公开(公告)号：WO2015082498A3

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/EP2014076307

申请日：2014-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEHN KLAUS ,  HAIBERGER LUCA ,  WICKE MARKUS

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/105 ,  H01C17/065 ,  H01C17/16

CPC classification number: H01C7/1006 ,  H01C7/10 ,  H01C7/105 ,  H01C17/0652 ,  H01C17/06526 ,  H01C17/06586 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291

Abstract: The invention relates to a varistor paste comprising a matrix material and particles embedded in the matrix material. Said matrix material has a viscosity of less than 0,8 Pa.s without the embedded particles. Said embedded particles comprise varistor particles.

Abstract translation: 变阻器包括基质材料和基质材料嵌入的颗粒。 如果没有嵌入的颗粒，所述基质材料到小于0.8帕的粘度。 嵌入的颗粒包含变阻器。

公开(公告)号：DE102018121334A1

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：DE102018121334

申请日：2018-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  HAIBERGER LUCA

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen aktiven Bereich (100) umfasst, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der Halbleiterkörper (10) eine Hauptfläche (10A) aufweist, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (10) verläuft. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) eine Kontaktfläche (20), die auf einer dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (10) vorgesehen ist und eine Reflexionsschicht (30), die auf der dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und die in dem aktiven Bereich (100) erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest zum Teil in Richtung des aktiven Bereichs (100) zurück reflektiert. Weitergehend bildet ein Teil der Hauptfläche (10A) eine Strahlungsauskoppelfläche (100A) die zumindest teilweise von der Reflexionsschicht (30) lateral begrenzt ist. Ferner sind die Kontaktfläche (20) und die Reflexionsschicht (30) nebeneinander angeordnet.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017115181A1

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：DE102017115181

申请日：2017-07-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung von Primärstrahlung. Ein Vergusskörper (3) ist zur Reflektion der Primärstrahlung eingerichtet. Ein Leuchtstoffkörper (4) dient zur mindestens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung. Ein Spiegelkörper (5) zur diffusen Reflexion der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung bedeckt den Halbleiterchip (2) vollständig und eine dem Halbleiterchip (2) abgewandte Leuchtstoffoberseite (40) mindestens überwiegend. Der Vergusskörper (3) bedeckt Seitenflächen (21) des Halbleiterchips (2) mindestens überwiegend. Eine Chipoberseite (23) des Halbleiterchips (2) ist vollständig von dem Leuchtstoffkörper (4) bedeckt.

公开(公告)号：DE102015105137A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102015105137

申请日：2015-04-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA ,  CHOU SAM

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/52 ,  H01L33/58

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine zu einer Gehäuseoberfläche geöffnete Kavität aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in der Kavität angeordnet ist. Die Kavität weist einen inneren Teil und einen äußeren Teil auf, die entlang einer axialen Richtung der Kavität hintereinander angeordnet sind. Zwei einander gegenüberliegende Abschnitte einer Wandung der Kavität schließen im inneren Teil einen ersten Öffnungswinkel und im äußeren Teil einen zweiten Öffnungswinkel ein. Dabei ist der zweite Öffnungswinkel größer als der erste Öffnungswinkel.

公开(公告)号：DE102014106882A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102014106882

申请日：2014-05-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, an dessen Oberseite eine Kavität ausgebildet ist, die durch eine Wand begrenzt wird. Das Gehäuse weist einen Leerraum auf. Die Wand ist zwischen der Kavität und dem Leerraum angeordnet. Die Wand weist ein optisch transparentes Material auf.

公开(公告)号：DE102018118110A1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：DE102018118110

申请日：2018-07-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  PAJKIC ZELJKO ,  HAIBERGER LUCA

IPC: G01N21/62 ,  A61B5/00 ,  G01N33/00 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18

Abstract: Eine Sensorvorrichtung (10) umfasst mindestens einen Lichtemitter (12), mindestens einen Lichtdetektor (13), ein Gehäuse (25), in dem der mindestens eine Lichtemitter (12) und der mindestens eine Lichtdetektor (13) untergebracht sind, und mindestens einen Kanal (20), der einen Durchgang durch das Gehäuse (25) bildet, wobei der mindestens eine Lichtemitter (12) und der mindestens eine Lichtdetektor (13) derart angeordnet sind, dass von dem mindestens einen Lichtemitter (12) emittiertes Licht den mindestens einen Kanal (20) durchläuft und danach von dem mindestens einen Lichtdetektor (13) detektiert wird.

