公开(公告)号：CN107836036A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040930.7

申请日：2016-07-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·毛 ,  H·阮 ,  L·阮 ,  A·波达尔

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。

公开(公告)号：CN107121461A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710105978.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 张青 ,  穆罕默德·马赫布卜·乔杜里 ,  古尔·泽布

IPC: G01N27/22 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/223 ,  G01N27/225 ,  G01N27/227 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了由电容式湿度传感器组成的半导体装置、由密封的装置组成的封装和在半导体装置内形成电容式湿度传感器的方法，该电容式湿度传感器由潮湿敏感聚合物层组成，该潮湿敏感聚合物层电接枝到定位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层且暴露于通过钝化层的开口内。

公开(公告)号：CN101061432B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200580039211.5

申请日：2005-10-14

Applicant: 伊利诺斯大学理事会

Inventor： 拉尔夫·G·努若 ,  威廉·R·蔡尔兹 ,  迈克尔·J·莫特拉 ,  李建宰

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

Abstract: 一种制造微结构的方法，包括选择性活化含硅弹性体的部分表面，使该活化部分与物质接触，以及使该活化部分与物质结合，使得该表面的活化部分和与该活化部分接触的物质不可逆地连接。通过在该含硅弹性体的表面上配置掩模以及用UV射线照射该露出部分可以实现这种选择性活化。

公开(公告)号：CN1791964A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02818262.6

申请日：2002-07-15

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·比赫法尔 ,  A·T·施莱莫 ,  C·B·斯塔加莱斯库

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G02B6/12002 ,  B81B2201/047 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0159 ,  G02B6/13 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4249 ,  G03F7/0037 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949 ,  Y10S438/95

Abstract: 用一系列加工步骤在基材(10)的表面上制造任意形状的三维结构，这样就以相继的各层制造成一个层叠的整体结构。将光阻材料的第一层(14)旋压在基材(10)的表面(18)上，并将它以对应于最终结构之形状的所需图案在结构的对应剖面层面处曝光。这一层在曝光后暂不冲洗，而是在第一层上压附上第二层30并且也将它以所需图案曝光。后续的各层(40，52，64)依次旋压在其前一层的顶面上并曝光，相继各层依次曝光完成后各限定所需三维结构的对应层面，将所有各层一起冲洗，以留下三维结构(22)。

公开(公告)号：CN1195190A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN98105197.9

申请日：1998-03-31

Applicant: 西门子公司

Inventor： 德克·托宾 ,  彼得·韦甘德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 一种半导体制造方法,包括:在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构;在其表面沉积流动性的牺牲材料,其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构;在第二结构表面沉积非牺牲材料,其与第二结构的表面形貌一致,非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面;选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料,以形成具有水平组件的第三结构,且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。

公开(公告)号：EP3237326A4

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：EP16780394

申请日：2016-01-05

Applicant: US GOV SEC NAVY

Inventor： MEYER DAVID J ,  DOWNEY BRIAN P

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.

公开(公告)号：EP2286000A1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：EP09746254.3

申请日：2009-05-14

Applicant: Consiglio Nazionale Delle Ricerche

Inventor： TORMEN, Massimo ,  GOTTER, Roberto ,  PRASCIOLU, Mauro

IPC: C23C14/04

CPC classification number: B05D5/00 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0159 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/042

Abstract: A method and a system for manufacturing two-dimensional and three-dimensional nanostructures and nanodevices are described, wherein the formation of the nanostructure (of the nanodevice) on a target substrate (20) is made, at a millimetric or super-millimetric distance (d) from the substrate, by the deposition of material emitted in the form of an atomic/molecular beam having a selected pattern (12, 16) corresponding, at an enlarged scale, to the desired pattern (22) of the nanostructure (nanodevice). The projection of the patterned beam through a diaphragm (26), associated with the substrate at a micrometric or sub-micrometric distance (4) and having at least one pinhole (30) aperture of nanometric size, brings about the formation of a reversed image of the emission pattern at a reduced scale on the substrate.

公开(公告)号：EP1767989A4

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：EP05745970

申请日：2005-05-31

Applicant: FUJIFILM CORP

Inventor： KAWAMURA KOICHI

IPC: G03F7/004 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/10

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  H05K3/064

公开(公告)号：EP1572860A4

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：EP03751748

申请日：2003-04-16

Applicant: UNIV PRINCETON

Inventor： CAO HAN ,  TEGENFELDT JONAS ,  CHOU STEPHEN Y

IPC: G01N37/00 ,  B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  B81B1/00 ,  B82B3/00 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  G03F7/20 ,  C12M1/34

CPC classification number: G01N21/6486 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502746 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/086 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2201/0159 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/48721 ,  G03F7/2008 ,  Y10T436/143333

Abstract: The present invention relates to a device for interfacing nanofluidic and microfluidic components suitable for use in performing high throughput macromolecular analysis. Diffraction gradient lithography (DGL) is used to form a gradient interface between a microfluidic area and a nanofluidic area. The gradient interface area reduces the local entropic barrier to anochannels formed in the nanofluidic area. In one embodiment, the gradient interface area is formed of lateral spatial gradient structures for narrowing the cross section of a value from the micron to the nanometer length scale. In another embodiment, the gradient interface area is formed of a vertical sloped gradient structure. Additionally, the gradient structure can provide both a lateral and vertical gradient.

Abstract translation: 本发明涉及一种设备，用于接口适用于执行高通量分析大分子使用纳米流体和微流体组件。 衍射梯度光刻（DGL）用于形成微流体区域和纳米流体区之间的梯度界面。 梯度界面面积减小局部熵障碍在纳米流体区域上形成anochannels。 在一个中，实施方式梯度界面区域被用于从微米到纳米尺度缩小的值的横断面形成横向空间梯度结构。 在另一个，本实施例的梯度界面区域中形成垂直梯度倾斜的结构。 此外，梯度结构可以同时提供横向和垂直梯度。

公开(公告)号：EP1634125B1

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：EP04739268.3

申请日：2004-05-19

Applicant: Singleton, Laurence

Inventor： SINGLETON, Laurence ,  SCHEURER, Jörg

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/42 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/405

Abstract: The invention relates to a lithographic method for producing microcomponents having a submillimeter structure, whereby the resist material can be dissolved in a simple manner. According to the invention, a structurable adhesive layer is applied to a metallic starting layer, a layer consisting of photostructurable epoxy resin is applied to the adhesive layer, and the epoxy resin is structured by means of selective illumination and dissolution of the unexposed regions in order to create supporting structures and free spaces between the supporting structures. Only the free spaces provided for the microcomponent and located between the epoxy resin supporting structures are then filled with metal according to a galvanic method, and the epoxy resin is removed, the remaining free spaces being filled with etching agents.