公开(公告)号：DE102015111997A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015111997

申请日：2015-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  BUCHHOLZ KARIN ,  DAINESE MATTEO ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  UMBACH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement besitzt einen Halbleiterkörper (100), der entgegengesetzte Unterseiten (102) und Oberseiten (101) aufweist, eine Oberfläche (103), die den Halbleiterkörper (100) umgibt, ein aktives Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, ein Randgebiet, das das aktive Halbleitergebiet (110) umgibt, eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n), das in dem Randgebiet (120) ausgebildet ist, und eine Randabschlussstruktur (20), die in dem Randgebiet (120) an der Oberseite (101) ausgebildet ist, und eine Abschirmstruktur (40, 50), die auf der der Unterseite (102) abgewandten Seite der Randabschlussstruktur (20) angeordnet ist. Die Abschirmstruktur (40, 50) besitzt eine Anzahl von N1 ≥ 2 ersten Segmenten (40), und eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiten Segmenten (50). Ein jedes der ersten Segmente (40) ist mit jedem der anderen ersten Segmente (40) und mit jedem der zweiten Segmente (50) elektrisch verbunden, und jedes der zweiten Segmente (50) besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der höher ist, als ein spezifischer elektrischer Widerstand eines jeden der ersten Segmente (40).

公开(公告)号：DE10143515A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：DE10143515

申请日：2001-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUEB MICHAEL ,  UMBACH FRANK ,  WERNER WOLFGANG

IPC: G03F1/20 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  G03F9/00

Abstract: Mask arrangement comprises a number of mask elements each having a mask pattern (11, 12, 13). The mask elements are arranged in a predetermined spatial relationship. The mask arrangement is formed with a combination mask pattern by interacting and/or overlapping the mask pattern. An Independent claim is also included for a process for the production of the mask arrangement. A first mask element with a first mask pattern and a second mask element with a second mask pattern are arranged in the mask elements. The mask elements are connected together in the arrangement either directly or via a connecting region which is formed as an adhesive layer, semiconductor layer and/or silicon oxide layer.