中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

20 records (took 0.028 seconds)

    CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE
    4.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE 未知

    公开(公告)号：FR3077927A1

    公开(公告)日：2019-08-16

    申请号：FR1851203

    申请日：2018-02-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： LALANNE FREDERIC ,  GAY LAURENT ,  FONTENEAU PASCAL ,  HENRION YANN ,  GUYADER FRANCOIS

    IPC: H01L27/148

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) ayant une face avant et une face arrière, et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice, le mur d'isolation capacitif comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; et b) graver, depuis la face arrière de ladite structure, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de la région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur, de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b).

    Capteur d'images à éclairement par la face arrière
    5.
    发明专利
    Capteur d'images à éclairement par la face arrière 未知

    公开(公告)号：FR3091787A1

    公开(公告)日：2020-07-17

    申请号：FR1900323

    申请日：2019-01-14

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： GAY LAURENT ,  LALANNE FREDERIC ,  HENRION YANN ,  GUYADER FRANÇOIS ,  FONTENEAU PASCAL ,  SEIGNARD AURÉLIEN

    IPC: H01L31/18 ,  H01L27/146

    Abstract: Capteur d'images à éclairement par la face arrière La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice et comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; b) graver, depuis la face arrière, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de ladite région (105c) de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b) ; c) déposer une couche diélectrique de passivation (107) sur la face arrière de la structure ; et d) retirer localement la couche de passivation (107) en vis-à-vis des parois isolantes (105a, 105b). Figure pour l'abrégé : Fig. 10

    CIRCUIT INTEGRE SUR SOI COMPRENANT UN TRANSISTOR DE PROTECTION CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES
    9.
    发明专利
    CIRCUIT INTEGRE SUR SOI COMPRENANT UN TRANSISTOR DE PROTECTION CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES 未知

    公开(公告)号：FR3005203A1

    公开(公告)日：2014-10-31

    申请号：FR1353811

    申请日：2013-04-26

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE ,  FONTENEAU PASCAL

    IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré (9), comprenant : -des premier et deuxième composants électroniques (1, 2) ; -une couche isolante enterrée (92) de type UTBOX ; -des premier et deuxième plans de masse (11, 21) à l'aplomb des premier et deuxième composants électroniques ; -des premier et deuxième caissons (12, 22) en contact; -des première et deuxième électrodes (14, 24) de polarisation en contact avec les premier et deuxième caissons et avec les premier et deuxième plans de masse; -une troisième électrode (17) en contact avec le premier caisson; -une première tranchée d'isolation (62) séparant les première et troisième électrodes et s'étendant au travers de la couche isolante enterrée (92) jusque dans le premier caisson ; -une deuxième tranchée d'isolation (13) isolant la première électrode du premier composant, et ne s'étendant pas jusqu'à l'interface entre le premier plan de masse et le premier caisson.

Patent Agency Ranking