Schicht (110) und einem zweiten Abschnitt (110b) der leitfähigen Schicht (110) bereitstellt,wobei der erste Abschnitt (110a) der leitfähigen Schicht (110) ein zentraler Abschnitt der leitfähigen Schicht (110) ist und der zweite Abschnitt (110b) der leitfähigen Schicht (110) ein Randabschnitt der leitfähigen Schicht (110) ist, und wobei der zweite Abschnitt (110b) der leitfähigen Schicht (110) mittels eines elektrischen Verbindungselements (118, 120) elektrisch mit dem ersten Membranelement (102) und mit dem zweiten Membranelement (104) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102017216835B9

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102017216835

申请日：2017-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTHER ARNAUD ,  DEHE ALFONS ,  STRASSER JOHANN ,  METZGER-BRUECKL GERHARD

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Herstellungsverfahren (100) für ein MEMS-Bauelement (200) mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Schichtanordnung (220) auf einem Halbleitersubstrat (222), wobei die Schichtanordnung (220) eine erste und zweite, leitfähige Schichtstruktur (224, 226) aufweist, wobei ein Opfermaterial (232) in einem Zwischenbereich (230) zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) angeordnet ist, wobei eine sich zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) erstreckende Ätzstoppstruktur (240) den Zwischenbereich (230) in einen Freilegungsbereich (230-1) und einen lateral daran angrenzenden Randbereich (230-2) unterteilt, wobei die Ätzstoppstruktur (240) ein Halbleitermaterial der ersten oder zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) oder, falls eine ätzmittelresistente Isolationsschicht (225-1, 225-2) an der ersten oder zweiten Schichtstruktur (224, 226) angeordnet ist, ein Material der Isolationsschicht (225-1, 225-2) aufweist, und wobei zumindest eine der leitfähigen Schichtstrukturen (224, 226) Zugangsöffnungen (242) zu dem Freilegungsbereich (230-1) aufweist, undEntfernen des Opfermaterials (232) aus dem Freilegungsbereich (230-1) durch die Zugangsöffnungen (242) mittels eines Ätzvorgangs, um den Freilegungsbereich (230-1) freizulegen, wobei die Ätzstoppstruktur (240) als laterale Begrenzung für den Ätzvorgang wirksam ist, und wobei das in dem Randbereich (230-2) vorhandene Opfermaterial (232) zur mechanischen Verbindung zwischen der ersten und zweiten, leitfähigen Schichtstruktur (224, 226) wirksam ist.

公开(公告)号：DE102017218635B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102017218635

申请日：2017-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： METZGER-BRUECKL GERHARD ,  STRASSER JOHANN ,  HOECKELE UWE ,  DEHE ALFONS ,  WALTHER ARNAUD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren (100) zum Verschließen einer Zugangsöffnung (230) zu einer Kavität (220), mit folgenden Schritten:Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (221) mit einer ersten Schichtstruktur (210) und einer angrenzend an die erste Schichtstruktur (210) angeordneten Kavität (220), wobei die erste Schichtstruktur (210) eine Zugangsöffnung (230) zu der Kavität (220) aufweist,Durchführen (140) einer CVD-Schichtabscheidung zum Bilden einer ersten Abdeckungsschicht (240) mit einer Schichtdicke (D240) auf der ersten Schichtstruktur (210) mit der Zugangsöffnung (230), wobei die Schichtdicke (D240) der ersten Abdeckungsschicht (240) im Verhältnis zu einem Durchmesser (D230) der Zugangsöffnung (230) gewählt wird, um eine Verjüngung (240-A) der ersten Abdeckungsschicht (240) in einem Mittenbereich der Zugangsöffnung (230) zu erhalten, undDurchführen (160) einer HDP-Schichtabscheidung mit einem ersten und zweiten Teilschritt zum Bilden einer zweiten Abdeckungsschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240),wobei bei dem ersten Teilschritt eine Abscheidung einer Liner-Materialschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240) erfolgt,wobei bei dem zweiten Teilschritt ein teilweises Rücksputtern der Liner-Materialschicht (250) und ferner der ersten Abdeckungsschicht (240) im Bereich (230-A) der Zugangsöffnung (230) erfolgt, undwobei der erste und zweite Teilschritt abwechselnd und mehrmals wiederholt durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102016122479B4

