公开(公告)号：WO2013127672A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/EP2013/053371

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片： - 多个有源区（1），其被布置为彼此间隔开的，和 - 支撑的（1a）中（2），所述多个有源区（1）的被布置在底面，其特征在于， - 具有有源区中的一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区（1）具有一个芯部区域，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11）包括 至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向（1）覆盖所述有源区的（R），以及 - 具有第二半导体材料形成具有有源区（1）的覆盖层（12） 和有源层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述有源区的主延伸方向（R）（11）覆盖。

公开(公告)号：WO2016087605A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078569

申请日：2015-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ, Dominik ,  MANDL, Martin ,  STOLL, Ion ,  STRASSBURG, Martin ,  HUCKENBECK, Barbara

IPC: H01L33/16 ,  C09K11/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，用于产生光的半导体层序列（1）被设置，并包括半导体列（2）。 半导体柱（2）分别具有围绕上的第二导电类型的半导体材料制成的第一导电类型的半导体材料与芯部包裹（23）围绕芯（21）的芯（21）。 所述芯（21）之间，并且所述芯部包裹（23）位于用于通过电致发光来生成初级辐射的有源区（22）。 半导体柱（2），具有：（4）被施加围绕各芯包裹（23）至少部分形锁合和初级辐射至少部分地吸收并在更长波长的次级辐射转换上的光致发光，该转换鞘。 被施加到相邻的半导体柱（2）中转化的包装材料（4），以填充半导体柱之间的空间（2）仅部分。

公开(公告)号：WO2016087509A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078348

申请日：2015-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  STOLL, Ion ,  MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsflache (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blaugrüne Licht (4) tritt, und ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsflache (12a) angeordnet ist, wobei die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.

Abstract translation: 本发明提供一种光电器件，包括：半导体芯片（12），在（4）和至少一个光通道区域（12A），通过该操作蓝绿光（4）发生期间发出的光的操作发出蓝绿光，和一个 转换元件（3）中，磷光体颗粒（31），特别是只有一个类型包括，而在光通过区域（12A）至少局部地被布置，其中，所述磷光体颗粒（31）的蓝 - 绿色光（4）至少部分地（在红光 转换5）和光电子器件是白色的混合光（6），蓝 - 绿光（含4）和红色光的部分（5）发射的未转换的部件。

公开(公告)号：WO2014056762A2

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/EP2013/070449

申请日：2013-10-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L25/075 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 ym beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和形成（5）在（所述生长衬底2）侧朝向岛屿的释放层的岛（4），在平面图中看到的生长衬底上，的纳米和10 YM是在50的平均直径，（B） 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

公开(公告)号：WO2013083438A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/EP2012/073729

申请日：2012-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und - die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 所述上侧（1a）中的反射层（2）的多个有源区（1）的布置， - 被布置彼此间隔开;以及多个有源区（1）的 其中， - 具有所述有源区中的至少一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区中的一个（1）的芯部，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层 （11），至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于覆盖有源区（1）的主延伸方向（R）， - 覆盖层（12），所述有源区（1），具有 第二半导体材料形成，并且所述活性层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向的有源区（R）（11）覆盖，并且 - （2）在有源层中的操作的反射的反射层 （11）产生的电磁辐射被建立。

公开(公告)号：WO2013034485A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/EP2012/066897

申请日：2012-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  DRECHSEL, Philipp ,  BERGBAUER, Werner ,  MANDL, Martin

Inventor： KATZ, Simeon ,  GALLER, Bastian ,  STRASSBURG, Martin ,  SABATHIL, Matthias ,  DRECHSEL, Philipp ,  BERGBAUER, Werner ,  MANDL, Martin

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01S5/34333

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine QuantentopfSchicht (1) aus In x2 Al y2 Ga 1-X2-y2 N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.

Abstract translation: 本发明提供的光电元件（11），其中具有多个横向间隔开的结构元件的有源层（10）（6）。 结构元件（6）的每一个都具有量子鸭阱结构（5），所述至少一个阻挡层（2）与0 <= X1 <= 1，0 <= Y1 <= 1和X1 + Y1 <= 1制成Inx1Aly1Ga1-X1-Y1N的 和至少一个量子阱层（1）与由Inx2Aly2Ga1-X2-Y2N的0 <= X 2 <= 1，0 <= Y2 <= 1和X 2 + Y包括<= 1。

公开(公告)号：EP2820684A1

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：EP13708711.0

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip, comprising a plurality of active regions (1) that are arranged at a distance from each other and a substrate (2) that is arranged on an underside (1a) of the plurality of active regions (1), wherein one of the active regions (1) has a main extension direction (R), the active region (1) has a core region (10) that is formed using a first semiconductor material, the active region (1) has an active layer (11) that which covers the core region (10) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (1), and the active region (1) has a cover layer (12) that is formed using a second semiconductor material and covers the active layer (11) at least in directions (x, y) perpendicular to the main extension direction (R) of the active region (11).

