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公开(公告)号：CN104034324B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410083711.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 马克·E·施拉曼 , 方德宥 , 基思·L·克拉韦尔 , 迈克·A·马尔古莱斯 , 佐原裕人
IPC: G01C19/5776 , G01D3/028
CPC classification number: G01P9/04 , B81B5/00 , B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/03 , G01C19/5776
Abstract: 提供了减小多功能传感器器件中偏移变化的系统及方法。在这些实施例中，多功能感测器件（100）包括微机电（MEMS）陀螺仪（110）和至少第二传感器（112）。所述MEMS陀螺仪（110）被配置为生成第一时钟信号，以及所述第二传感器包括第二时钟信号。所述多功能感测器件还包括重置机构（114），所述重置机构（114）被配置为生成重置信号以设置在所述第二时钟信号与所述第一时钟信号的相对周期性相位对齐。始终设置其它传感器器件（112）的时钟与所述MEMS陀螺仪（110）的时钟的相对周期性相位对齐可以通过减小不同的输出偏移会在多个感测器件内发生的可能性来改进器件的性能。
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公开(公告)号：CN107850505A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043400.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC classification number: G01L9/0047 , B81B3/0051 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , G01L19/0618
Abstract: 根据本发明的示例方面，提供有MEMS电容式压力传感器(1)，其包括第一电极(17)、通过第一电极(17)和第二电极(18)之间的腔室(4)与第一电极(17)电绝缘的可变形的第二电极(18)，并且其中第一电极(17)和第二电极(18)中的至少一个包括突出进入腔室(4)中的至少一个基座(5)。根据本发明的另一个示例方面，还提供有用于制造MEMS电容式压力传感器(1)的方法。
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公开(公告)号：CN107848790A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043529.9
申请日：2016-05-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： R·赖兴巴赫
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C1/00301 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及一种用于微电子结构元件装置的制造方法和相应的微电子结构元件装置。所述制造方法在此包括所述步骤，据此提供一种具有第一表面和与所述第一表面相对置的第二表面以及至少一个侧面的传感器，其中，所述第一表面至少局部地具有探测面。在下一步骤中将牺牲材料施加到所述传感器的第一表面上，其中，所述探测面至少局部地被所述牺牲材料覆盖并且所述牺牲材料延伸至所述传感器的侧面。此外，提供具有安装面的载体。然后将所述传感器电连接到所述载体上，其中，所述传感器的第一表面和所述载体的安装面彼此相对置地具有间距。接下来除去所述牺牲材料，其中，所述探测面至少部分地免受所述牺牲材料的约束。
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公开(公告)号：CN107697882A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710193990.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/0771 , B81C2203/0792 , B81C3/001 , B81B7/0006 , B81B7/0064 , B81B7/02
Abstract: 公开了用于制造半导体器件的工艺以及相应半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。
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公开(公告)号：CN104276540B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410315253.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0037 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00682 , G01L9/0072 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械部件，具有：基片(10)，其具有空穴(12)，所述空穴向内构造在所述基片的功能性上侧(10a)中；至少部分导电的薄膜(24)，其至少部分地张紧所述空穴；以及对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜的从基片远离地指向的外侧上，以使在对应电极和至少部分导电的薄膜之间存在自由空间(52)；所述至少部分导电的薄膜张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片的功能性上侧的电绝缘材料上或其上方；和至少一个压力入口(56)构造在空穴上，以使所述至少部分导电的薄膜利用从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴中的气体介质可向内弯曲到所述自由空间中。本发明还涉及一种微机械部件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN107406249A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580076079.9
申请日：2015-12-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C99/008 , B81B7/0058 , B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C2201/038 , B81C2201/056 , G01L9/0005 , G01L19/144 , G01L19/147 , G01L1/14 , G01L9/12
Abstract: 一种MEMS装置，例如柔性MEMS压力传感器，通过将牺牲层（诸如光致抗蚀剂）设置在衬底上而形成。第一柔性支撑层设置在衬底上，且第一导电层设置在第一支撑层的一部分上。一种液体或凝胶分离部（诸如硅油）被设置在第一导电层的内部区域上。第二柔性支撑层封装第一导电层和分离部。设置在第二支撑层上的第二导电层至少部分地与第一导电层重叠并形成平行板电容器。第三柔性支撑层封装第二导电层和第二支撑层。将传感器浸泡在热水中将传感器从牺牲层释放。
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公开(公告)号：CN107176587A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611039292.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C1/00261
Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107032296A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710022540.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00309 , B81C2203/0136 , B81C2203/0154 , B81C2203/0792 , G01L19/141 , B81C1/00269 , B81B7/0032 , B81C1/0023 , G01L7/08
Abstract: 本发明涉及一种用于制造压力传感器的方法，所述方法包括步骤：提供具有凹部的基底；将微机械传感器元件在所述基底上置于所述凹部中；将分析电路在所述基底上置于所述凹部旁边；将所述分析电路与所述传感器元件电连接；借助于浇铸模围绕所述凹部覆盖所述基底，使得所述凹部封闭；浇铸在所述基底和所述浇铸模之间的分析电路；并且移除所述浇铸模。
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公开(公告)号：CN104124224B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410175976.2
申请日：2014-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了一种芯片封装以及制造该芯片封装的方法。在各个实施例中，提供芯片封装。芯片封装可以包括具有多个压力传感器区的至少一个芯片以及包封芯片的包封材料。
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