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    3D-ANZEIGEELEMENT
    11.
    发明申请
    3D-ANZEIGEELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018162560A3

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：PCT/EP2018/055610

    申请日：2018-03-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko

    IPC: G02B27/22 ,  G02B27/10

    Abstract: 3D-Anzeigelement (1) umfassend - ein lichtemittierendes Bauteil (10), welches dazu eingerichtet ist Licht (L) zu emittieren, und - eine optische Anordnung (20), die dazu eingerichtet ist das Licht (L) zu beeinflussen, wobei - das lichtemittierende Bauteil eine Vielzahl von Tripletts (100) mit jeweils einem ersten (101), einem zweiten (102) und einem dritten (103) lichtemittierenden Bereich umfasst, - die Tripletts (100) in einer ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die Bereiche (101, 102, 103) in der ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) zueinander benachbarter Triplets (100) divergiert, und - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) eines Tripletts durchmischt.

    LASERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LASERBAUELEMENTS
    13.
    发明申请
    LASERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LASERBAUELEMENTS 审中-公开
    激光器元件和制造激光器结构元件的方法

    公开(公告)号：WO2018078025A1

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：PCT/EP2017/077466

    申请日：2017-10-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  WOJCIK, Andreas

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00

    CPC classification number: H01S5/02292 ,  G02B6/4214 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02296

    Abstract: Ein Laserbauelement umfasst einen Formkörper und einen in den Formkörper eingebetteten Laserchip, der dazu ausgebildet ist, einen Laserstrahl in eine Emissionsrichtung zu emittieren. Eine Oberfläche des Formkörpers weist einen Umlenkabschnitt auf, der so angeordnet und gegenüber der Emissionsrichtung geneigt ist, dass ein von dem Laserchip emittierter Laserstrahl auf den Umlenkabschnitt trifft und an dem Umlenkabschnitt totalreflektiert wird.

    Abstract translation: 激光装置包括模体和嵌入模体中的激光器芯片，激光器芯片被构造成沿发射方向发射激光束。 成形体的表面具有偏转部分，该偏转部分从发射方向设置并倾斜，使得从激光芯片发射的激光束撞击偏转部分并在偏转部分处被全反射

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    14.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    光电子器件和生产光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017093257A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：PCT/EP2016/079144

    申请日：2016-11-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  PIETZONKA, Ines

    IPC: H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/36

    CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/10 ,  H01L33/36

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) angegeben, umfassend einen Träger (1), eine Vielzahl von Nanostäben (2), welche auf dem Träger (1) angeordnet sind, wobei die Nanostäbe(2)jeweils eineaktive Zone (2d) umfassen. Weiterhin umfasst das optoelektronische Bauelement (10)eine Vergussmasse (3), welche auf dem Träger (1) angeordnet ist und die Nanostäbe(2)zumindest teilweise einbettet, und eine strukturierte Metallisierung (5), welche die Nanostäbe(2) lateral umgibt, wobei sich die Nanostäbe (2) entlang einer Längsrichtung N erstrecken, sich die strukturierte Metallisierung (5) entlang einer Längsrichtung M erstreckt, und die Längsrichtung M der strukturierten Metallisierung (5) quer zur Längsrichtung N der Nanostäbe (2) verläuft.

    Abstract translation:

    本发明提供的光电元件（10）包括一个Tr的AUML; GER（1），多个Nanost＆AUML的;奔安装在载体BEAR（2）被布置GER（1），其中 纳米油（2）各自包含活性区（2d）。 此外，光电子器件（10）包括封装化合物（3），其在载体BEAR布置GER（1）和Nanost＆AUML; BE（2）至少部分地嵌入，以及结构化的金属化（5）示出了Nanost BEAR是 （2）横向包围，与Nanost＆AUML; BE（2）沿一L＆AUML;纵向方向N延伸，所述结构化的金属化（5）沿L BEAR纵向方向M延伸，并且L＆AUML;结构化的金属化的纵向方向M（5） 横向于纳米棒（2）的纵向N。

