다중 채널 영역들을 갖는 셀 스위칭 트랜지스터들을채택하는 반도체 기억소자들 및 그 제조방법들
    201.
    发明授权
    다중 채널 영역들을 갖는 셀 스위칭 트랜지스터들을채택하는 반도체 기억소자들 및 그 제조방법들 失效
    采用具有多个沟道区的单元开关晶体管的半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100629388B1

    公开(公告)日:2006-09-29

    申请号:KR1020040051732

    申请日:2004-07-02

    Abstract: 다중 채널 영역들을 갖는 셀 스위칭 트랜지스터들을 채택하는 반도체 기억소자들 및 그 제조방법들이 제공된다. 상기 반도체 기억소자들은 반도체 기억 셀들을 구비한다. 상기 반도체 기억 셀들의 각각은 집적회로 기판 및 상기 집적회로 기판에 형성된 스위칭 소자를 갖는다. 상기 스위칭 소자는 상기 집적회로 기판으로부터 돌출된 채널 핀 및 상기 채널 핀의 양 측벽들을 덮는 게이트 전극을 구비하고 상기 게이트 전극과 중첩하는 상기 채널 핀의 표면들에 형성되는 다중 채널 영역들(multiple channel regions)을 갖는다. 상기 스위칭 소자 상에 층간절연막이 제공되고, 상기 층간절연막 상에 데이터 저장요소(data storage element)가 적층된다. 상기 데이터 저장요소는 상기 스위칭 소자의 드레인 영역에 전기적으로 접속된다. 상기 데이터 저장요소는 상변화 저항체 또는 자기터널 접합 구조체와 같은 프로그래머블 저항체일 수 있다. 상기 반도체 기억소자의 제조방법들 역시 제공된다.

    PDP 활성화 상태에서 인터 라우팅 에어리어 업데이트시 과금 특성 선택 모드의 전송 방법
    203.
    发明公开
    PDP 활성화 상태에서 인터 라우팅 에어리어 업데이트시 과금 특성 선택 모드의 전송 방법 无效
    用于在PDP活动状态下的间路由区域更新期间充电特征选择模式的传输方法

    公开(公告)号:KR1020060057776A

    公开(公告)日:2006-05-29

    申请号:KR1020040096828

    申请日:2004-11-24

    Inventor: 박재현

    CPC classification number: H04W8/14 H04W4/24

    Abstract: 본 발명은, 네트워크 접속망에서, 단말이 이동하기 전 게이트 웨이 서포트 노드(GGSN)와 연결된 이전 서빙 서포트 노드(SGSN)와, 상기 단말의 이동 후 새로운 서빙 서포트 노드 간의 인터 SGSN 라우팅 에어리어 업데이트 시 과금 특성을 전송하는 방법에 있어서, 상기 새로운 SGSN으로부터 SGSN 컨텍스트 요청 메시지를 수신하는 과정과, 현재 패킷 데이터 프로토콜(PDP)상태가 활성화 상태인지 확인하는 과정과, 상기 확인 결과 PDP 활성화 상태이면, PDP활성화 상태의 모든 PDP컨텍스트 정보들과, 상기 PDP컨텍스트 정보들 각각에 해당하는 과금 특성 및 과금 특성 선택모드를 포함하는 SGSN 컨텍스트 응답 메시지를 생성하는 과정과, 상기 생성된 SGSN 컨텍스트 응답 메시지를 상기 새로운 SGSN으로 전송하는 과정을 포함하여 구성되어, PDP상태가 활성화일 경우 인터 SGSN RA 업데이트 시, 새로운 SGSN이 이전 SGSN으로부터 과금 특성 뿐만 아니라 과금 특성 선택 모드까지 같이 넘겨받음으로써, 보다 정확한 과금 특성이 생성될 수 있는 효과가 있다.

    GPRS, Inter-SGSN Area Update, PDP Active, Charging Characteristics, Charging Characteristics Selcection Mode

    자기 기억 소자 및 그 형성 방법
    204.
    发明公开
    자기 기억 소자 및 그 형성 방법 有权
    磁记忆体装置及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020060036685A

    公开(公告)日:2006-05-02

    申请号:KR1020040085754

    申请日:2004-10-26

    Inventor: 정원철 박재현

    Abstract: A magnetic memory device includes bottom electrodes disposed on an interlayer dielectric on a substrate. The bottom electrodes are spaced apart from one another in one direction as much as a first distance. A planarized insulation layer fills spaces between the bottom electrodes and has a top surface coplanar with a top surface of the bottom electrode. Magnetic tunnel junction (MTJ) patterns are connected to the bottom electrodes, respectively, and are spaced apart from one another in the one direction as much as a second distance. The first distance is equal to the second distance.