公开(公告)号：EP3227930A1

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：EP15802168.3

申请日：2015-12-02

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  STOLL, Ion ,  MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504

Abstract: The invention relates to an optoelectronic element comprising a semiconductor chip (12) that emits a blue-green light (4) during operation and has at least one light passage surface (12a) through which the blue-green light (4) emitted during operation passes and comprising a conversion element (3) which comprises fluorescent particles (31), in particular fluorescent particles of only one type, and which is arranged on the light passage surface (12a) at least in some areas. The fluorescent particles (31) at least partly convert the blue-green light (4) into a red light (5), and the optoelectronic element emits a white mixed light (6) which contains non-converted components of the blue-green light (4) and components of the red light (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电元件，该光电元件包括​​在工作期间发射蓝绿光（4）的半导体芯片（12），并且具有至少一个光通过表面（12a），在工作期间发射的蓝绿光（4） 并且包括转换元件（3），所述转换元件包括荧光粒子（31），特别是仅一种类型的荧光粒子，并且所述转换元件至少局部地布置在所述光通过表面（12a）上。 荧光颗粒（31）至少部分地将蓝绿光（4）转换成红光（5），并且光电元件发射包含蓝绿光的未转换分量的白光混合光（6） （4）和红灯（5）的组件。

公开(公告)号：EP3357093A1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：EP16770520.1

申请日：2016-09-26

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HARTMANN, Rainer ,  MANDL, Martin ,  KATZ, Simeon ,  RÜCKERL, Andreas

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L31/00 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip (1), in particular in the shape of a thin-film chip, comprises a carrier (5), and a chip front side, a chip rear side (52) and a semiconductor body (2) arranged on the carrier (5) and having a semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence comprises an active region (20), which is arranged between a first semiconductor layer (21) and a second semiconductor layer (22). Same is used to generate or to receive electromagnetic radiation. The first semiconductor layer (21) is connected to a first contact (41) in an electrically conductive manner, wherein the first contact (41) is formed on the chip front side, in particular next to the active region (20). The second semiconductor layer (22) is connected to the second contact (42) in an electrically conductive manner, and the second contact (42) is likewise formed on the chip front side, in particular next to the active region (20). An electrically insulating separating layer (6) is formed between the electrical connecting layer (31) and the carrier (5) or within the carrier.

公开(公告)号：EP2805359A1

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：EP13701724.0

申请日：2013-01-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  CALLEJA-PARDO, Enrique ,  ALBERT, Steven ,  BENGOECHEA ENCABO, Ana Maria ,  SANCHEZ-GARCIA, Miguel Angel ,  MANDL, Martin ,  KÖLPER, Christopher

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L27/153 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: A light-emitting diode chip comprising: - a semiconductor body (1) having a plurality of active regions (2), wherein - at least one of the active regions (2) has at least two subregions (21...28), - the active region (2) has at least one barrier region (3) arranged between two adjacent subregions (21...28) of said at least two subregions (21...28), - the at least two subregions (21...28) emit light of mutually different colour during operation of the light- emitting diode chip, - in at least one of the subregions (21...28) the emission of light is generated electrically, and - the barrier region (3) is configured to hinder a thermally activated redistribution of charge carriers between the two adjacent subregions (21...28), is specified.

Abstract translation: 一种发光二极管芯片，包括： - 具有多个有源区（2）的半导体主体（1），其中 - 至少一个有源区（2）具有至少两个子区域（21 ... 28） - 有源区（2）具有布置在所述至少两个子区域（21 ... 28）的两个相邻子区域（21 ... 28）之间的至少一个阻挡区域（3）， - 所述至少两个子区域（21 ... 28）在发光二极管芯片的操作期间发射相互不同颜色的光， - 在至少一个子区域（21 ... 28）中电发光，并且 - 所述屏障区域（ 3）被配置为阻止两个相邻子区域（21 ... 28）之间的电荷载流子的热激活重新分布。