公开(公告)号：FR2986373A1

公开(公告)日：2013-08-02

申请号：FR1250896

申请日：2012-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LE COZ JULIEN ,  FLATRESSE PHILIPPE ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01L27/06 ,  H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: L'invention concerne un circuit comprenant, entre deux bornes d'application d'une tension d'alimentation, un transistor MOS (34) et des composants logiques (36) formés dans des caissons semiconducteurs qui s'étendent sur un substrat semiconducteur (42) dopé d'un premier type de conductivité avec interposition d'une couche isolante (44). Une première région dopée du premier type de conductivité (50) s'étend sous la couche isolante en regard du caisson du transistor. Une deuxième région dopée d'un second type de conductivité (52) sépare la première région du substrat. Le circuit comprend un générateur d'un premier signal (Vg) appliqué sur la grille du transistor, d'un deuxième signal (Vp) appliqué sur la première région et d'un troisième signal (V1) appliqué sur la deuxième région, les premier et deuxième signaux variant entre deux valeurs simultanément, le deuxième signal présentant une tension supérieure, en valeur absolue à 1,8 V, la jonction constituée des première et deuxième régions étant bloquée.

公开(公告)号：DE60314203D1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：DE60314203

申请日：2003-04-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  DUTARTRE DIDIER ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01S5/34 ,  H04L9/08

Abstract: An integrated circuit, incorporating a semiconductor device forming the source of a single photon, comprises on a silicon substrate (SB): (a) a MOS transistor (TR) having a grid in the shape of a mushroom, capable of delivering on its drain, in a controlled manner, a single electron in response to a control voltage applied on its grid; (b) at least one compatible silicon quantum box (BQ), electrically coupled to the drain region (D) of the transistor, and capable of emitting a single photon on the reception of a single electron emitted by the transistor. Independent claims are also included for: (a) a cryptographic device incorporating this integrated circuit; (b) a method for the fabrication of this integrated circuit; (c) a method for the emission of a single photon using this integrated circuit.

公开(公告)号：FR3011346A1

公开(公告)日：2015-04-03

申请号：FR1359558

申请日：2013-10-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  BOEUF FREDERIC

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention est relative à un déphaseur électro-optique configuré pour être disposé dans un guide d'onde optique (12), comprenant une nervure (WG) en matériau semi-conducteur , agencée dans le prolongement du guide d'onde ; une structure de commande configurée pour modifier la concentration de charges dans la nervure en fonction d'une tension de commande (VC) appliquée entre des première et deuxième bornes de commande (A, C) du déphaseur. La structure de commande comprend une couche conductrice (18-1) couvrant une partie de la nervure et reliée électriquement à une première des bornes de commande (C) ; et une couche d'isolant (20) agencée pour isoler la couche conductrice électriquement de la nervure.

公开(公告)号：FR2839388A1

公开(公告)日：2003-11-07

申请号：FR0205539

申请日：2002-05-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  DUTARTRE DIDIER ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/00 ,  H01L21/336 ,  H04L9/00

Abstract: An integrated circuit, incorporating a semiconductor device forming the source of a single photon, comprises on a silicon substrate (SB): (a) a MOS transistor (TR) having a grid in the shape of a mushroom, capable of delivering on its drain, in a controlled manner, a single electron in response to a control voltage applied on its grid; (b) at least one compatible silicon quantum box (BQ), electrically coupled to the drain region (D) of the transistor, and capable of emitting a single photon on the reception of a single electron emitted by the transistor. Independent claims are also included for: (a) a cryptographic device incorporating this integrated circuit; (b) a method for the fabrication of this integrated circuit; (c) a method for the emission of a single photon using this integrated circuit.