LICHTEMITTIERENDE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHTEMITTIERENDEN ANORDNUNG
    11.
    发明申请
    LICHTEMITTIERENDE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHTEMITTIERENDEN ANORDNUNG 审中-公开
    发光器件及其制造方法的发光装置

    公开(公告)号:WO2015113926A2

    公开(公告)日:2015-08-06

    申请号:PCT/EP2015/051455

    申请日:2015-01-26

    Abstract: Es wird eine lichtemittierende Anordnung angegeben, mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5), der im Betrieb Primärstrahlung (6) zumindest aus einer Hauptemissionsfläche (51) emittiert, - einem ersten Konversionselement (2), das einen Teil der Primärstrahlung (6) absorbiert und Sekundärstrahlung (7) emittiert, - einem Umlenkelement (9), das zumindest für einen Teil der Primärstrahlung (6) eine Richtungsänderung bewirkt, wobei - das erste Konversionselement (2) in einer lateralen Richtung neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5) angeordnet ist, - das Umlenkelement (9) einen Teil der Primärstrahlung (6) auf das erste Konversionselement (2) leitet, und - die lichtemittierende Anordnung im Betrieb Mischlicht (8) umfassend die Primärstrahlung (6) und die Sekundärstrahlung (7) emittiert.

    Abstract translation: 它是设置有发光装置 - 发射辐射的半导体芯片(5),其在操作中至少发射从主发射表面(51)的初级辐射(6), - 第一转换元件(2),其吸收初级辐射的部分(6)和 次级辐射(7)发射的, - 一个偏转元件(9),使至少所述初级辐射(6)在方向上的变化,其中的一部分 - 除了发射辐射的半导体芯片(5)的第1转换元件(2)在横向方向上布置, - 偏转元件(9)引导初级辐射(6)的至少一部分到所述第一转换元件(2),以及 - 在所述操作混合光的发光装置(8)包括初级辐射(6)和次级辐射(7)发射。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    13.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号:WO2014207045A1

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:PCT/EP2014/063403

    申请日:2014-06-25

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Vergusskörper (4). Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) ist zur Strahlungserzeugung eingerichtet und befindet sich in einer Ausnehmung (43) des Vergusskörpers (4). Der Halbleiterchip (3) weist eine Strahlungshauptseite (30) mit einer Kantenlänge (L) auf. Mindestens eine Optikplatte (5), die die Ausnehmung (43) abdeckt, ist dem Halbleiterchip (1) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) nachgeordnet. Die Optikplatte (5) weist an einer dem Halbleiterchip (1) abgewandten Oberseite (50) eine Vielzahl von Strukturelementen (55) auf. Die Optikplatte (5) weist einen Durchmesser (D) auf, der mindestens ein 1,5-Faches der Kantenlänge (L) beträgt. Eine Dicke (H) der Optikplatte (5) liegt bei mindestens dem 0,1-Fachen und höchstens dem 1,5-Fachen des Durchmessers (D). Es überdeckt die Optikplatte (5) die Strahlungshauptseite (30) vollständig.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中,光电子半导体器件(1)包括一个铸造体(4)。 至少一个光电子半导体芯片(3)适于用于产生辐射和位于铸造体(4)的凹部(43)。 半导体芯片(3)包括一个辐射主侧(30)的边缘长度(L)。 至少一个光盘(5),其覆盖凹部(43),半导体芯片(1)沿主发射方向(M)的下游。 光盘(5)具有,在多个结构元件(55)的面对从顶部表面(50)离开的半导体芯片(1)上。 光盘(5)的直径(D),它是边缘长度的至少1.5倍(L)。 光盘(5)的厚度(H)为至少0.1倍,直径(D)至多1.5倍。 它覆盖了光盘(5),辐射主侧(30)完全。

    OPTISCHE ANORDNUNG UND ANZEIGEGERÄT
    14.
    发明申请
    OPTISCHE ANORDNUNG UND ANZEIGEGERÄT 审中-公开
    光学系统及显示单元

    公开(公告)号:WO2014173736A1

    公开(公告)日:2014-10-30

    申请号:PCT/EP2014/057644

    申请日:2014-04-15

    Abstract: Eine optische Anordnung umfasst eine Vielzahl von lichtemittierenden Chips (2) auf einem Träger (1). Dabei umfassen erste lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer ersten Gruppe (21) umfassen und zweite lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer zweiten Gruppe (22). Jeweils einer der ersten und einer der zweiten lichtemittierenden Chips sind in ersten Einheitszellen (E1) flächig auf dem Träger (1) angeordnet. Ferner ist ein optisches Element vorgesehen, welches in Abstrahlrichtung den lichtemittierenden Chips (2) nachgeordnet ist. Es ist dazu eingerichtet, von den Pixeln der ersten und zweiten Gruppe (21, 22) emittiertes Licht derart zu führen, dass Licht der Pixel der ersten Gruppe (21) und Licht der Pixel der zweiten Gruppe (22) in zweite Einheitszellen (E2) in einer Auskoppelebene (7) zusammengeführt wird, wobei die zweiten Einheitszellen (E2) jeweils eine Fläche aufweisen, die geringer ist, als die Fläche je einer der ersten Einheitszellen (E1).