    DETEKTOR UND LIDAR-SYSTEM
    15.
    发明申请
    DETEKTOR UND LIDAR-SYSTEM 审中-公开
    探测器和雷达系统

    公开(公告)号：WO2016128436A1

    公开(公告)日：2016-08-18

    申请号：PCT/EP2016/052785

    申请日：2016-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BOESCKE, Tim ,  HALBRITTER, Hubert ,  HAUSHALTER, Martin ,  ARZBERGER, Markus

    IPC: G01S7/481 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

    CPC classification number: G01S7/4816 ,  H01L27/14607 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  Y02E10/50

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Detektor für ein Lidar-System. Der Detektor weist eine Reihe aus nebeneinander angeordneten strahlungsempfindlichen Pixeln auf. Die Pixel der Reihe weisen solche Konturen auf, dass gegenüberliegende Seiten von benachbarten Pixeln wenigstens teilweise abweichend von einer senkrechten Richtung zu einer Erstreckungsrichtung der Reihe verlaufen. Die Erfindung betrifft ferner ein Lidar-System mit einem solchen Detektor.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于激光雷达系统的检测器。 该检测器具有一系列并排设置的辐射敏感像素。 该行的像素具有这样的轮廓即相对的相邻像素的边从垂直的方向上的行的延伸方向延伸至少部分地偏离。 本发明还涉及具有这样的检测器的激光雷达系统。

    HALBLEITERLASERBAUTEIL UND KAMERA
    16.
    发明申请
    HALBLEITERLASERBAUTEIL UND KAMERA 审中-公开
    半导体激光器组件和摄像头

    公开(公告)号：WO2016005150A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：PCT/EP2015/063391

    申请日：2015-06-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  WIENGARTEN, Mario

    IPC: H01S5/00

    CPC classification number: H01S5/0071 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02296 ,  H04N13/254 ,  H04N2213/001 ,  H01L2924/00014

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterlaserbauteil (1) eine Laserdiode (2) und eine Reflexionsfläche (3). Die Reflexionsfläche (3) reflektiert diffus und wird im Betrieb von der Laserdiode (2) bestrahlt. Die Laserdiode (2) dient als einzige Lichtquelle des Halbleiterlaserbauteils (1). Es ist die Laserdiode (2) relativ zu der Reflexionsfläche (3) unbeweglich gelagert. Von dem Halbleiterlaserbauteil (1) im Betrieb emittiertes Licht (R) weist die gleichen oder weniger spektrale Komponenten auf als von der Laserdiode (2) emittiertes Licht (R). Ein Zwischenraum zwischen der Laserdiode (2) und der Reflexionsfläche (3) ist frei von einer Optik. Eine lichtemittierende Fläche des Halbleiterlaserbauteils (1) ist um mindestens einen Faktor 100 größer als eine lichtemittierende Fläche der Laserdiode (2).

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，半导体激光装置（1）包括一个激光二极管（2）和一个反射表面（3）。 反射面（3）漫反射和激光二极管（2）的操作过程中照射。 的激光二极管（2）作为一个单一光源的半导体激光器件（1）。 它被安装时，激光二极管（2）相对于所述反射表面（3）固定的。 在操作过程中的光（R）具有相同或更少的频谱分量作为激光二极管（2）发出的光（R）的半导体激光装置（1）的发射。 的激光二极管（2）和反射面（3）之间的空间是自由的光学系统的。 的半导体激光器件（1）的发光面为至少100倍低于激光二极管的光发射表面的情况下（2）。

    SCHALTUNGSANORDNUNG, LEUCHTDIODEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM ANSTEUERN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    17.
    发明申请
    SCHALTUNGSANORDNUNG, LEUCHTDIODEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM ANSTEUERN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    电路，LEDS-安排及其控制方法的光电子器件

    公开(公告)号：WO2015059204A2

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：PCT/EP2014/072674

    申请日：2014-10-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert

    CPC classification number: H04B10/502 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/089

