公开(公告)号：DE102012210153A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012210153

申请日：2012-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/695

Abstract: elektronische Schaltung umfasst: einen Transistor (1) mit einem Steueranschluss (G) zum Zuführen eines Ansteuersignals (VGS) und einer Laststrecke (DDS) zwischen einem ersten und einem zweiten Lastanschluss (D, S); eine Spannungsschutzschaltung (3) die an den Transistor (1) gekoppelt ist und die einen Steueranschluss aufweist, wobei die Spannungsschutzschaltung (3) dazu ausgebildet ist, einen aktivierten Zustand oder einen deaktivierten Zustand abhängig von einem dem Steuereingang zugeführten Steuersignal (S3) anzunehmen, und dazu ausgebildet ist, eine Spannung (VDG) zwischen den Lastanschlüssen (D, S) oder zwischen einem der Lastanschlüsse (D, S) und dem Steueranschluss (G) zu begrenzen; und eine Steuerschaltung (4), die an den Steueranschluss der Spannungsschutzschaltung (3) gekoppelt ist und die dazu ausgebildet ist, die Spannungsschutzschaltung (3) abhängig von wenigstens einem Betriebsparameter (S4) des Transistors (1) und wenn eine Spannung (VDS) über der Laststrecke (D–S) oder ein Laststrom (IDS) durch die Laststrecke (DS) sich von Null unterscheidet, zu deaktivieren.

公开(公告)号：DE102004041886A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：DE102004041886

申请日：2004-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/00 ,  H03K17/082

Abstract: A method for measuring a load current (IL) of a load transistor (MO) driven between a load terminal (LT) and a working voltage terminal (+VDD,GND) in which a sense transistor (M1) is operated parallel to the load transistor (MO), a voltage drop deriving from a sense current (IS) controlled by a sense transistor (M1) and proportional to the load current (IL) is evaluated at a sense resistance (RS) between the respective operating terminal and the sense transistor. A voltage different between the voltage drop and the sense resistor (IS) and the voltage drop at an internal load resistance (RB) is balanced and thus the working point of the sense transistor is brought into agreement with the working point of the load transistor (MO). Independent claims are included for the following: (A) A circuit arrangement for measuring a load current.(B) A semiconductor component with positive- or negative-operating voltage terminal.

公开(公告)号：DE102007008389A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：DE102007008389

申请日：2007-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: The arrangement has a temperature sensor with a parasitic diode structure and integrated in a semiconductor body (1). A bulk source diode (2) connects a load connection of the field-effect transistor with a bulk connection of the body. An evaluation unit is electrically connected with the diode via the bulk connection. The evaluation unit is designed such that the current supplied to the diode and temperature dependent voltage drop at the diode are evaluated, where direction of current flowing into the diode is provided such that the diode is operated in the flow direction.

公开(公告)号：DE102004041886B4

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：DE102004041886

申请日：2004-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN

IPC: H03K17/082 ,  G01R19/00

Abstract: A method for measuring a load current (IL) of a load transistor (MO) driven between a load terminal (LT) and a working voltage terminal (+VDD,GND) in which a sense transistor (M1) is operated parallel to the load transistor (MO), a voltage drop deriving from a sense current (IS) controlled by a sense transistor (M1) and proportional to the load current (IL) is evaluated at a sense resistance (RS) between the respective operating terminal and the sense transistor. A voltage different between the voltage drop and the sense resistor (IS) and the voltage drop at an internal load resistance (RB) is balanced and thus the working point of the sense transistor is brought into agreement with the working point of the load transistor (MO). - Independent claims are included for the following: (A) A circuit arrangement for measuring a load current.(B) A semiconductor component with positive- or negative-operating voltage terminal.

公开(公告)号：DE102004037543A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：DE102004037543

申请日：2004-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  SANDER RAINALD ,  ROSMEIER LUDWIG ,  KOEPPL BENNO ,  MARTINS CARLOS

IPC: H02H7/12 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: The device has a half bridge with two branches and detector units measuring an overload. A control logic controls switches (M1, M2) based on output signals of the units such that the overloaded switch is isolated for a certain time period if an overload threshold exceeds in the branches. Filters and flip flops disconnect the logic when determining the overload during the period within one of the branch and disconnect the switch (M2).

公开(公告)号：DE10343083A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：DE10343083

申请日：2003-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SANDER RAINALD ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: Transistor type semiconductor module (1) comprises semiconductor structure (2) with several, mutually insulated gates (6) coupled to gate energizer. At least one gate is separated from gate energizer and serves as potential measuring line after coupling to potential meter.Preferably gate(s), serving as measuring line, are linked to certain points of module so that potentials at these points can be determined via gates. Typically contact film (3) is deposited on semiconductor structure for contacting source or body regions.

