公开(公告)号：FR3032845A1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：FR1551192

申请日：2015-02-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  SOCPRA SCIENCES ET GENIE SEC

Inventor： MIRSHEKARI GHOLAMREZA ,  LEVEILLE ETIENNE ,  FRECHETTE LUC G ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: H02N2/18

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant une première enceinte fermée (1) définissant une cavité ayant, parallèlement à une direction, une dimension inférieure à 5 mm ; au moins une deuxième enceinte fermée et élastiquement déformable (3) communiquant avec la première enceinte ; et un fluide (14) à plus de 90% à l'état liquide remplissant les première et deuxième enceintes, dans lequel une première portion (17) de la première enceinte est adaptée à être en contact avec une source chaude (15) de température supérieure à la température de vaporisation du fluide, et au moins une deuxième portion (21) de la première enceinte, voisine de la première portion, est adaptée à être en contact avec une source froide (19) de température inférieure à la température de condensation du fluide.

公开(公告)号：FR3045146B1

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：FR1562409

申请日：2015-12-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: G01D5/14

公开(公告)号：FR3048288A1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：FR1651570

申请日：2016-02-25

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  HIBLOT GASPARD

IPC: G01R19/165

Abstract: Le détecteur électronique intégré est configuré pour détecter l'apparition d'une variation de potentiel sur sa borne d'entrée et comporte un transistor MOS (11) dont le drain (D) forme une borne de sortie, et dans lequel la variation du courant de drain (Id) est représentative de ladite variation de potentiel sur la borne d'entrée. Le détecteur comprend en outre un transistor bipolaire (12) dont la base forme la borne d'entrée et dont le collecteur (C) est électriquement connecté à la grille (G) du transistor MOS, et possède une première configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est passant et le transistor MOS est bloqué, et une deuxième configuration dans laquelle le transistor bipolaire (12) est bloqué et le transistor MOS (11) est dans un fonctionnement sous-seuil, le détecteur étant configuré pour passer de sa première configuration à sa deuxième configuration lors de l'apparition de ladite variation de potentiel.

公开(公告)号：FR2982424A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：FR1160209

申请日：2011-11-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SAVELLI GUILLAUME ,  CORONEL PHILIPPE ,  GAILLARD FREDERIC ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H01L37/00

Abstract: Système de conversion d'énergie thermique en énergie électrique (S1) destiné à être disposé entre une source chaude (SC) et une source froide (SF) , comportant des moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) et un matériau piézoélectrique, les moyens de conversion de l'énergie thermique en énergie mécanique (6) comportant des groupes (G1, G2 ) de au moins trois bilames (9, 11, 13) reliés mécaniquement entre eux par leur extrémités longitudinales et suspendus au-dessus d'un substrat (12), chaque bilame (9, 11, 13) comportant deux états stables dans lesquels il présente dans chacun des états une courbure, deux bilames directement adjacentes (9, 11, 13) présentant pour une température donnée des courbures opposées, le passage d'un état à stable des bilames (9, 11, 13) à l'autre provoquant la déformation d'un matériau piézoélectrique.

公开(公告)号：FR3066269A1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1754047

申请日：2017-05-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TROCHUT SEVERIN ,  MONFRAY STEPHANE ,  BOISSEAU SEBASTIEN

IPC: G01D3/08 ,  G01R31/36 ,  G08C17/02 ,  H02J7/00 ,  H04Q9/00

Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.

公开(公告)号：FR3030157A1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：FR1462427

申请日：2014-12-15

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TROCHUT SEVERIN ,  WILLEMIN JEROME ,  BOISSEAU SEBASTIEN ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H03K17/30 ,  G01R17/02

Abstract: L'invention concerne un circuit (100) de comparaison d'une tension (Ve) à un seuil, comportant : des premier (A) et deuxième (B) noeuds d'application de ladite tension ; une première branche comportant un premier transistor (T1) en série avec une première résistance (R1) entre les premier et deuxième noeuds ; une deuxième branche comportant des deuxième (R2) et troisième (R3) résistances en série formant un pont diviseur de tension entre les premier et deuxième noeuds, le point milieu (D) du pont diviseur étant connecté à un noeud de commande du premier transistor (T1) ; et une troisième branche comportant un deuxième transistor (T2) en série avec un élément résistif (Rf), entre le noeud (D) de commande du premier transistor et le premier noeud, un noeud de commande du deuxième transistor étant connecté au point milieu (C) de l'association en série du premier transistor (T1) et de la première résistance (R1).

公开(公告)号：DE60314203D1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：DE60314203

申请日：2003-04-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  DUTARTRE DIDIER ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01S5/34 ,  H04L9/08

Abstract: An integrated circuit, incorporating a semiconductor device forming the source of a single photon, comprises on a silicon substrate (SB): (a) a MOS transistor (TR) having a grid in the shape of a mushroom, capable of delivering on its drain, in a controlled manner, a single electron in response to a control voltage applied on its grid; (b) at least one compatible silicon quantum box (BQ), electrically coupled to the drain region (D) of the transistor, and capable of emitting a single photon on the reception of a single electron emitted by the transistor. Independent claims are also included for: (a) a cryptographic device incorporating this integrated circuit; (b) a method for the fabrication of this integrated circuit; (c) a method for the emission of a single photon using this integrated circuit.

公开(公告)号：FR2865850A1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：FR0401018

申请日：2004-02-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  CHANEMOUGAME DANIEL ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: The production of a field effect transistor comprises: (A) obtaining a conductor substrate (100) supporting a portion of semiconductor material above a surface (S), with a portion of temporary material between it and the substrate; (B) forming a gate (2) comprising an upper part (C) in rigid liaison with the semiconductor material and a support part (A) resting on the substrate, the gate being obtained such that it is electrically insulated with respect to the semiconductor material and the conductor substrate; (C) removing the temporary material, the gate assuring the retention of the semiconductor material portion with respect to the substrate, in a manner to create an empty space between the semiconductor material portion and the substrate in place of the temporary material; (D) filling, at least partially, the empty space with an insulating material. Independent claims are also included for: (A) a field effect transistor produced by the method; (B) an integrated circuit incorporating this field effect transistor.

公开(公告)号：FR2821483A1

公开(公告)日：2002-08-30

申请号：FR0102745

申请日：2001-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SKOTNIKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  VILLARET ALEXANDRE

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

公开(公告)号：FR2819341A1

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：FR0100295

申请日：2001-01-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  MALLARDEAU CATHERINE

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: A process for making a DRAM-type cell includes growing layers of silicon germanium and layers of silicon, by epitaxy from a silicon substrate; superposing a first layer of N+ doped silicon and a second layer of P doped silicon; and forming a transistor on the silicon substrate. The method also includes etching a trench in the extension of the transistor to provide an access to the silicon germanium layers relative to the silicon layers over a pre-set depth to form lateral cavities, and forming a capacitor in the trench and in the lateral cavities.