公开(公告)号：DE102015102272A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015102272

申请日：2015-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  HESS EVA-MARIA ,  FUERGUT EDWARD ,  SCHWEIGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst das Bereitstellen eines Trägers und eines Halbleiterwafers, der eine erste Seite und eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite aufweist. Das Verfahren umfasst das Aufbringen eines dielektrischen Materials auf den Träger oder den Halbleiterwafer und das Verbinden des Halbleiterwafers mit dem Träger über das dielektrische Material. Das Verfahren umfasst das Verarbeiten des Halbleiterwafers und das Entfernen des Trägers vom Halbleiterwafer, sodass das dielektrische Material auf dem Halbleiterwafer erhalten bleibt, um eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die das dielektrische Material umfasst.

公开(公告)号：DE102014110358A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110358

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK MANFRED ,  HESS EVA-MARIA ,  KRENZER MICHAEL ,  KUNSTMANN THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (101) kann Folgendes beinhalten: Bereitstellen eines Werkstücks (101), das eine erste Region (103) und eine zweite Region (105) beinhaltet; Ausbilden einer porösen Metallschicht (107) über der ersten Region (103) und der zweiten Region (105); wobei die erste Region (103) und die zweite Region (105) so gestaltet sind, dass eine Haftkraft zwischen der zweiten Region (105) und der porösen Metallschicht (107) geringer ist als eine Haftkraft zwischen der ersten Region (103) und der porösen Metallschicht (107).

公开(公告)号：DE102014101475A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101475

申请日：2014-02-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GISSIBL ANJA ,  HESS EVA-MARIA ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  STRASSER JOHANN ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/306

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren bereitgestellt, bei denen poröses Metall auf einem Substrat abgeschieden wird, eine Maske auf dem porösen Metall bereitgestellt wird und dann ein Ätzvorgang ausgeführt wird.