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公开(公告)号：FR3006808B1
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：FR1355221
申请日：2013-06-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： RIVERO CHRISTIAN , FORNARA PASCAL , DI-GIACOMO ANTONIO , ARRAZAT BRICE
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公开(公告)号：FR3012671A1
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：FR1360538
申请日：2013-10-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： RIVERO CHRISTIAN , FORNARA PASCAL , DI-GIACOMOA ANTONIO , ARRAZAT BRICE
IPC: H01L27/02
Abstract: Le dispositif comprend un ensemble thermiquement déformable (ENS) logé dans une cavité (CVT) de la partie d'interconnexion (RITX) d'un circuit intégré. L'ensemble peut fléchir lors d'une variation de température de façon à ce que sa zone d'extrémité libre (Z2) se déplace verticalement (DV).
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公开(公告)号：FR2994020B1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：FR1257354
申请日：2012-07-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： MARINET FABRICE , FORNARA PASCAL
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公开(公告)号：FR2987696A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：FR1251969
申请日：2012-03-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： LA ROSA FRANCESCO , PIZZUTO OLIVIER , NIEL STEPHAN , BOIVIN PHILIPPE , FORNARA PASCAL , LOPEZ LAURENT , REGNIER ARNAUD
IPC: H01L21/8239
Abstract: L'invention concerne un procédé de lecture et d'écriture de cellules mémoire (C31, C32) comprenant chacune un transistor à accumulation de charges (FGT31, FGT32) et un transistor de sélection (ST31,ST32), comprenant les étapes consistant à : appliquer une tension de sélection (SV) à une grille (SGC) du transistor de sélection (ST31) d'une cellule mémoire, appliquer une tension de lecture (Vread) à une grille de contrôle (CG) du transistor à accumulation de charges (FGT31) de la cellule mémoire, appliquer la tension de sélection (SV) à une grille (SGC) du transistor de sélection (ST32) d'une seconde cellule mémoire (C32) connectée à la même ligne de bit (BL), et appliquer une tension d'inhibition (Vinh) à une grille de contrôle (CG) du transistor à accumulation de charges (FGT32) de la seconde cellule mémoire, pour maintenir le transistor dans un état bloqué.
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公开(公告)号：FR2982080A1
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：FR1159718
申请日：2011-10-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , RIVERO CHRISTIAN
Abstract: Procédé de communication sans fil entre un premier dispositif et un deuxième dispositif, dans lequel le premier dispositif (DIS1) et le deuxième dispositif (DIS2) comprenant respectivement un premier générateur thermoélectrique (GEN1) et un deuxième générateur thermoélectrique (GEN2), les deux générateurs thermoélectriques étant en couplage thermique, on génère (10) un premier signal (S1) au sein du premier dispositif, on alimente électriquement (11) le premier générateur thermoélectrique en fonction du premier signal de façon à créer (12) un premier gradient thermique (DeltaT1) dans ledit premier générateur et (13) un deuxième gradient thermique (AT2) dans le deuxième générateur, et on génère (15) un deuxième signal au sein du deuxième dispositif à partir de l'énergie électrique produite (14) par le deuxième générateur thermoélectrique en réponse audit deuxième gradient thermique (DeltaT2).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2973542A1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：FR1152800
申请日：2011-04-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL
IPC: G06K19/077 , G06F21/00
Abstract: Procédé de transaction sans contact entre un objet portable (1) et un lecteur (10), caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'authentification d'un logo (11) du lecteur par l'objet portable avant d'autoriser la transaction.
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公开(公告)号：FR2966268A1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：FR1058474
申请日：2010-10-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , RIVERO CHRISTIAN
IPC: G06K19/073 , H01L35/00
Abstract: Procédé comprenant une détection d'une remise en boîtier d'un circuit intégré (CI) après une mise en boîtier initiale. Ladite détection de remise en boîtier comprend une détection d'une énergie électrique produite à partir d'au moins un matériau thermoélectrique (MTH) contenu dans au moins une région soumise à un gradient de température lors de ladite remise en boîtier alors que le circuit intégré (CI) n'est pas en fonctionnement.
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公开(公告)号：FR2950997B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：FR0956923
申请日：2009-10-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
IPC: G06K19/073 , H01L23/58
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公开(公告)号：AT529892T
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：AT09757723
申请日：2009-05-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET SAS
Inventor： FORNARA PASCAL
IPC: H01L21/8246 , G11C16/00 , G11C17/00 , H01L27/02 , H01L27/112 , H01L27/115
Abstract: A non-volatile memory including at least first and second memory cells each including a storage MOS transistor with dual gates and an insulation layer provided between the two gates. The insulation layer of the storage transistor of the second memory cell includes at least one portion that is less insulating than the insulation layer of the storage transistor of the first memory cell.
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公开(公告)号：AT525707T
公开(公告)日：2011-10-15
申请号：AT09166481
申请日：2009-07-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORNARA PASCAL , RIVERO CHRISTIAN
IPC: G06K19/073
Abstract: The circuit has an intrusion attack detection device (5) comprising a single piece made of a conductive material, where the piece is surrounded by an insulating material. The piece has elongated conducting arms (16, 18) connected to a mobile rod (20) under tension or compression. A detection circuit (C) detects an electric connection between the piece and metallic conducting tracks (29, 30) to create a variation in length (L1, L2) of the arms during an attack by removing the insulating material for moving the rod to be in contact with the tracks. An independent claim is also included for a method for fabricating an integrated circuit.
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