公开(公告)号：DE102017129994A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017129994

申请日：2017-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L25/075 ,  A41D1/00 ,  D02G3/12 ,  D03D15/00 ,  F21S4/26 ,  G02B6/42 ,  H01L21/50 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Textilkomponente (1) wenigstens einen flexiblen, webbaren Faden (10). In oder an dem Faden (10) ist eine Vielzahl von Halbleitersäulen (3) befestigt, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind. Ferner befinden sich in oder an dem Faden (10) mehrere elektrische Leitungen (4), mittels denen die Halbleitersäulen (3) elektrisch kontaktiert sind. Eine mittlere Höhe (H) der Halbleitersäulen (3) in Richtung quer zu einer Längsrichtung (L) des Fadens (10) liegt bei höchstens 20 % eines mittleren Durchmessers (D) des Fadens (10).

公开(公告)号：DE102017110216A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102017110216

申请日：2017-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA

IPC: H01L25/16 ,  A61B5/1455 ,  H01L31/09 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/52 ,  H01L33/58

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Sensormodul (1) einen ersten Halbleitersenderchip (21) zur Emission von Strahlung einer ersten Wellenlänge und einen zweiten Halbleitersenderchip (22) zur Emission von Strahlung einer zweiten Wellenlänge. Ein Halbleiterdetektorchip (3) ist zur Detektion der Strahlungen vorgesehen. Die Chips (21, 22, 3) befinden sich in einer gemeinsamen Ebene und sind durch einen für die Strahlungen undurchlässigen Vergusskörper (4) mechanisch miteinander verbunden, wobei sich der Vergusskörper (4) unmittelbar auf Seitenflächen der Chips (21, 22, 3) erstreckt. Ein Abstand zwischen den Chips (21, 22, 3) ist kleiner oder gleich dem doppelten einer mittleren Diagonalenlänge der Chips (21, 22, 3). Das Sensormodul (1) ist dazu eingerichtet, an einem zu untersuchenden Körperteil (7) anzuliegen.

公开(公告)号：DE102016105491A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102016105491

申请日：2016-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA ,  BOGNER GEORG

IPC: H01L33/62 ,  G09F9/33 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer metallischen Leiterstruktur, wobei die Leiterstruktur in einer ersten Ebene angeordnete vorderseitige Leiterabschnitte, in einer zweiten Ebene versetzt zur ersten Ebene angeordnete rückseitige Leiterabschnitte, sich zwischen den vorderseitigen und rückseitigen Leiterabschnitten erstreckende Zwischenabschnitte und die rückseitigen Leiterabschnitte verbindende Verbindungselemente aufweist. Weiter vorgesehen ist ein Umformen der Leiterstruktur mit einer Formmasse, so dass ein Träger mit einer Vorderseite und einer Rückseite bereitgestellt wird, wobei die vorderseitigen Leiterabschnitte an der Vorderseite und die rückseitigen Leiterabschnitte an der Rückseite des Trägers freiliegen. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Vorderseite des Trägers und ein Durchführen eines Vereinzelungsprozesses. Hierbei wird der Träger im Bereich der Verbindungselemente und der rückseitigen Leiterabschnitte durchtrennt und werden vereinzelte oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente gebildet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und eine Anzeigevorrichtung.

公开(公告)号：DE102016100320A1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE102016100320

申请日：2016-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER LUCA ,  RACZ DAVID ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

Abstract: Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Strahlungsseite (2), über die im Betrieb elektromagnetische Strahlung ein- oder ausgekoppelt wird. Der Strahlungsseite (2) gegenüber liegt eine Kontaktseite (3) mit zumindest zwei elektrisch leitenden Kontaktelementen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung des Bauelements (100). Zwischen der Strahlungsseite (2) und der Kontaktseite (3) ist eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) angeordnet, die im bestimmungsgemäßen Betrieb die elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Die Kontaktelemente (31, 32) sind an der Kontaktseite (3) voneinander beabstandet und liegen im unmontierten Zustand des Bauelements (100) an der Kontaktseite (3) ganz oder teilweise frei. Der Bereich der Kontaktseite (3) zwischen den Kontaktelementen (31, 32) ist teilweise oder vollständig mit einem elektrisch isolierenden Kühlelement (33) bedeckt. Das Kühlelement (33) ist in direktem Kontakt mit der Kontaktseite (3) und weist eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 30 W/(m·K) auf.