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公开(公告)号：FR2952175A1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：FR1004265
申请日：2010-10-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO , WERTH TOBIAS , SLAMA PETER , ZIMMER JUERGEN , RABERG WOLFGAN , SCHMITT STEPHAN , ORASCH MARTIN
IPC: G01D5/12
Abstract: Elément (10) magnétique formant codeur, comprenant un capteur de champ magnétique pour mesurer une position le long d'une première direction, l'élément étant caractérisé en ce qu'il comprend une première piste (15) comprenant un matériau procurant une configuration magnétique le long de la première direction, la configuration magnétique étant formée par un vecteur d'aimantation rémanente, qui a une amplitude variable en fonction d'une position le long de la première direction, le vecteur d'aimantation rémanente ne changeant pas d'orientation le long de la première direction.
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12.发明专利
公开(公告)号：DE102006062750B4
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：DE102006062750
申请日：2006-09-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JUERGEN
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公开(公告)号：DE102009050427A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：DE102009050427
申请日：2009-10-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK , ZIMMER JUERGEN
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公开(公告)号：DE102007032867B4
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：DE102007032867
申请日：2007-07-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RABERG WOLFGANG , ZIMMER JUERGEN
Abstract: A magnetic field sensor structure including a first magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a first reference layer structure with a first reference magnetization direction and a second magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a second reference layer structure with a second reference magnetization direction, wherein the first and second magnetoresistive elements are arranged in a layer vertically above each other and galvanically isolated from each other by an intermediate layer, and wherein the first and second reference magnetization directions are different.
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公开(公告)号：DE102005010338B4
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：DE102005010338
申请日：2005-03-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , QUANDT ECKARD , RUEHRIG MANFRED
Abstract: The arrangement has a layer sequence including reference layers, separation layer and measurement layers (121-125) arranged one above the other. The measurement layers have magnetostriction constant different from zero, and a uni-axial magnetic anisotropy with anisotropy axis. Magnetization directions and anisotropy axis of the measurement layers have an angle more than zero and less than 90 degree with the force axis in rest condition. An independent claim is also included for a method for determining the force acting on a carrier of a force sensor.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102005009390B3
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：DE102005009390
申请日：2005-03-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , RUEHRIG MANFRED , QUANDT ECKHARD
Abstract: The sensor has a separation layer (21) between two neighboring arranged magnetic layers (11, 12). Each magnetic layer has a direction of magnetization (M1, M2, M3), where the directions of magnetization of two neighboring magnetic layers are aligned parallel due to ferromagnetic coupling (FM) or are aligned antiparallel due to antiferromagnetic coupling (AFM) in an ideal state of the magnetic layers. An independent claim is also included for a method of determining force acting on a force sensor.
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公开(公告)号：DE102005047413A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：DE102005047413
申请日：2005-10-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： TATSCHL DAVID , HAMMERSCHMIDT DIRK , ZIMMER JUERGEN
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18.发明专利
公开(公告)号：DE102009034233B4
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：DE102009034233
申请日：2009-07-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KOSS SEBASTIAN , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Magneterfassungssystem (100), das folgende Merkmale aufweist:einen Leiter (110) mit einem Stromflussweg (116);wobei der Leiter einen ersten Ort (120) aufweist, der einen ersten Querschnittbereich definiert, und einen zweiten Ort (122), der einen zweiten Querschnittbereich definiert, wobei ein Strom, der durch den Leiter (110) fließt, Magnetfeldlinien mit Stärken einrichtet, die gemäß dem Leiterquerschnittsbereich variieren; undeine Mehrzahl von Sensoren (130), die ein erstes Paar aus Sensoren umfasst, das in der Nähe des ersten Orts (120) positioniert ist, und ein zweites Paar aus Sensoren, das in der Nähe des zweiten Orts (122) positioniert ist, wobei die Sensoren (130) konfiguriert sind, um die Magnetfeldlinien an ihren entsprechenden Orten zu messen,wobei die Paaren aus Sensoren die Schenkel einer Brückenschaltung bilden, wobei ein erstes der Paare aus Sensoren an einem Ort positioniert ist, wo der Wert der Magnetfeldlinien auf einem Maximum ist, und ein zweites der Paare aus Sensoren an einem Ort positioniert ist, wo der Wert der Magnetfeldlinien auf einem Minimum ist, undwobei ein drittes und ein viertes der Paare aus Sensoren (130) an Orten positioniert sind, wo der Wert der Magnetfeldlinien größer ist als das Minimum und kleiner ist als das Maximum, und das dritte und vierte der Paare aus Sensoren (130) an Orten positioniert sind, die ungefähr gleich beabstandet von einem Ort sind, wo die Magnetfeldlinien null sind.
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公开(公告)号：DE102014119488A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：DE102014119488
申请日：2014-12-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SATZ ARMIN , BRUECKL HUBERT , RABERG WOLFGANG , SUESS DIETER , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Ein Bauelement (100) gemäß einem Ausführungsbeispiel kann eine magneto-resistive Struktur (110), die eine freie Magnetschicht (130) mit einer spontan erzeugten Magnetisierungsstruktur mit geschlossenem Fluss in der Ebene umfasst, und eine Referenz-Magnetschicht (140) mit einer Magnetisierungsstruktur mit nicht-geschlossenem Fluss, aufweisen.
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公开(公告)号：DE102008039331B4
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：DE102008039331
申请日：2008-08-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PRUEGL KLEMENS , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Integrierte Schaltung, die folgende Merkmale aufweist: zwei erste benachbarte xMR-Strukturen (120, 122), wobei jede erste xMR-Struktur (120, 122) dahin gehend konfiguriert ist, ein erstes Magnetfeld zu erfassen; und zwei zweite benachbarte xMR-Strukturen (124, 126), die von den zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) beabstandet sind, wobei jede zweite xMR-Struktur (124, 126) dahin gehend konfiguriert ist, ein zweites Magnetfeld zu erfassen; wobei die zwei ersten xMR-Strukturen und die zwei zweiten xMR-Strukturen derart konfiguriert sind, dass das durch einen Wandler an den zwei ersten xMR-Strukturen gelieferte erste Magnetfeld von dem durch den Wandler an den zwei zweiten xMR-Strukturen gelieferten zweiten Magnetfeld um 180° phasenverschoben ist, und wobei die erste In-Ebene-Magnetfeldkomponente von der zweiten In-Ebene-Magnetfeldkomponente um 180° phasenverschoben ist, wobei die zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) und die zwei zweiten xMR-Strukturen für In-Ebene-Magnetfeldkomponenten konfiguriert sind, die zu dem ersten Magnetfeld und dem zweiten Magnetfeld senkrecht sind und von dem ersten Magnetfeld und dem zweiten Magnetfeld, die auf die zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) und die zwei zweiten xMR-Strukturen (124, 126) einwirken, um 90° phasenverschoben sind, wobei die ersten und zweiten xMR-Strukturen (120–126) geeignet sind, um eine variierende Magnetfeldrichtung zu detektieren, eine zu den zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) benachbarte erste Leitung (209a), die dahin gehend konfiguriert ist, eine zu dem ersten Magnetfeld senkrechte, um 90° phasenverschobene erste In-Ebene-Magnetfeldkomponente zu liefern; und eine zu den zwei zweiten xMR-Strukturen (124, 126) benachbarte zweite Leitung (209b), die dahin gehend konfiguriert ist, eine zu dem zweiten Magnetfeld senkrechte, um 90° phasenverschobene zweite In-Ebene-Magnetfeldkomponente zu liefern.
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