    Abstract translation: 一种光学组件,其包括在载体上的多个发光芯片(2)(1)。 在该第一发光芯片的每一个包括第一组的像素(21)包括发光芯片的每个像素和所述第二的第二组(22)。 所述第一和第二发光芯片中的每一个被布置在所述第一单元电池(E1)平坦所述载体(1)上。 此外,光学元件被设置,其在所述发光芯片(2)的辐射方向的下游设置。 它从第一和第二组的像素适于(21,22),以引导所发射的光,使得所述第一组(21)和光从第二单元电池的第二组(22)的像素的像素的光(E2) 在一个Auskoppelebene(7),被组合,其中,所述第二单元电池(E2)每一个都具有表面,其小于所述第一单元电池(E1)中的每一个的面积。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    15.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号:WO2013117700A1

    公开(公告)日:2013-08-15

    申请号:PCT/EP2013/052549

    申请日:2013-02-08

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.

    Abstract translation: 公开的是具有至少一个半导体芯片(1),具有辐射穿透面(10)和所述辐射穿透面(10)的安装表面(11)相对的所述的半导体装置(100)。 所述安装表面(11)具有一个第一电接触结构(2a)和一个从所述第一电接触结构的第二电接触结构(2b)的电绝缘。 辐射穿透面(10)是自由接触结构。 的反射外壳,其在半导体芯片(1)部分地包裹,和(8)连接所述半导体芯片(1)和/或所述反射罩(5)至少部分地包裹一保护性护套中,提供了。 此外,有多个这样的半导体器件(100)的布置中指定。

    OPTISCHES ELEMENT UND LEUCHTE MIT EINEM OPTISCHEN ELEMENT
    16.
    发明申请
    OPTISCHES ELEMENT UND LEUCHTE MIT EINEM OPTISCHEN ELEMENT 审中-公开
    光学元件与光的光学元件

    公开(公告)号:WO2013041273A1

    公开(公告)日:2013-03-28

    申请号:PCT/EP2012/064623

    申请日:2012-07-25

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das optische Element (2) für eine Leuchte (100) vorgesehen. Das optische Element (2) beinhaltet einen langgestreckten Grundkörper (23) mit einer Längsachse (24) sowie mit einer Innenseite (21) und einer Außenseite (22). Der Grundkörper (23) weist, im Querschnitt gesehen, die Form mindestens eines Teils eines Hohlkörpers auf. Weiterhin umfasst das optische Element (2) eine Vielzahl von Konvexlinsen (25) mit einer halbrunden Querschnittsfläche. Die Konvexlinsen (25) sind auf der Innenseite (21) und/oder auf der Außenseite (22) des Grundkörpers (23) angeordnet und es weisen die Konvexlinsen (25) eine langgestreckte Grundform auf.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中,一个灯(100),所述光学元件(2)设置。 所述光学元件(2)包括细长的基体(23)具有纵向轴线(24)和具有内侧(21)和外侧(22)。 所述基体(23)具有,从横截面看,至少一个在中空主体的部分的形状。 此外,所述光学元件(2)包括多个凸透镜(25)配有一个半圆形的横截面面积。 凸透镜(25)是在内侧(21)和/或在基体的外侧(22)(23)设置并具有凸透镜(25)具有细长的基本形状。

    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
    17.
    发明申请
    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号:WO2012126735A1

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:PCT/EP2012/053914

    申请日:2012-03-07

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

    Abstract translation: 本发明公开一种发光半导体器件,包括: - 第一半导体本体(1),它包括一个有源区(11),在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射,所述第一半导体本体(1)至少部分地由一 辐射出射表面(1a)的通过叶,以及 - 第二半导体主体(2),其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长,其特征在于, - 所述第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)彼此分开地制造, - 所述第二半导体本体(2)是电惰性,以及 - 所述第二半导体本体(2)与所述辐射出射表面(1a)的直接接触,并有连接装置自由所述第一半导体本体(1)附接在。

    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    19.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019115521A1

    公开(公告)日:2019-06-20

    申请号:PCT/EP2018/084352

    申请日:2018-12-11

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben, das einen Licht emittierende Halbleiterchip (1) mit einer Hauptoberfläche (10), die Strahlungsauskoppelfläche aufweist, über die im Betrieb ein erstes Licht (91) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, aufweist. Auf einem ersten Teilbereich (11) der Hauptoberfläche ist eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) zur Konversion zumindest eines Teils des ersten Lichts in zweites Licht (92) in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich aufgebracht. Ein optisches Rückkoppelelement (3) ist unmittelbar auf einem zum ersten Teilbereich benachbarten zweiten Teilbereich (12) der Hauptoberfläche aufgebracht, wobei das optische Rückkoppelement erstes Licht, das vom zweiten Teilbereich abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche und/oder in Richtung der Wellenlängenkonversionsschicht umlenkt.

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