公开(公告)号：DE102016104788B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200, 300), die aufweist:eine Metallstruktur (105, 205, 305), die elektrisch mit einem Halbleiterkörper (106, 206, 306) verbunden ist,eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) zwischen der Metallstruktur (105, 205, 305) und dem Halbleiterkörper (106, 206, 306), wobei die Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, umfasst, sowie eine Wolframschicht auf der Titan, Wolfram und Stickstoff aufweisenden Schicht.

公开(公告)号：DE102014102242A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102014102242

申请日：2014-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  FRANK MANFRED ,  KRUG MAXIMILIAN ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  ROBL WERNER ,  STRASSER JOHANN

IPC: H01L21/283 ,  C23C28/00

Abstract: Verschiedene Verfahren und Vorrichtungen betreffen poröse Metallschichten auf einem Substrat, die dreidimensional beschichtet sind. In einer Ausführungsform wird eine poröse Metallschicht über einem Substrat abgeschieden. Die poröse Metallschicht kann mit einem Beschichtungsmaterial dreidimensional beschichtet sein.

公开(公告)号：DE102014108986B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102014108986

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement, das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Peripheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Peripheriezone die aktive Zone seitlich umgibt,- eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden,- eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet,- eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht ein amorphes halbisolierendes Material umfasst,- wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt, und wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) eine kontinuierliche Barriere bilden.

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102014108986A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102014108986

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Hochspannungsperipheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Hochspannungsperipheriezone (50) die aktive Zone (55) seitlich umgibt, eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden, eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet, eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht (25) ein amorphes halbisolierendes Material umfasst, wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leistungshalbleiterbauelements bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102014101475A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101475

申请日：2014-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GISSIBL ANJA ,  HESS EVA-MARIA ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  STRASSER JOHANN ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/306

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, bei denen poröses Metall auf einem Substrat abgeschieden wird, eine Maske auf dem porösen Metall bereitgestellt wird und dann ein Ätzvorgang ausgeführt wird.