公开(公告)号：CN101335227B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810129521.1

申请日：2008-06-30

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： M·奈姆

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明涉及用于夹持工作基底的聚合物陶瓷E-吸盘，包括三层，其中非导电层的介电常数选择成为吸盘提供总体低的电容。在吸盘组件中，与基底例如晶片接触的顶部介电层具有大于约5的介电常数，大于约1E6ohm.m的电阻率；但底部介电层具有小于约5的介电常数，大于约1E10ohm.m的电阻率。中间层具有电阻率小于约1ohm.m的导电层。静电吸盘可粘附于涂敷抗电弧电介质的散热器。散热器也可用作RF电极。散热器可提供有冷却剂和气体槽道以将冷却气体供应到晶片背部。散热器可具有供给通路以对静电吸盘内的分段电极充电。供给通路、供气孔和提升销用的通道可用陶瓷或聚合物衬里以防止对散热器的任何放电。静电吸盘用于在半导体工具中夹持工作基底如Si、GaAs、SiO2等。

公开(公告)号：CN101688295B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880016940.2

申请日：2008-03-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东 ,  大卫·苏若恩

IPC: C23C14/50 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/6833

Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。

公开(公告)号：CN101609771B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810067934.1

申请日：2008-06-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 张丽娜 ,  陈卓 ,  冯辰 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  李群庆 ,  范守善

IPC: H01J9/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/02 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/2802 ,  Y10S438/96

Abstract: 本发明涉及一种透射电镜微栅的制备方法，其包括以下步骤：提供多个金属网格间隔设置在一基底表面；从碳纳米管阵列中拉取获得至少一碳纳米管薄膜；将至少一碳纳米管薄膜覆盖在该多个间隔设置的金属网格上；使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜和金属网格；以及断开该多个金属网格之间的碳纳米管薄膜，从而形成多个透射电镜微栅。

公开(公告)号：CN101609794A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200810006997.6

申请日：2008-01-28

Applicant: 硅源公司

Inventor： 弗兰乔斯·J·亨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L49/02 ,  C30B31/22 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01J37/20 ,  B28D1/221 ,  B28D5/00 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2005 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造厚膜材料的温控设备包括台，其包括用于支撑将注入且随后解理的散料的平坦表面。散料具有表面区、侧面区、和提供材料容量并限定在底部区和表面区之间长度的底部区。该设备还包括机械夹具，适于将底部区接合到台的平坦表面，使得散料与平坦表面物理接触，用于通过散料和台之间的界面区传递热能，同时使表面区充分暴露。此外，该设备还包括传感器装置，被配置为测量表面区的温度值并产生输入数据。该设备还包括注入装置，被配置为通过散料的表面区的一个或多个部分执行多个粒子的注入；以及控制器，被配置为接收和处理输入数据以至少通过台的平坦表面和散料的底部区之间的至少界面区来提高和/或降低表面区的温度值。

公开(公告)号：CN101609771A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200810067934.1

申请日：2008-06-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 张丽娜 ,  陈卓 ,  冯辰 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  李群庆 ,  范守善

IPC: H01J9/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/02 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/2802 ,  Y10S438/96

Abstract: 本发明涉及一种透射电镜微栅的制备方法，其包括以下步骤：提供多个金属网格间隔设置在一基底表面；从碳纳米管阵列中拉取获得至少一碳纳米管薄膜；将至少一碳纳米管薄膜覆盖在该多个间隔设置的金属网格上；使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜和金属网格；以及断开该多个金属网格之间的碳纳米管薄膜，从而形成多个透射电镜微栅。

公开(公告)号：CN101335227A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810129521.1

申请日：2008-06-30

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： M·奈姆

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明涉及用于夹持工作基底的聚合物陶瓷E－吸盘，包括三层，其中非导电层的介电常数选择成为吸盘提供总体低的电容。在吸盘组件中，与基底例如晶片接触的顶部介电层具有大于约5的介电常数，大于约1E6ohm.m的电阻率；但底部介电层具有小于约5的介电常数，大于约1E10ohm.m的电阻率。中间层具有电阻率小于约1ohm.m的导电层。静电吸盘可粘附于涂敷抗电弧电介质的散热器。散热器也可用作RF电极。散热器可提供有冷却剂和气体槽道以将冷却气体供应到晶片背部。散热器可具有供给通路以对静电吸盘内的分段电极充电。供给通路、供气孔和提升销用的通道可用陶瓷或聚合物衬里以防止对散热器的任何放电。静电吸盘用于在半导体工具中夹持工作基底如Si、GaAs、SiO2等。

公开(公告)号：CN104979151B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510171305.3

申请日：2015-04-13

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： B.R.小劳思 ,  V.布罗登 ,  M.施米德特

IPC: H01J37/26 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01J37/20 ,  G01N1/44 ,  H01J37/26 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/31745

Abstract: 本发明涉及高容量TEM栅格，特别是一种TEM栅格提供立柱，立柱具有台阶，台阶增加了能附连到栅格上的样品数量。在某些实施例中，每个立柱包括单侧楼梯台阶配置。一种用于提取多种样品的方法包括提取样品并且将样品附连到立柱的不同楼梯台阶上。

公开(公告)号：CN108666194A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810244900.9

申请日：2018-03-23

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 岩堀敏行

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749 ,  H01J37/261

Abstract: 本发明提供试样保持器具、部件安装用器具以及带电粒子束装置，其能够在确保用于在多个不同的带电粒子束装置之间移置试样的通用性的同时防止装置结构所需的费用增加。带电粒子束装置(10)具有：支架(13)，其可拆下地固定保持试样(S)的试样保持器具(12)；以及试样台(14)，其将支架(13)固定在试样室(11)的内部。试样保持器具(12)具有：试样保持部件，其保持试样(S)；支承台，其支承试样保持部件；以及夹具，其安装在支承台上配置有试样保持部件的位置。

公开(公告)号：CN108463872A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780006590.0

申请日：2017-01-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 麦可·W·奥斯邦 ,  大卫·E·苏若恩 ,  朱利安·G·布雷克

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/425 ,  H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01J27/02

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/026 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/30405 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

Abstract: 一种离子植入机可包括：静电夹，用以固持衬底；淹没式等离子体枪，产生撞击于所述衬底上的电子通量；以及控制器，耦合至所述淹没式等离子体枪，并包括响应于测量信号而产生控制信号的部件，所述控制信号用以将所述淹没式等离子体枪的操作调整至目标操作水平。在所述目标操作水平上，所述电子通量可包括电子稳定化剂量、电子稳定化浓度，所述稳定化浓度将所述静电夹中的夹电流变化减小至目标值，所述目标值小于当所述淹没式等离子体枪不操作时的夹电流变化的第二值。

公开(公告)号：CN106226577A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610379541.9

申请日：2016-06-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  约翰·德鲁厄里 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: G01R19/00 ,  H01J37/20

CPC classification number: G01R19/0084 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2007

Abstract: 本发明涉及电压模型RF偏置应用的大动态范围RF电压传感器和方法。衬底处理系统的电压传感器包括多分压器电路、钳位电路和第一和第二输出。多分压器电路接收表示在衬底的RF电压的射频信号。多分压器电路包括相应信道的分压器和根据接收到的射频信号输出第一和第二下降的电压。下降的电压小于RF电压。当RF电压大于第二预定电压或第一下降的电压大于第三预定电压时，钳位电路钳位第一下降的电压到第一预定电压。当所接收到的RF信号是在第一和第二电压范围内时，第一和第二输出分别基于第一和第二下降的电压将输出信号输出。第一预定电压是基于所述第一电压范围的最大值。