公开(公告)号：CN102381678A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110262810.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 马克·E·施拉曼 ,  林毅桢

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种MEMS装置组件(20)及其封装方法。MEMS装置组件(20)包括MEMS印模(22)以及集成电路(IC)印模(24)。MEMS印模(22)包括形成于衬底(38)上的MEMS装置(36)以及盖层(34)。封装工艺(72)包括在衬底(38)上形成MEMS装置(36)，并移除围绕装置(36)的衬底(38)的材料部分，以形成其上设置MEMS装置(36)的悬臂式衬底平台(46)。盖层(34)连接至衬底(38)以覆盖MEMS装置(36)。MEMS印模(22)与IC印模(24)电互连。施加模制化合物(32)以基本上包封MEMS印模(22)、IC印模(24)以及电互连MEMS装置(22)和IC印模(24)的互连(30)。盖层(34)防止模制化合物(32)接触MEMS装置(36)。

公开(公告)号：CN102331325A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110195415.5

申请日：2011-07-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.洛伊施纳 ,  H.托伊斯 ,  B.温克勒

IPC: G01L19/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0054 ,  G01L15/00 ,  G01L19/141 ,  G01L19/148 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及压力传感器封装系统和方法。实施例涉及集成电路（IC）传感器和感测系统及方法。在实施例中，一种IC传感器器件包括：至少一个感测元件；在晶片级围绕所述至少一个感测元件布置的构架元件；以及具有由所述构架元件在所述晶片级预先定义的至少一个端口的封装，所述至少一个端口被配置成将所述至少一个感测元件的至少一部分暴露于周围环境。

公开(公告)号：CN101300913B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200580038714.0

申请日：2005-11-10

Applicant: 阿纳洛格装置公司

Inventor： 奥里沃·吉尔斯 ,  约翰·奥多德 ,  约翰·温 ,  威廉·亨特 ,  伊蒙·海茵斯 ,  比德·米翰

IPC: H05K7/02 ,  H05K7/06 ,  H05K7/08 ,  H05K7/10 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/81 ,  B81B3/0059 ,  B81B2201/0264 ,  H01L23/13 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及带间隔、带凸块部件结构。提供一种带间隔、带凸块部件结构，该带间隔、带凸块部件结构包括：第一板；与第一板隔开第一间隙的第二板；使各个板互连并限定第一间隙的多个焊料凸块；这些板中的至少一个具有包含用于限定尺寸与第一间隙不同的第二间隙的升高平台和凹槽中的一个的不规则部分。

公开(公告)号：CN102285632A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110175536.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: B81C1/00 ,  G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

公开(公告)号：CN102243125A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110008491.0

申请日：2011-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川英治 ,  出尾晋一

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127

Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。

公开(公告)号：CN102156012A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110061456.5

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0154 ,  B81C2203/0792 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，具有压阻式压力传感单元、电连线扩散层和所述第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，具有导体间介质层、位于所述导体间介质层中的导体连线层和/或所述第二衬底表面的第二粘合层；其中，所述第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，所述第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。

公开(公告)号：CN101119924B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580048189.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·伊林 ,  H·韦伯 ,  C·舍林 ,  H·施塔尔 ,  S·魏斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。

公开(公告)号：CN101078663B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200710104276.4

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞控股股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相接合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除也第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。

公开(公告)号：CN101449347A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780017871.2

申请日：2007-04-04

Applicant: LV传感器股份有限公司

Inventor： C·A·雷 ,  J·布雷泽克

IPC: H01G5/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/40

Abstract: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽，来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件，其为便于封装，使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。

公开(公告)号：CN100378889C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510071242.0

申请日：2005-05-13

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 旭辉·史蒂文·陈 ,  稔欢·艾伯特·邱 ,  卡尔·A·罗斯

IPC: H01H35/14 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B60C23/0408 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  H01H35/14

Abstract: 一种加速度开关及其方法，包括提供传导基板(10)和绝缘顶盖(16)。在绝缘顶盖(16)中形成了凹陷区域。绝缘层(12)安置在基板(10)上。传导层(14)安置在绝缘层(12)上。对传导层(14)进行刻蚀以形成悬梁(34)和电气隔离岛(36)。在悬梁(34)周围对绝缘层(12)进行刻蚀以释放悬梁(34)使之移动。触点安置在悬梁(34)上和凹陷区域中，由此在向开关施加加速度时，触点能够相互电气接触。顶盖(16)接合到传导层(14)，用以密封悬梁(34)。