    이동 통신 단말기의 움직임 정도를 이용한 게임 장치 및 방법
    206.
    发明公开
    이동 통신 단말기의 움직임 정도를 이용한 게임 장치 및 방법 有权
    使用移动电话移动度的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020060015193A

    公开(公告)日:2006-02-16

    申请号:KR1020040064044

    申请日:2004-08-13

    CPC classification number: H04M1/72544 H04M1/0241 H04M2201/38 H04M2250/12

    Abstract: 본 발명은 사용자가 화면을 통해 디스플레이되는 게임을 별도의 키조작 없이생동감있게 이용할 수 있는 기능을 제공하도록 구현된다. 이를 위해 본 발명은 이동 통신 단말기의 표시부 상에 디스플레이되는 화면을 이동 통신 단말기의 움직임 정도에 따라 생동감있게 변화시킬 수 있도록 한다. 이에 따라 본 발명은 이러한 게임의 이미지를 화면에 구현하여 친구들 및 연인끼리 플레이를 할 경우 항상 휴대하는 이동 통신 단말기에서 마치 실제 해당 도구를 이용하는 듯한 느낌을 생동감있게 화면에 표현할 수 있도록 한다.
    자이로센서, 움직임, 주사위

    스핀 주입 메카니즘을 사용하여 자기램 소자를 구동시키는방법들
    207.
    发明公开
    스핀 주입 메카니즘을 사용하여 자기램 소자를 구동시키는방법들 有权
    使用旋转注射机构操作磁性随机存取器件的方法

    公开(公告)号:KR1020060014907A

    公开(公告)日:2006-02-16

    申请号:KR1020040063641

    申请日:2004-08-12

    CPC classification number: G11C11/16 G11C5/025 G11C11/15 H01L43/08

    Abstract: Methods are provided for operating a magnetic random access memory device including a memory cell having a magnetic tunnel junction structure on a substrate. In particular, a writing current pulse may be provided through the magnetic tunnel junction structure, and a writing magnetic field pulse may be provided through the magnetic tunnel junction structure. In addition, at least a portion of the writing magnetic field pulse may be overlapping in time with respect to at least a portion of the writing current pulse, and at least a portion of the writing current pulse and/or at least a portion of the writing magnetic field pulse may be non-overlapping in time with respect to the other. Related devices are also discussed.

    적응적 이퀄라이저, 적응적 이퀄라이저를 구비한 통신수신기, 및 적응적 이퀄라이즈 방법
    209.
    发明公开
    적응적 이퀄라이저, 적응적 이퀄라이저를 구비한 통신수신기, 및 적응적 이퀄라이즈 방법 失效
    自适应均衡器,具有自适应均衡器的通信接收器和自适应均衡方法

    公开(公告)号:KR1020060011116A

    公开(公告)日:2006-02-03

    申请号:KR1020040059800

    申请日:2004-07-29

    CPC classification number: H04L25/03885

    Abstract: 수신기의 이퀄라이저를 적응적으로 제어할 수 있는 회로와 방법이 개시된다. 적응적 이퀄라이저는 이퀄라이저부와 이퀄라이저 제어회로를 구비한다. 이퀄라이저부는 제어코드와 입력 데이터에 응답하여 등화된 신호를 발생시킨다. 이퀄라이저 제어회로는 다중위상 클럭들 사이의 구간 내에 있는 입력 데이터의 천이의 수에 대한 정보를 갖고 있는 천이정보신호에 응답하여 제어코드를 발생시킨다. 적응적 이퀄라이저 및 이퀄라이즈 방법은 입력 데이터에 포함된 지터를 용이하게 감소시킬 수 있고, 고속으로 동작하는 수신기에 적용이 가능하고 디지털적으로 제어가 가능하다. 또한, 적응적 이퀄라이저 및 이퀄라이즈 방법은 반도체 집적회로에서 차지하는 면적이 작고 전력소모가 적다.

    Abstract translation: 公开了用于自适应地控制接收器的均衡器的电路和方法。 自适应均衡器具有均衡器部分和均衡器控制电路。 均衡器响应于控制码和输入数据生成均衡信号。 均衡器控制电路响应于具有关于在多相时钟之间的间隔中的输入数据的转变次数的信息的转变信息信号来生成控制码。 自适应均衡器和均衡方法可以容易地减少包含在输入数据中的抖动,可以应用于高速运行的接收器,并且是数字可控的。 另外,自适应均衡器和均衡方法在半导体集成电路中占用很小的面积并且消耗较少的功率。

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