公开(公告)号：WO2015055646A3

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/EP2014072007

申请日：2014-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  GELTL TOBIAS

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L22/26 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a method for the production of an optoelectronic component. In said method, a number of optoelectronic semiconductor chips are arranged on a carrier. Further provision is made for a common compression of separate moulding compounds in the region of the optoelectronic semiconductor chips, allowing separate moulded bodies to be formed in the region of the optoelectronic semiconductor chips.

Abstract translation: 制造光电子器件，本发明涉及一种方法，用于制造光电子组件。 在该方法中，多个光电子半导体芯片被布置在载体上。 还提供了在光电子半导体芯片的分开的字段模塑组合物的一个共同的压缩，所述光电子半导体芯片的区域中形成单独的模制品。

公开(公告)号：WO2014049059A3

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/EP2013070081

申请日：2013-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  GEBUHR TOBIAS ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L21/56 ,  B29C45/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/495 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/561 ,  B29C45/14467 ,  B29C45/14655 ,  B29C2045/14327 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1204 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: A method for producing electrical components (408), comprising: - fixing a punched leadframe (102) in a mould (116), wherein the punched leadframe (102) has a plurality of connection areas (106), which are designed for the connection of at least one electronic element (402), and a plurality of connecting structures (108), wherein the connecting structures (108) mechanically connect a plurality of connection areas (106) to one another, - fixing a sealing frame (104) in the mould (116), wherein the sealing frame (104) entirely surrounds the punched leadframe (102), and - applying a moulding composition (400) to the punched leadframe (102) and the sealing frame (104), wherein the moulding composition (400) mechanically connects the punched leadframe (102) and the sealing frame (104).

Abstract translation: 用于连接至少一个电子元件在模具中（116），其中，所述引线框（102）具有多个焊盘（106）的固定引线框（102） - ：用于制造电气部件（408），的方法，包括 （402）中形成;以及多个连接结构（108），其中所述连接结构（108）的多个焊盘（106）的连接到彼此机械的 - 在所述模具（116）固定的密封框（104），所述密封框架（104 ）的引线框（102）完全包围;以及 - 施加模制化合物（400）到所述引线框（102）和所述密封框架（104），其中所述模制化合物（400）的引线框（102）和所述密封框架（104） 机械连接。

公开(公告)号：WO2012160107A3

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/EP2012059627

申请日：2012-05-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PETERSEN KIRSTIN ,  PREUS STEPHAN ,  PINDL MARKUS ,  BOSS MARKUS ,  BRANDL MARTIN

Inventor： PETERSEN KIRSTIN ,  PREUS STEPHAN ,  PINDL MARKUS ,  BOSS MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/58 ,  B29C43/20 ,  B29D11/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21K9/50 ,  B29C43/021 ,  B29C43/20 ,  B29D11/0073 ,  B29D11/00807 ,  F21K9/60 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optical element for coupling out light and/or converting light from a light-emitting semiconductor chip (5), comprising at least one layer selected from a wavelength conversion layer (1), a diffusion layer (2), a light out-coupling layer (3), and a lens layer (7), which each have a plastic that can be processed in a compressing molding process. The invention further relates to an optoelectronic component, comprising a substrate (4) having a light-emitting semiconductor chip (5) and an optical element, and to a method for producing an optical element and an optoelectronic component.

Abstract translation: 它是用于光提取和/或发光半导体芯片的光的转化率的光学元件（5）具有由波长转换层中选择的至少一个层（1），散射层（2），光提取层（3）和一个透镜层（7） 指明，每个具有在塑料成型工艺可加工。 此外，在支持体（4），其具有发光半导体芯片的光电子器件中给出（5）和用于制造光学元件和光电子器件的光学元件及其制造方法。

公开(公告)号：WO2013021024A3

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012065565

申请日：2012-08-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BOSS MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  GELTL TOBIAS ,  PINDL MARKUS

Inventor： BOSS MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  GELTL TOBIAS ,  PINDL MARKUS

IPC: B29C43/18 ,  B29C45/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

CPC classification number: B29C43/18 ,  H01L21/566 ,  H01L31/02322 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a carrier film (200, 210, 220, 230) for accommodating a silicon element (410) in a pressing method, wherein the carrier film (200, 210, 220, 230) is surface-treated at least in a sub-area (211, 231) in such a way that the adhesive effect with respect to silicon is increased in the treated area. The invention further relates to a system comprising a surface-treated carrier film (200, 210, 220, 230) and a silicon element (410) applied to the carrier film (200, 210, 220, 230), wherein the silicon element (410) lies at least partially on the surface-treated area (211, 213).