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102016122479

申请日：2016-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN ,  STRASSER JOHANN ,  PORWOL DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01N21/3504 ,  H01L49/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Infrarotemitteranordnung (100), das Verfahren aufweisend:• Bereitstellen eines Trägers (102), wobei der Träger (102) an einer ersten Seite (102v) des Trägers (102) mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) und an einer der ersten Seite (102v) des Trägers (102) gegenüberliegenden zweiten Seite (102r) des Trägers (102) mindestens eine Aussparung (106) aufweist, wobei sich die mindestens eine Aussparung von der zweiten Seite (102r) des Trägers (102) in Richtung der mindestens einen Infrarotemitterstruktur (104) erstreckt; und anschließend• Befestigen einer Infrarotfilterschichtstruktur (108) an der zweiten Seite (102r) des Trägers (102) derart, dass die mindestens eine Aussparung (106) die mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) von der Infrarotfilterschichtstruktur (108) separiert, wobei die Infrarotfilterschichtstruktur (108) einen Filterschichtträger (408t) und eine Infrarotfilterschicht (408f) aufweist, wobei die Infrarotfilterschicht (408f) auf und/oder in dem Filterschichtträger (408t) gebildet ist, wobei die Infrarotfilterschichtstruktur (108) derart an dem Träger (102) befestigt wird, dass die Infrarotfilterschicht (408f) dem Träger zugewandt ist, und wobei der Filterschichtträger (408t) eine der Aussparung (106) abgewandte Seite der Infrarotfilterschicht (408f) vollständig bedeckt.

公开(公告)号：DE102017218635A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017218635

申请日：2017-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： METZGER-BRUECKL GERHARD ,  STRASSER JOHANN ,  HOECKELE UWE ,  DEHE ALFONS ,  WALTHER ARNAUD

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verschließen einer Zugangsöffnung (230) zu einer Kavität (220), umfasst folgende Schritte: Bereitstellen (120) einer Schichtanordnung (221) mit einer ersten Schichtstruktur (210) und einer angrenzend an die erste Schichtstruktur (210) angeordneten Kavität (220), wobei die erste Schichtstruktur (210) eine Zugangsöffnung (230) zu der Kavität (220) aufweist; Durchführen (140) einer CVD-Schichtabscheidung zum Bilden einer ersten Abdeckungsschicht (240) mit einer Schichtdicke (D) auf der ersten Schichtstruktur (210) mit der Zugangsöffnung (230); und Durchführen (160) einer HDP-Schichtabscheidung mit einem ersten und zweiten Teilschritt zum Bilden einer zweiten Abdeckungsschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240), wobei bei dem ersten Teilschritt eine Abscheidung einer Liner-Materialschicht (250) auf der ersten Abdeckungsschicht (240) erfolgt, wobei bei dem zweiten Teilschritt ein teilweises Rücksputtern der Liner-Materialschicht (250) und ferner der ersten Abdeckungsschicht (240) im Bereich (230-A) der Zugangsöffnung (230) erfolgt, und wobei der erste und zweite Teilschritt abwechselnd und mehrmals wiederholt durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102017103195A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE102017103195

申请日：2017-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTHER ARNAUD ,  AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  STRASSER JOHANN

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/14 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: Ein mikroelektromechanisches Mikrofon kann aufweisen: eine Referenzelektrode, eine auf einer ersten Seite der Referenzelektrode angeordnete und durch zu detektierenden Schall verlagerbare erste Membran und eine auf einer der ersten Seite der Referenzelektrode gegenüberliegenden zweiten Seite der Referenzelektrode angeordnete und durch zu detektierenden Schall verlagerbare zweite Membran. Ein durch Schall relativ zur Referenzelektrode verlagerbarer Bereich einer von der ersten und der zweiten Membran kann unabhängig von seiner Stellung relativ zur Referenzelektrode einen flächigen Abschnitt sowie einen an den flächigen Abschnitt angrenzenden und in einem Überlappungsbereich der einen Membran mit der anderen von der ersten und der zweiten Membran angeordneten gewellten Abschnitt aufweisen.

公开(公告)号：DE102016122479A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE102016122479

申请日：2016-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN ,  STRASSER JOHANN ,  PORWOL DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01N21/3504 ,  H01L49/00

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Herstellen einer Infrarotemitteranordnung aufweisen: Bereitstellen eines Trägers (102), wobei der Träger an einer ersten Seite (102v) des Trägers mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) und an einer der ersten Seite des Trägers gegenüberliegenden zweiten Seite (102r) des Trägers mindestens eine Aussparung (106) aufweist, wobei sich die mindestens eine Aussparung von der zweiten Seite des Trägers in Richtung der mindestens einen Infrarotemitterstruktur erstreckt; und Befestigen einer Infrarotfilterschichtstruktur (108) an der zweiten Seite des Trägers derart, dass die mindestens eine Aussparung die mindestens eine Infrarotemitterstruktur von der Infrarotfilterschichtstruktur separiert.