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    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    11.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016156312A9

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2016/056794

    申请日：2016-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI, Asako ,  MEYER, Tobias ,  DRECHSEL, Philipp ,  STAUSS, Peter ,  NIRSCHL, Anna ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  NIEBLING, Tobias ,  GALLER, Bastian

    IPC: H01L33/06

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

    Abstract translation:

    在光电子半导体芯片的示范性导航用途引导形状（1）包括具有多量子阱结构的有源区（3），其包括多个量子阱层（31）和阻挡层（32）（沿生长方向 G）交替地沿着彼此延伸并遍及整个多量子阱结构（3）。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子井结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 量子阱层（31）和/或在运输区域（42）的阻挡层（32）是d导航用途男士设计和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS
    12.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
    光电子半导体本体及其制造方法的光电子半导体本体

    公开(公告)号：WO2016151112A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/056649

    申请日：2016-03-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  HIRAI, Asako

    IPC: H01L33/14 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/34333

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Schicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer zwischen der ersten Schicht (10) und der zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung absorbiert oder emittiert. In dem Halbleiterkörper (100) ist eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten Injektionsbereichen (2) vorhanden, wobei innerhalb jedes Injektionsbereichs (2) die Halbleiterschichtenfolge (1) derart dotiert ist, dass innerhalb des gesamten Injektionsbereichs (2) die Halbleiterschichtenfolge (1) den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die erste Schicht (10) aufweist. Dabei durchdringt jeder Injektionsbereich (2) ausgehend von der ersten Schicht (10) die aktive Schicht (11) zumindest teilweise. Ferner ist jeder Injektionsbereich (2) lateral von einer zusammenhängenden Bahn der aktiven Schicht (11) umgeben, in der dieaktive Schicht (11) weniger oder entgegengesetzt dotiert ist als im Injektionsbereich (2). Im Betrieb des Halbleiterkörpers (100) gelangen Ladungsträger zumindest teilweise von der ersten Schicht (10) in die Injektionsbereiche (2) und werden von dort aus direkt in die aktive Schicht (11) injiziert.

    Abstract translation: 的光电子半导体主体（100）包括具有第一导电类型的第一层（10）的第二导电类型的半导体层序列（1），第二层（12）和在所述第一层（10）和第二层（12），其设置有源 层（11），其吸收在正常操作中或发射的电磁辐射。 在半导体主体（100）是多个在注射部的横向方向上并置的（2）存在时，其中每一个注入区域（2）内，该半导体层序列（1）被以这样的方式掺杂的，在整个喷射区域（2），所述半导体层序列（1） 具有相同的导电类型的第一层（10）。 每个注入区域（2）从所述第一层（10）贯穿，至少所述活性层（11）部分地。 此外，每个喷射区域（2）横向地从所述有源层的连续幅材（11）包围，在dieaktive层（11）是小于或相对比注射部位（2）掺杂。 在从注入区域的第一层（10）至少部分地在半导体主体（100）移动电荷载流子的操作（2），并从那里直接注入活性层（11）。

    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
    13.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
    边发射半导体激光器

    公开(公告)号：WO2011032841A2

    公开(公告)日：2011-03-24

    申请号：PCT/EP2010/062812

    申请日：2010-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  GRÖNNINGER, Günther ,  LAUER, Christian ,  KÖNIG, Harald

    Inventor： GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  GRÖNNINGER, Günther ,  LAUER, Christian ,  KÖNIG, Harald

    CPC classification number: H01S5/20 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/34313 ,  H01S2301/16 ,  H01S2301/166

    Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einer aktiven, Strahlungserzeugenden Zone (1), und einem Gesamtwellenleiter (8) offenbart, der dazu geeignet ist, die in der aktiven Zone (1) erzeugte Strahlung innerhalb des Halbleiterlasers zu führen. Der Gesamtwellenleiter (8) umfasst eine erste n-dotierte Schicht (4) und eine zweite n- dotierte Schicht (5), die zwischen der ersten n-dotierten Schicht (4) und der aktiven Zone (1) angeordnet ist, wobei der Brechungsindex n2 der zweiten n-dotierten Schicht (5) um einen Betrag dn größer ist als der Brechungsindex n 1 der ersten n-dotierten Schicht (4).