Abstract translation: 本发明涉及一种支撑片（200，210，220，230），用于在压制过程中的至少一个部分区域（211，231），在这样的表面处理过的接收的硅元件（410），其中，所述载体膜（200，210，220，230） 因为处理区域对硅氧烷的粘附性增加。 此外，本发明涉及包含表面处理过的载体箔（200，210，220，230）的系统和在该支持片材（200,210，220,230）施加硅氧烷构件（410），其中所述有机硅构件（410）至少部分地对 表面处理区域（211,213）搁置。

公开(公告)号：WO2014060355A3

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013071428

申请日：2013-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  BOSS MARKUS ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  BRUNNER HERBERT ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components is specified, comprising the following steps: - providing an auxiliary carrier (1), - applying a multiplicity of arrangements (20) of electrically conductive first contact elements (21) and second contact elements (22) on the auxiliary carrier (1), - applying an optoelectronic semiconductor chip (3) in each case on the second contact element (22) of each arrangement (20), - electrically conductively connecting the optoelectronic semiconductor chips (3) to the first contact elements (21) of the relevant arrangement (20), - encapsulating the first contact elements (21) and the second contact elements (22) with an encapsulation material (4), and - singulating into a multiplicity of optoelectronic semiconductor components, wherein - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (21b) of each first contact element (21), said underside facing the auxiliary carrier (1), and - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (22b) of each second contact element (22), said underside facing the auxiliary carrier (1).

Abstract translation: 提供了一种方法，用于生产包括以下步骤光电子半导体器件的多重性：• - 提供辅助载体（1），• - 将导电的第一接触元件（21）和第二接触元件的多个阵列的（20）（22） 在辅助支架（1），• - 将在每种情况下一个光电半导体的每个组件（20）的第二接触元件（22）上芯片（3），• - 光电子半导体芯片的导电连接（3）与相应的第一接触元件（21） 组件（20），• - 涂覆第一接触元件（21）和所述第二接触元件（22）的包装材料（4），以及• - 分离成多个光电半导体部件的方法，其中• - 所述包装材料（4）与冲洗 面向底部的辅助载体（1）（21B）的每个第一接触元件（21）关闭，并且• - 订单 hüllungsmaterial（4）与所述辅助载体（1）齐平面对底部（22b）的每一个第二接触元件（22）关闭。

公开(公告)号：WO2012107263A3

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012050776

申请日：2012-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEBUHR TOBIAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/483 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: An optoelectronic component (100) comprises a substrate (102) and a transparent cover (106) in which a cavity (108) is formed. A semiconductor (104) is mounted on the substrate (102). The transparent cover (106) covers at least the surface of the semiconductor chip (104) facing away from the substrate (102). The transparent cover (106) has a hardness greater than that of silicone.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括衬底（102）和在所述腔（108）的光透过的盖（106）形成。 在该基板（102），半导体芯片（104）被布置。 透光盖（106）覆盖所述半导体芯片（104）中的至少面向远离所述基板（102）表面。 透光盖（106）具有比硅更大的硬度。

公开(公告)号：DE112015004077B4

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE112015004077

申请日：2015-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  MOOSBURGER JÜRGEN

IPC: H10H20/852 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H10H20/85 ,  H10H20/853 ,  H10H20/856 ,  H10H20/857

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20)mit den folgenden Schritten:- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (200) und eines Reflektors (400) an einer Oberseite (111) einer Trägerfolie (110);- Anordnen eines Vergussmaterials (500) in einem Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) und dem Reflektor (400);- Ausbilden eines Formkörpers (600), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (200), der Reflektor (400) und das Vergussmaterial (500) in den Formkörper (600) eingebettet werden,wobei der Formkörper (600) so ausgebildet wird, dass eine von der Trägerfolie (110) abgewandte Oberfläche (202) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) durch den Formkörper (600) bedeckt wird,wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst:- Entfernen eines Teils (610) des Formkörpers (600), um die von der Trägerfolie (110) abgewandte Oberfläche (202) des optoelektronischen Halbleiterchips (200) zumindest teilweise freizulegen.

