公开(公告)号：DE102009012594B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102009012594

申请日：2009-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  HOECKELE UWE ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SEIDEL UWE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponente, wobei das Verfahren folgendes aufweist:teilweises Füllen einer Öffnung (250) in einem Substrat (10) mit einem Füllmaterial (50);Ausbilden einer ersten Isolierschicht (60) über dem Füllmaterial (50), um einen Spalt (g) über der Öffnung (250) auszubilden;Ausbilden einer zweiten Isolierschicht (70) zum Schließen des Spalts, wodurch innerhalb der Öffnung (250) ein eingeschlossener Hohlraum (90) ausgebildet wird; undVerdünnen des Substrats (10) durch Materialabtrag an seiner Rückseite, so dass eine untere Oberfläche des Füllmaterials (50) freigelegt wird.

公开(公告)号：DE102010037247A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102010037247

申请日：2010-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KUNSTMANN THOMAS ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE102014102242A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102014102242

申请日：2014-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  FRANK MANFRED ,  KRUG MAXIMILIAN ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  ROBL WERNER ,  STRASSER JOHANN

IPC: H01L21/283 ,  C23C28/00

Abstract: Verschiedene Verfahren und Vorrichtungen betreffen poröse Metallschichten auf einem Substrat, die dreidimensional beschichtet sind. In einer Ausführungsform wird eine poröse Metallschicht über einem Substrat abgeschieden. Die poröse Metallschicht kann mit einem Beschichtungsmaterial dreidimensional beschichtet sein.

公开(公告)号：DE102009012594A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：DE102009012594

申请日：2009-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIRNER ALBERT ,  HOECKELE UWE ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SEIDEL UWE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

公开(公告)号：DE102010037247B4

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：DE102010037247

申请日：2010-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  KUNSTMANN THOMAS ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/41 ,  H01L29/45

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer Öffnung (120) wenigstens teilweise durch ein Werkstück (110); und • Bilden eines eingeschlossenen Hohlraums (520) innerhalb der Öffnung (120), wobei das Bilden des Hohlraums (520) das Bilden einer Paste (440) innerhalb der Öffnung (120) aufweist; • wobei das Bilden des eingeschlossenen Hohlraums (520) ferner das Sintern der Paste (440) aufweist; und • wobei die Öffnung (120) einen untersten Abschnitt ohne die Paste (440) enthält.

公开(公告)号：DE102012102990A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：DE102012102990

申请日：2012-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  FRANK MANFRED ,  KUNSTMANN THOMAS ,  NIKITIN IVAN ,  ROBL WERNER ,  RUHL GUENTHER ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: C23C4/12 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers oder Dies bereitgestellt, wobei das Verfahren aufweist: Zuführen von Partikeln einem Plasma, so dass die Partikel durch das Plasma aktiviert werden und Spritzen der aktivierten Partikel auf ein Halbleiterwafer oder Die, so dass eine Partikelschicht auf dem Halbleiterwafer oder Die erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102014110358A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110358

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  HESS EVA-MARIA ,  KRENZER MICHAEL ,  KUNSTMANN THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (101) kann Folgendes beinhalten: Bereitstellen eines Werkstücks (101), das eine erste Region (103) und eine zweite Region (105) beinhaltet; Ausbilden einer porösen Metallschicht (107) über der ersten Region (103) und der zweiten Region (105); wobei die erste Region (103) und die zweite Region (105) so gestaltet sind, dass eine Haftkraft zwischen der zweiten Region (105) und der porösen Metallschicht (107) geringer ist als eine Haftkraft zwischen der ersten Region (103) und der porösen Metallschicht (107).

公开(公告)号：DE102014109870A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102014109870

申请日：2014-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FÖRG RAIMUND ,  KNAUER EDUARD ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SCHERL PETER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L23/373

Abstract: Ein Ausführungsverfahren zur Herstellung von elektronischen Vorrichtungen, die zwei von einer Metallschicht verbundene Bauteile aufweisen, enthält das Auftragen einer Metallschicht auf jedes Bauteil und das Verbinden der Metallschichten, sodass eine einzelne Metallschicht gebildet wird.

公开(公告)号：DE102014101475A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101475

申请日：2014-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GISSIBL ANJA ,  HESS EVA-MARIA ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  STRASSER JOHANN ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/306

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, bei denen poröses Metall auf einem Substrat abgeschieden wird, eine Maske auf dem porösen Metall bereitgestellt wird und dann ein Ätzvorgang ausgeführt wird.