公开(公告)号：DE102014100877B4

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102014100877

申请日：2014-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L27/06 ,  G01R19/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung, die eine Halbleitervorrichtung aufweist, umfassend:eine Leistungskomponente (200), die eine Vielzahl von Trenches (300, ..., 300) in einem Zellarray umfasst, wobei die Vielzahl von Trenches (300, ..., 300) in einer ersten Richtung (x) verlaufen,eine Sensorkomponente (250), die in das Zellarray der Leistungskomponente (200) integriert ist und eine Sensorzelle aufweist, die eine Fläche hat, die kleiner ist als eine Fläche des Zellarrays der Leistungskomponente (200), undIsolationstrenches (205), die zwischen der Sensorkomponente (250) und der Leistungskomponente (200) angeordnet sind, wobei ein isolierendes Material in den Isolationstrenches (205) vorgesehen ist und die Isolationstrenches (205) in einer von der ersten Richtung (x) verschiedenen zweiten Richtung (y) verlaufen.

公开(公告)号：DE102018123856A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE102018123856

申请日：2018-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEIL ARON ,  MARQUES MARTINS CARLOS JOAO ,  THIELE STEFFEN

IPC: H03K17/08

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren, eine Schaltungsanordnung und eine elektronische Schaltung. Das Verfahren umfasst das Entladen einer Gate-Source-Kapazität eines Transistorbauelements von einem ersten Spannungspegel auf einen zweiten Spannungspegel, wenn ein erster Widerstand parallel zu der Gate-Source-Kapazität geschaltet ist, und Messen einer ersten Entladezeit im Zusammenhang mit dem Entladen, und das Entladen der Gate-Source-Kapazität von dem ersten Spannungspegel auf den zweiten Spannungspegel, wenn der erste Widerstand und der zweite Widerstand parallel zu der Gate-Source-Kapazität geschaltet sind, und das Messen einer zweiten Entladezeit im Zusammenhang mit dem Entladen. Das Verfahren umfasst außerdem das Vergleichen eines Verhältnisses zwischen der ersten Entladezeit und der zweiten Entladezeit mit einer vordefinierten Schwelle und das Detektieren eines Fehlers basierend auf dem Vergleichen.

公开(公告)号：DE102004037543B4

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：DE102004037543

申请日：2004-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THIELE STEFFEN ,  SANDER RAINALD ,  ROSSMEIER LUDWIG ,  KÖPPL BENNO ,  MARTINS CARLOS

IPC: H02H7/12 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M7/48

Abstract: Vorrichtung zum Schutz einer Halbbrückenschaltungsanordnung vor einem Kurzschluss über einer Last (LSC, RSC), umfassend: – eine Halbbrücke mit einem ersten und einem zweiten Zweig, – einen ersten Schalter (M1) im ersten Zweig und einen zweiten Schalter (M2) im zweiten Zweig, – eine erste Detektoreinrichtung (RS1, X1)zum Messen einer Überlast (IHS) im ersten Zweig, – eine zweite Detektoreinrichtung (RS2, X2) zum Messen einer Überlast (IL1) im zweiten Zweig, und – eine Steuerlogik (L) zur Steuerung der beiden Schalter (M1, M2) abhängig von Ausgangssignalen von den beiden Detektoreinrichtungen derart, dass bei Überschreiten einer Überlastschwelle im ersten oder im zweiten Zweig der entsprechende überlastete Schalter für eine bestimmte Zeitdauer abgeschaltet und gleichzeitig der andere, bis dahin abgeschaltete Schalter eingeschaltet wird, gekennzeichnet durch, – eine Einrichtung (F1, F2, F3, F4, FF1, FF2, FF3), die die Steuerlogik (L) bei Feststellung einer Überlast während der bestimmten Zeitdauer im anderen Zweig auch den anderen Schalter abschalten lässt.

公开(公告)号：DE102015121429A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102015121429

申请日：2015-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASAM MICHAEL ,  MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN

IPC: G01R19/00

Abstract: Schaltungen, Schalter mit Überstromschutz und Verfahren zum Messen eines Stroms werden hier beschrieben. Eine Schaltung (101), die dazu konfiguriert ist, einen Strom von einer Versorgungsspannung zu einer Last zuzuführen, umfasst einen ersten Transistor (T1), einen zweiten Transistor (T2) und eine Detektionsschaltung (102). Der erste Transistor (T1) weist eine größere aktive Fläche auf als der zweite Transistor (T2). Die Detektionsschaltung (102) ist dazu konfiguriert, einen Strom durch den zweiten Transistor (T2) zu detektieren. Eine gleiche Spannung wird zwischen einem Steueranschluss des ersten Transistors (T1) und einem ersten gesteuerten Anschluss des ersten Transistors (T1) angelegt und wird zwischen einem Steueranschluss des zweiten Transistors (T2) und einem ersten gesteuerten Anschluss des zweiten Transistors (T2) angelegt. Die Detektionsschaltung (102) ist mit dem zweiten gesteuerten Anschluss des zweiten Transistors (T2) gekoppelt und ist mit der Versorgungsspannung gekoppelt.