公开(公告)号：DE102014107557A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107557

申请日：2014-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  FISCHER THOMAS ,  GISSIBL ANJA ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STRANZL GUDRUN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  WENDT HERMANN

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks wird bereitgestellt, welches möglicherweise Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, das einen Metallisierungsschichtstapel, der an einer Seite des Halbleiterwerkstücks angeordnet ist, beinhaltet, wobei der Metallisierungsschichtstapel mindestens eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die über der ersten Schicht angeordnet ist, beinhaltet, wobei die erste Schicht ein erstes Material enthält und die zweite Schicht ein zweites Material, das anders geartet ist als das erste Material, enthält (102); Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels, wobei Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels Nassätzen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels einer Ätzlösung, die mindestens im Wesentlichen die gleiche Ätzrate für das erste Material und das zweite Material aufweist (104), beinhaltet.

公开(公告)号：DE102014101475A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101475

申请日：2014-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GISSIBL ANJA ,  HESS EVA-MARIA ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  STRASSER JOHANN ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/306

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, bei denen poröses Metall auf einem Substrat abgeschieden wird, eine Maske auf dem porösen Metall bereitgestellt wird und dann ein Ätzvorgang ausgeführt wird.