Abstract:
Es wird eine lichtemittierende Anordnung angegeben, mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5), der im Betrieb Primärstrahlung (6) zumindest aus einer Hauptemissionsfläche (51) emittiert, - einem ersten Konversionselement (2), das einen Teil der Primärstrahlung (6) absorbiert und Sekundärstrahlung (7) emittiert, - einem Umlenkelement (9), das zumindest für einen Teil der Primärstrahlung (6) eine Richtungsänderung bewirkt, wobei - das erste Konversionselement (2) in einer lateralen Richtung neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5) angeordnet ist, - das Umlenkelement (9) einen Teil der Primärstrahlung (6) auf das erste Konversionselement (2) leitet, und - die lichtemittierende Anordnung im Betrieb Mischlicht (8) umfassend die Primärstrahlung (6) und die Sekundärstrahlung (7) emittiert.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Strahlungsemissionsfläche. Über der Strahlungsemissionsfläche ist ein optisches Element angeordnet. Das optische Element weist ein Material auf, in das lichtstreuende Partikel eingebettet sind. Eine Konzentration der eingebetteten lichtstreuenden Partikel weist einen Gradienten auf, der mit der Strahlungsemissionsfläche einen von 90° abweichenden Winkel einschließt.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Vergusskörper (4). Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) ist zur Strahlungserzeugung eingerichtet und befindet sich in einer Ausnehmung (43) des Vergusskörpers (4). Der Halbleiterchip (3) weist eine Strahlungshauptseite (30) mit einer Kantenlänge (L) auf. Mindestens eine Optikplatte (5), die die Ausnehmung (43) abdeckt, ist dem Halbleiterchip (1) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) nachgeordnet. Die Optikplatte (5) weist an einer dem Halbleiterchip (1) abgewandten Oberseite (50) eine Vielzahl von Strukturelementen (55) auf. Die Optikplatte (5) weist einen Durchmesser (D) auf, der mindestens ein 1,5-Faches der Kantenlänge (L) beträgt. Eine Dicke (H) der Optikplatte (5) liegt bei mindestens dem 0,1-Fachen und höchstens dem 1,5-Fachen des Durchmessers (D). Es überdeckt die Optikplatte (5) die Strahlungshauptseite (30) vollständig.
Abstract:
Eine optische Anordnung umfasst eine Vielzahl von lichtemittierenden Chips (2) auf einem Träger (1). Dabei umfassen erste lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer ersten Gruppe (21) umfassen und zweite lichtemittierende Chips jeweils Pixel einer zweiten Gruppe (22). Jeweils einer der ersten und einer der zweiten lichtemittierenden Chips sind in ersten Einheitszellen (E1) flächig auf dem Träger (1) angeordnet. Ferner ist ein optisches Element vorgesehen, welches in Abstrahlrichtung den lichtemittierenden Chips (2) nachgeordnet ist. Es ist dazu eingerichtet, von den Pixeln der ersten und zweiten Gruppe (21, 22) emittiertes Licht derart zu führen, dass Licht der Pixel der ersten Gruppe (21) und Licht der Pixel der zweiten Gruppe (22) in zweite Einheitszellen (E2) in einer Auskoppelebene (7) zusammengeführt wird, wobei die zweiten Einheitszellen (E2) jeweils eine Fläche aufweisen, die geringer ist, als die Fläche je einer der ersten Einheitszellen (E1).
Abstract:
Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform ist das optische Element (2) für eine Leuchte (100) vorgesehen. Das optische Element (2) beinhaltet einen langgestreckten Grundkörper (23) mit einer Längsachse (24) sowie mit einer Innenseite (21) und einer Außenseite (22). Der Grundkörper (23) weist, im Querschnitt gesehen, die Form mindestens eines Teils eines Hohlkörpers auf. Weiterhin umfasst das optische Element (2) eine Vielzahl von Konvexlinsen (25) mit einer halbrunden Querschnittsfläche. Die Konvexlinsen (25) sind auf der Innenseite (21) und/oder auf der Außenseite (22) des Grundkörpers (23) angeordnet und es weisen die Konvexlinsen (25) eine langgestreckte Grundform auf.
Abstract:
Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (1) weist einen Träger (2) und mindestens einen Halbleiterchip (3) auf. Der Halbleiterchip (3) ist auf dem Träger (2) angeordnet und zum Emittieren einer Primärstrahlung (6) eingerichtet. Den Halbleiterchip (3) umschließt zumindest teilweise ein zumindest teilweise transparentes Medium (7) mit einer Höhe (8) über dem Träger (2) und einer Breite (9) entlang des Trägers (2). In das Medium (7) sind Partikel (10, 11) eingebracht, die mit der Primärstrahlung (6) wechselwirken. Das Medium (7) weist ein Verhältnis der Höhe (8) zu der Breite (9) von größer als 1 auf.
Abstract:
Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (100) angegeben, das einen Licht emittierende Halbleiterchip (1) mit einer Hauptoberfläche (10), die Strahlungsauskoppelfläche aufweist, über die im Betrieb ein erstes Licht (91) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, aufweist. Auf einem ersten Teilbereich (11) der Hauptoberfläche ist eine Wellenlängenkonversionsschicht (2) zur Konversion zumindest eines Teils des ersten Lichts in zweites Licht (92) in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich aufgebracht. Ein optisches Rückkoppelelement (3) ist unmittelbar auf einem zum ersten Teilbereich benachbarten zweiten Teilbereich (12) der Hauptoberfläche aufgebracht, wobei das optische Rückkoppelement erstes Licht, das vom zweiten Teilbereich abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsauskoppelfläche und/oder in Richtung der Wellenlängenkonversionsschicht umlenkt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) mit einer Unterseite auf einer Oberseite (30) eines ersten Trägers (3) angeordnet ist, wobei der erste Träger (3) transparent für die Strahlung des Bauelementes (2) ist, wobei der erste Träger (3) mit einer Unterseite (31) auf einer Oberseite (13) eines zweiten Trägers (4) angeordnet ist, wobei der zweite Träger (4) zweite elektrische Kontakte (10, 11) aufweist, wobei die zweiten elektrischen Kontakte (10, 11) über elektrische Leitungen (16, 17) mit elektrischen Kontakten (14, 15) des Bauelementes (2) verbunden sind.