    Abstract: Eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines optoelektronischen Bauelements umfasst einen ersten Knoten, einen zweiten Knoten, einen dritten Knotenund einen vierten Knoten. Zwischen dem ersten Knotenund dem vierten Knotenist eine Versorgungsspannung anlegbar. Der erste Knotenist mit dem zweiten Knotenverbunden. Zwischen dem zweiten Knotenund dem dritten Knotenkann ein optoelektronisches Bauelement angeordnet werden. Zwischen dem dritten Knotenund dem vierten Knotenistein erster Transistor zum Schalten eines Kanals zwischen dem dritten Knotenund dem vierten Knotenangeordnet. Zwischen dem ersten Knotenund dem dritten Knotenist eine Reihenschaltung mit einem ersten Widerstandund einer Spule angeordnet.

    Abstract translation: 用于驱动光电子器件，包括第一节点，第二节点，第三节点和第四节点的电路装置。 所述第一节点和所述第四节点之间施加电源电压。 第一节点被连接到第二节点。 光电子器件被设置在第二节点和第三节点之间可以。 所述第三节点和用于切换在第三节点和设置在所述第四节点之间的信道的第四Knotenistein第一晶体管之间。 第三节点是具有第一电阻器和设置在所述第一节点之间的线圈的串联电路。

    VERFAHREN ZUM BETRIEB EINES OPTOELEKTRONISCHEN ANNÄHERUNGSSENSORS
    18.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM BETRIEB EINES OPTOELEKTRONISCHEN ANNÄHERUNGSSENSORS 审中-公开
    一种用于操作光电接近型传感器

    公开(公告)号：WO2015011094A1

    公开(公告)日：2015-01-29

    申请号：PCT/EP2014/065630

    申请日：2014-07-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert

    IPC: H03K17/94 ,  H03K17/96 ,  G01S7/484

    CPC classification number: G01S7/484 ,  G01S7/4868 ,  G01S17/026 ,  H03K17/941 ,  H03K17/9636 ,  H03K2217/94042 ,  H03K2217/94108

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Annäherungssensors (1) angegeben, wobei - der Annäherungssensor (1) ein Strahlungsemittierendes Bauelement (2), ein strahlungsdetektierendes Bauelement (3) und eine Steuereinheit (4) umfasst, - das strahlungsemittierende Bauelement (2) mit einem gepulsten Strom (I e ) betrieben wird, - der gepulste Strom (I e ) des Strahlungsemittierenden Bauelements (2) während einer Messperiode (T m ) jeweils eine Einzeit (t on ) und eine Auszeit (t off ) aufweist, wobei der gepulste Strom (I e ) während der Einzeit (t on ) eine Pulsstromstärke (I on ) aufweist, und - die Steuereinheit (4) ein Detektorsignal (I d ) des strahlungsdetektierenden Bauelements (3) auswertet und die Pulsstromstärke (I on ) für eine nachfolgende Messperiode (T m ) herabsetzt, wenn das Detektorsignal (I d ) einen Schwellwert (I th ) während mindestens einer Messperiode (T m ) überschreitet.

    Abstract translation: 提供了一种操作光电子接近传感器（1），其中的一个方法 - 所述接近传感器（1）包括一个辐射发射元件（2），一个辐射检测装置（3）和控制单元（4）， - 所述发射辐射的器件（2）与 操作的脉冲电流（Ie）， - 脉冲电流（Ie）在测量期间（Tm）的每个发射辐射的元件（2）的具有导通时间的（吨）和断裂（TOFF），其中所述脉冲电流（Ie）中 导通时间（TON）的脉冲电流（离子），以及 - 所述控制单元（4）的检测信号（Id）的所述辐射检测装置（3）的计算结果和所述脉冲电流（离子）用于随后的测量周期（Tm）的减小，当所述检测器信号（ ID）中的至少一个测量周期（Tm）为超过阈值（第I）。

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