公开(公告)号：DE102014108867A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014108867

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WITTMANN MICHAEL ,  STOLL ION ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: Bauelement mit einem Gehäuse, wobei in das Gehäuse ein erster Leiterrahmenabschnitt eingebettet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt auf einer Seite eine Chiplandefläche zur Aufnahme eines elektronischen Bauelements aufweist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt auf einer zweiten Seite eine erste Lötkontaktfläche aufweist, wobei die erste Lötkontaktfläche frei von dem Gehäuse ist, wobei die erste Lötkontaktfläche eine erste Rille aufweist, wobei die erste Rille an einem Randbereich der ersten Lötkontaktfläche angeordnet ist, wobei die erste Rille wenigstens teilweise mit Barrierematerial gefüllt ist, wobei das Barrierematerial fließhemmend für Flussmittel und/oder Lotmittel ist.

公开(公告)号：DE102014102183A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102014102183

申请日：2014-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/673

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Hilfsträgers, ein Ausbilden von separaten Anschlusselementen auf dem Hilfsträger, und ein Ausbilden eines Formkörpers auf dem Hilfsträger mit Ausnehmungen. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips auf Anschlusselementen in den Ausnehmungen des Formkörpers, ein Entfernen des Hilfsträgers, und ein Durchtrennen des Formkörpers zum Bilden von vereinzelten optoelektronischen Bauelementen. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

公开(公告)号：DE102013220960A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013220960

申请日：2013-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Gehäusekörper, an dessen Oberseite eine Kavität ausgebildet ist. An der Oberseite des Gehäusekörpers ist außerdem ein Kanal ausgebildet, der sich von der Kavität zu einer Außenkante der Oberseite des Gehäusekörpers erstreckt.

公开(公告)号：DE102013212928A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：DE102013212928

申请日：2013-07-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  BURGER MARKUS

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten Maskenschicht, zum Bereitstellen eines Trägers mit auf einer Oberfläche des Trägers angeordneten Wänden, die einen Aufnahmebereich seitlich begrenzen, zum Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips im Aufnahmebereich, wobei eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips der Oberfläche des Trägers zugewandt wird, zum Auffüllen eines den optoelektronischen Halbleiterchip umgebenden Bereichs des Aufnahmebereichs mit einem optisch reflektierenden Material bis zu einer Höhe, die zwischen der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und einer Oberseite der Maskenschicht liegt, zum Entfernen der Maskenschicht, um einen Freiraum im optisch reflektierenden Material zu schaffen, und zum Einbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials in den Freiraum.

公开(公告)号：DE102012109144A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109144

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen von optischen Bauteilen, umfassend: Bereitstellen einer Bauteilgruppe (100) aufweisend einen Leiterrahmen (102) und eine Vielzahl von optischen Bauteilen (118), wobei der Leiterrahmen (102) die Vielzahl von optischen Bauteilen (118) verbindet und die optischen Bauteile (118) eingerichtet sind, eine elektromagnetische Strahlung aufzunehmen oder abzugeben, und Aufbringen einer für die elektromagnetische Strahlung der optischen Bauteile (118) transparenten oder transluzenten Formmasse (306) auf eine erste Seite (114) der Bauteilgruppe (100).

公开(公告)号：DE102018109542B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102018109542

申请日：2018-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA ,  CHOU SAM ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Licht emittierendes Bauelement (100), aufweisend- einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1) mit einer Lichtauskoppelfläche (10) und- ein optisches Element (4) über der Lichtauskoppelfläche (10), wobei der Licht emittierende Halbleiterchip (1) lateral von einem Rahmenelement (2) formschlüssig umgeben ist,wobei das optische Element (4) auf dem Rahmenelement (2) montiert ist,wobei das Rahmenelement (2) die Lichtauskoppelfläche (10) in einer vertikalen Richtung derart überragt, dass zumindest in einem Teilbereich ein gasgefüllter Spalt (6) zwischen der Lichtauskoppelfläche (10) und dem optischen Element (4) vorhanden ist, undwobei das Rahmenelement (2) einen Kanal (7) aufweist, der den Spalt (6) mit einer das Licht emittierende Bauelement (100) umgebenden Atmosphäre verbindet.

公开(公告)号：DE102018125632A1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE102018125632

申请日：2018-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  PAJKIC ZELJKO ,  SCHULTEN DOMINIK

IPC: H01L23/544 ,  F21K9/64 ,  H01L21/78 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen (100) umfasst folgende Schritte: Bereitstellen von mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (12), die in eine Trägerschicht (20) eingebettet sind, wobei eine Konversionsschicht (21) auf den optoelektronischen Halbleiterchips (12) und der Trägerschicht (20) aufgebracht ist, Erzeugen von Markierungen (25) in und/oder auf der Konversionsschicht (21), und Durchtrennen der Trägerschicht (20), um optoelektronische Bauelemente (100) zu erhalten, wobei die optoelektronischen Bauelemente (100) jeweils mindestens eine der Markierungen (25) aufweisen.

公开(公告)号：DE102017105035A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：DE102017105035

申请日：2017-03-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauteil, aufweisend ein lichtemittierendes Bauelement und ein Gehäuse mit einer Kavität. Das Gehäuse weist ein Gehäusematerial auf, das eine Absorption von Licht im sichtbaren Bereich von mindestens 80 Prozent aufweist. Die Kavität ist durch eine Begrenzungswand und eine Bauelementebene gebildet, wobei die Begrenzungswand durch eine Oberfläche des Gehäuses gebildet wird. Das lichtemittierende Bauelement ist innerhalb der Kavität des Gehäuses angeordnet und oberhalb der Bauelementebene platziert. Das lichtemittierende Bauelement weist eine Emissionsseite auf, die der Bauelementebene gegenüberliegt. Die Kavität ist mit einem transparenten Material zumindest teilweise gefüllt. Das transparente Material ist aus einem ersten Material und einem zweiten Material aufgebaut, wobei das erste Material die Begrenzungswand zumindest teilweise bedeckt, und wobei das zweite Material die Emissionsseite zumindest teilweise bedeckt. Eine Grenzfläche ist zwischen dem ersten Material und dem zweiten Material ausgebildet. Ein erster Brechungsindex des ersten Materials ist kleiner als ein zweiter Brechungsindex des zweiten Materials.

公开(公告)号：DE102016122532A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：DE102016122532

申请日：2016-11-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip, einem Konversionselement und einem Körper. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips angeordnet und in den Körper eingebettet. Auf einer von dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements bedeckt eine Schicht des Körpers das Konversionselement.

公开(公告)号：DE102016103354A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103354

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WITTMANN MICHAEL ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil mit wenigstens einem Leiterrahmenabschnitt, wobei auf dem Leiterrahmenabschnitt ein optoelektronisches Bauelement angeordnet ist, wobei wenigstens auf einer ersten Fläche des Leiterrahmens ein Moldmaterial aufgebracht und mit dem Leiterrahmenabschnitt über die erste Fläche verbunden ist, wobei der Leiterrahmenabschnitt aus einem Material besteht, und wobei ein Teil der Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes mit einer Beschichtung versehen ist, wobei wenigstens ein erster Bereich der ersten Fläche frei von der Beschichtung ist.