公开(公告)号：DE102017105035B4

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102017105035

申请日：2017-03-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/58

Abstract: Lichtemittierendes Bauteil (100), aufweisend ein lichtemittierendes Bauelement (110) und ein Gehäuse (120) mit einer Kavität (121), wobei das Gehäuse (120) ein Gehäusematerial aufweist, wobei das Gehäusematerial eine Absorption von Licht im sichtbaren Bereich von mindestens 80 Prozent aufweist, wobei die Kavität (121) durch eine Begrenzungswand (123) und eine Bauelementebene (122) (122) gebildet ist, wobei die Begrenzungswand (123) durch eine Oberfläche des Gehäuses (120) gebildet wird, wobei das lichtemittierende Bauelement (110) innerhalb der Kavität (121) des Gehäuses (120) angeordnet und oberhalb der Bauelementebene (122) platziert ist, wobei das lichtemittierende Bauelement (110) eine Emissionsseite (111) aufweist, wobei die Emissionsseite (111) der Bauelementebene (122) gegenüberliegt, wobei eine Emissionsebene durch die Emissionsseite (111) des lichtemittierenden Bauelements (110) verläuft, wobei die Kavität (121) mit einem transparenten Material (130) zumindest teilweise gefüllt ist, wobei das transparente Material (130) aus einem ersten Material (131) und einem zweiten Material (132) aufgebaut ist, wobei das erste Material (131) die Begrenzungswand (123) zumindest teilweise bedeckt, wobei das zweite Material (132) die Emissionsseite (111) zumindest teilweise bedeckt, wobei eine Grenzfläche (133) zwischen dem ersten Material (131) und dem zweiten Material (132) ausgebildet ist, wobei ein erster Brechungsindex des ersten Materials (131) kleiner ist als ein zweiter Brechungsindex des zweiten Materials (132), wobei die Grenzfläche (133) eine Krümmung aufweist, wobei durch die Krümmung ein Teil des ersten Materials (131) oberhalb der Emissionsebene des lichtemittierenden Bauelements (110) angeordnet ist, wobei die Krümmung der Grenzfläche (133) derart ausgebildet ist, dass ein von der Emissionsseite (111) ausgehender, vom lichtemittierenden Bauelement (110) ausgesendeter Lichtstrahl unter einem Winkel auf die Grenzfläche (133) trifft, und wobei der Winkel größer ist als ein Grenzwinkel für eine Totalreflexion.

公开(公告)号：DE102013022665B3

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102013022665

申请日：2013-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  SOBCZYK SANDRA

IPC: H01L33/58 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mit den Schritten:a) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind;b) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (30), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips angeordnet ist;c) Ausbilden einer Mehrzahl von Kehlen (4), die jeweils an einen Halbleiterchip (2) angrenzen und die in lateraler Richtung durch eine Seitenfläche (20) des jeweiligen Halbleiterchips (2) und den Gehäusekörperverbund (30) begrenzt sind, wobei das Ausbilden der Kehlen (4) zumindest teilweise vor dem Ausbilden des Gehäusekörperverbunds (30) erfolgt; undd) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (30) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1), wobei jedes Halbleiterbauelement (1) zumindest einen Halbleiterchip (2) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (30) als Gehäusekörper (3) aufweist und wobei die Halbleiterchips (2) jeweils an einer einer Montagefläche (15) gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche (10) der Halbleiterbauelemente frei von Material des Gehäusekörpers (3) sind; wobei die Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der Kehlen vor Schritt b) mit einem Umformungsmaterial derart umformt werden, dass die Seitenflächen (20) der Halbleiterchips (2) zumindest teilweise bedeckt sind und das Umformungsmaterial in Schritt b) von einer Formmasse für den Gehäusekörperverbund (30) umformt wird und wobei das Umformungsmaterial (30) ein Füllmaterial (40) ist, das in den Halbleiterbauelementen (1) verbleibt.

公开(公告)号：DE102017106407A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：DE102017106407

申请日：2017-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  BURGER MARKUS ,  BOSS MARKUS ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01L33/52

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritt:A) Bereitstellen eines Chipträgers (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (22) an einer Trägeroberseite (20),B) Anbringen mindestens eines Halbleiterchips (3), der zur Lichterzeugung eingerichtet ist, auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22),C) Aufbringen zumindest einer Abdichtstruktur (4) auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), sodass die Abdichtstruktur (4) mindestens einen Kontaktbereich (24) in Draufsicht gesehen ringsum vollständig umschließt,D) Erzeugen eines Vergusskörpers (5) direkt an dem mindestens einen Halbleiterchip (3) und direkt an der zumindest einen Abdichtstruktur (4) mittels Spritzgießen oder Spritzpressen, wobei die zumindest eine Abdichtstruktur (4) in einem Spritzwerkzeug (61, 62) den mindestens einen Kontaktbereich (24) gegenüber einem Material des Vergusskörpers (5) abdichtet, sodass der mindestens eine Kontaktbereich (24) frei von dem Vergusskörper (5) bleibt.