    Abstract translation: 有一个边发射半导体激光器具有活性，产生辐射的区域（1），并且公开了一种总波导（8），其适于引导在半导体激光器内的活性区（1）所产生的辐射。 总波导（8）包括（4）和第二n型掺杂的层设置在所述第一n掺杂层（4）和所述有源区（1），其中，所述折射率（5）之间的第一n掺杂层 所述第二n型掺杂层（5）的n2是更大的量的dn比第一n掺杂层（4）的折射率n1。

    ELEKTRONISCHES BAUTEIL SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS
    19.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES BAUTEIL SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS 审中-公开
    电子元件和生产电子元件的方法

    公开(公告)号：WO2017121529A1

    公开(公告)日：2017-07-20

    申请号：PCT/EP2016/078662

    申请日：2016-11-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUER, Adam ,  WALTER, Alexander ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  AHL, Jan-Philipp

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben, umfassend - eine erste Halbleiterschicht (11), - eine zweite Halbleiterschicht (12) und - eine aktive Zone (13) mit einer Quantentopfstruktur aufweisend eine Vielzahl von Quantentopfschichten (131), wobei - die aktive Zone (13) zusammenhängend zwischen der ersten Halbleiterschicht (11) und der zweiten Halbleiterschicht (12) ausgebildet ist, - die aktive Zone (13) zumindest eine Unterbrechung (2) aufweist, die sich in einer vertikalen Richtung (z) durch zumindest eine der Quantentopfschichten (131) hindurch erstreckt, - die zumindest eine Unterbrechung (2) mit einem Halbleitermaterial gebildet ist oder daraus besteht, und - die zumindest eine Unterbrechung (2) eine andere Materialzusammensetzung als die an die Unterbrechung (2) angrenzende Quantentopfschicht (131) aufweist.

    Abstract translation:

    本发明提供一种电子部件，包括： - 一个第一半导体层（11）， - 第二半导体层（12），以及 - 具有量子阱结构，其包括多个量子阱层的（131）的有源区（13） 其中， - 所述有源区（13）zusammenh所述第一半导体层之间BEAR ngend形成（11）和所述第二半导体层（12）， - 所述有源区（13）具有（2）在垂直方向上延伸的至少一个中断 （z）除以量子阱层中的至少一个（131）延伸， - 至少一个中断（2）用半导体材料形成，或者由其构成，以及 - 至少一个中断（2）不同的材料组成比（到中断2 ）有相邻的量子阱层（131）。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    20.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015055500A1

    公开(公告)日：2015-04-23

    申请号：PCT/EP2014/071651

    申请日：2014-10-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  WURM, Teresa ,  RISTIC, Jelena ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

    CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) beschrieben, umfassend einen auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Schichtenstapel, der einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), einen p-Typ-Halbleiterbereich (8) und eine zwischen dem n-Typ- Halbleiterbereich (6) und dem p-Typ Halbleiterbereich (8) angeordnete aktive Schicht (7) aufweist. Der p-Typ Halbleiterbereich (8) weist zur Ausbildung einer Elektronenbarriere eine Schichtenfolge (13) mit mehreren p- dotierten Schichten (1, 2, 3, 4) aus A1 X In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 auf, wobei die Schichtenfolge (13) eine erste p-dotierte Schicht (1) mit einem Aluminiumanteil x1 ≥ 0,5 und einer Dicke von nicht mehr als 3 nm aufweist, und derersten p-dotierten Schicht (1) an einer von der aktiven Schicht (7) abgewandten Seite mindestens eine zweite p-dotierte Schicht (2) mit einem Aluminiumanteil x2

    Abstract translation: 它被描述，其包括的光电子半导体器件（10），基于具有n型半导体区域的氮化物化合物半导体层堆叠体（6）上，p型半导体区域（8）和所述n型半导体区域（6）之间 并具有布置在所述p型半导体区域（8）活性层（7）。 所述p型半导体区域（8）具有用于形成具有多个p型掺杂层的电子屏障，层序列（13）（1，2，3，4）从A1XInyGa1-X-Y n，其中0≤X≤1，0≤ÿ≤ 1并且x + y≤1，其中在层序列（13）包括（1）具有的铝含量X1≥0.5且厚度不大于3nm的，并且所述第一p型掺杂层（第一p掺杂层 按照1）至（通过与铝含量X2

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