公开(公告)号：FR3080950A1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：FR1853860

申请日：2018-05-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： EL DIRANI HASSAN ,  FONTENEAU PASCAL

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/739

Abstract: L'invention concerne une structure de type Z2-FET comprenant : deux grilles avant (115, 116) ; et deux grilles arrière (130, 132), respectivement de type P (130) et de type N (132) .

公开(公告)号：FR3080924A1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：FR1853819

申请日：2018-05-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LE MAITRE PATRICK ,  MICHIT NICOLAS ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  CHARBONNIER BENOIT

IPC: G02B6/10 ,  G02F1/00 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne un dispositif (100) comportant un guide d'onde annulaire (103) ; une diode (107) ; et un premier circuit (111) configuré pour fournir un signal (MES) représentatif d'un courant de fuite dans ladite diode polarisée en inverse.

公开(公告)号：FR3079964A1

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：FR1853043

申请日：2018-04-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  FAGOT JEAN-JACQUES ,  PETITPREZ EMMANUEL ,  SOUCHIER EMELINE ,  WEBER OLIVIER

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/8222 ,  H01L25/00

公开(公告)号：FR3071074B1

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：FR1758338

申请日：2017-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MICHIT NICOLAS ,  LE MAITRE PATRICK

IPC: G02B6/35 ,  G02F1/295

Abstract: Commutateur d'interconnexion photonique intégré dans une puce optoélectronique, comprenant un premier et un second guides d'ondes optiques linéaires (2, 3), qui se croisent en formant une intersection (4) et qui présentent respectivement des première et seconde extrémités (a, b) et des troisième et quatrième extrémités (c, d), et un premier et un second résonateurs annulaires photoniques de redirection (5, 6), couplés entre eux en une zone de couplage optique intermédiaire (9) et contrôlables par un signal électrique, et dans lequel le premier résonateur annulaire (5) est couplé au premier guide d'ondes optiques (2) en un premier zone de couplage optique (10) située du côté de ladite première extrémité (a), et le second résonateur annulaire (6) est couplé au second guide d'ondes optiques (3) en une seconde zone de couplage optique (11) située du côté de ladite troisième extrémité (c). Réseau non-bloquant d'interconnexion photonique incluant plusieurs commutateurs.

公开(公告)号：FR3079092A1

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：FR1852165

申请日：2018-03-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： EL DIRANI HASSAN ,  FONTENEAU PASCAL

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/00

Abstract: L'invention concerne un inverseur comprenant un interrupteur Z2-FET (IN ; IP).

公开(公告)号：FR3078437A1

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：FR1851612

申请日：2018-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  BOEUF FREDERIC

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

Abstract: L'invention concerne une jonction PN comprenant une zone (36) en SiGe dont la concentration en germanium est graduelle.

公开(公告)号：FR3078436A1

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：FR1851615

申请日：2018-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUTARTRE DIDIER

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/82

Abstract: Circuit intégré (IC) comportant un substrat (1), au moins un premier domaine (D1), et au moins un deuxième domaine (D2) distinct dudit au moins un premier domaine (D1), dans lequel le substrat (1) contient une région riche en pièges (CP) uniquement dans ledit au moins un deuxième domaine (D2).

公开(公告)号：FR3078197A1

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：FR1851485

申请日：2018-02-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GAUTHIER ALEXIS ,  BORREL JULIEN

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/70

Abstract: Le transistor à jonction bipolaire (700) comporte une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22) et une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61). Le transistor à jonction bipolaire (700) comprend des régions de passivation comportant du carbone (40, 42) dans la région de collecteur intrinsèque (22) et s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).

公开(公告)号：FR3077888A1

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：FR1851202

申请日：2018-02-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LE MAITRE PATRICK ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: G02B6/10 ,  H04B10/80 ,  H04J14/00

Abstract: L'invention concerne une puce optoélectronique (5) comprenant des entrées optiques (E1, E2) ayant des bandes passantes différentes, au moins un circuit photonique à tester (DUT1), et un dispositif de couplage optique (1) configuré pour relier lesdites entrées au circuit à tester (DUT1).

公开(公告)号：FR3076916A1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：FR1850290

申请日：2018-01-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MONFRAY STEPHANE

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.