公开(公告)号：JP3896158B2

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：JP51801194

申请日：1993-12-03

Applicant: コーネル・リサーチ・ファウンデーション・インコーポレイテッド

Inventor： サング、ゼット・リサ ,  ショー、ケビン・エイ ,  マクドナルド、ノエル・シー

IPC: C23F4/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0817 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S73/01 ,  Y10S148/05

公开(公告)号：WO2017016703A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016/061766

申请日：2016-05-25

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： REICHENBACH, Ralf

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/053 ,  H01L2224/73204

Abstract: Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Bauelementanordnung und eine entsprechende mikroelektronische Bauelementanordnung. Das Herstellungsverfahren umfasst hierbei die Schritte, wonach ein Sensor mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche sowie zumindest einer Seitenfläche bereitgestellt wird, wobei die erste Oberfläche zumindest bereichsweise eine Detektionsfläche aufweist. In einem nächsten Schritt wird ein Opfermaterial auf die erste Oberfläche des Sensors aufgebracht, wobei die Detektionsfläche zumindest bereichsweise von dem Opfermaterial bedeckt wird und sich das Opfermaterial zu der Seitenfläche des Sensors erstreckt. Ferner wird ein Träger mit einer Montagefläche bereitgestellt. Danach wird der Sensor auf dem Träger elektrisch verbunden, wobei die erste Oberfläche des Sensors und die Montagefläche des Trägers einander gegenüberliegend einen Abstand aufweisen. Anschließend wird das Opfermaterial entfernt, wobei die Detektionsfläche zumindest teilweise frei von dem Opfermaterial wird.

Abstract translation: 本发明提供了一种制造微电子器件组件和相应的微电子器件组件的方法。 在这种情况下的制造方法包括以下步骤，根据其提供了具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及至少一个侧表面上的传感器，其中所述第一表面区域，包括至少一个检测表面到。 在下一步骤中，牺牲材料沉积在传感器的第一表面，其中所述检测表面至少部分地由牺牲材料覆盖所述牺牲材料延伸到所述传感器的侧表面上。 此外，载体上设置有安装表面。 此后，在载体上的传感器电连接，其中所述传感器的所述第一表面，其距离为具有彼此相对的载体的安装表面。 随后，在牺牲材料被移除，其中所述检测表面是所述牺牲材料的至少部分自由。

公开(公告)号：WO2015152244A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/JP2015/060135

申请日：2015-03-31

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 平田　智也 ,  中西　太樹 ,  井上　博元 ,  川間　吉竜

IPC: G01F1/692 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00674 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/99 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0111 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0161 ,  B81C2201/053 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692

Abstract: 　第１の主面（２Ａ）と、第１の主面（２Ａ）と反対側に位置する第２の主面（２Ｂ）とを有し、第２の主面（２Ｂ）側にキャビティ構造（９，１０）が形成されている半導体基材（２）と、キャビティ構造（９，１０）が形成されている領域において、第１の主面（２Ａ）側に形成されている検出素子とを備え、半導体基材（２）の第２の主面（２Ｂ）は凹凸形状部（１２）を含み、凹凸形状部（１２）の凸部先端は曲面形状を有している。

Abstract translation: 该传感器元件设置有：具有第一主表面（2A）和位于第一主表面（2A）的相反侧的第二主表面（2B）的半导体基体材料（2），并且具有 形成在第二主表面（2B）侧的腔结构（9,10） 以及形成在形成有所述空腔结构（9,10）的区域中的所述第一主表面（2A）侧的检测元件。 半导体基材（2）的第二主表面（2B）包括粗糙部分（12），并且凹凸部分（12）的突出部分的前端具有曲面形状。

公开(公告)号：WO2013061313A8

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：PCT/IB2012055982

申请日：2012-10-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： LOSA STEFANO ,  PEZZUTO RAFFAELLA ,  CAMPEDELLI ROBERTO ,  AZPEITIA URQUIA MIKEL ,  PERLETTI MATTEO ,  ESPOSITO LUIGI

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

Abstract: A method for manufacturing a protective layer (25) for protecting an intermediate structural layer (22) against etching with hydrofluoric acid (HF), the intermediate structural layer (22) being made of a material that can be etched or damaged by hydrofluoric acid, the method comprising the steps of: forming a first layer of aluminium oxide, by atomic layer deposition, on the intermediate structural layer (22); performing a thermal crystallization process on the first layer of aluminium oxide, forming a first intermediate protective layer (25a),- forming a second layer of aluminium oxide, by atomic layer deposition, above the first intermediate protective layer; and performing a thermal crystallisation process on the second layer of aluminium oxide, forming a second intermediate protective layer (25b) and thereby completing the formation of the protective layer (25). The method for forming the protective layer (25) can be used, for example, during the manufacturing steps of an inertial sensor such as a gyroscope or an accelerometer.

Abstract translation: 一种制造用于保护中间结构层（22）以防止用氢氟酸（HF）蚀刻的保护层（25）的方法，所述中间结构层（22）由可被氢氟酸蚀刻或损坏的材料制成， 该方法包括以下步骤：通过原子层沉积在中间结构层（22）上形成第一氧化铝层; 在第一氧化铝层上进行热结晶处理，形成第一中间保护层（25a）， - 通过原子层沉积形成第二层氧化铝，在第一中间保护层上方; 以及对所述第二氧化铝层进行热结晶处理，形成第二中间保护层（25b），从而完成所述保护层（25）的形成。 形成保护层（25）的方法可以用于例如陀螺仪或加速度计等惯性传感器的制造步骤。

公开(公告)号：WO2011140140A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/US2011/035062

申请日：2011-05-03

Applicant: S3C, INC. ,  HUSSAIN, Javed ,  YUNUS, Mohammad ,  SUMINTO, James, T.

Inventor： HUSSAIN, Javed ,  YUNUS, Mohammad ,  SUMINTO, James, T.

IPC: G01L9/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81C1/00888 ,  B81C2201/053 ,  G01L9/0055 ,  H01L21/78

Abstract: A Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) pressure sensor is disclosed, comprising a gauge wafer, comprising a micromachined structure comprising a membrane region and a pedestal region, wherein a first surface of the micromachined structure is configured to be exposed to a pressure medium that exerts a pressure resulting in a deflection of the membrane region. The gauge wafer also comprises a plurality of sensing elements patterned on the electrical insulation layer on a second surface in the membrane region, wherein a thermal expansion coefficient of the material of the sensing elements substantially matches with a thermal expansion coefficient of the material of the gauge wafer. The pressure sensor comprises a cap wafer coupled to the gauge wafer, which includes a recess on an inner surface of the cap wafer facing the gauge wafer that defines a sealed reference cavity that encloses and prevents exposure of the sensing elements to an external environment.

Abstract translation: 公开了一种微机电系统（MEMS）压力传感器，其包括量规晶片，其包括微加工结构，其包括膜区域和基座区域，其中微机械加工结构的第一表面被配置为暴露于压力介质 其施加导致膜区域偏转的压力。 测量晶片还包括在膜区域中的第二表面上在电绝缘层上图案化的多个感测元件，其中感测元件的材料的热膨胀系数基本上与量规材料的热膨胀系数相匹配 晶圆。 压力传感器包括联接到量规晶片的盖子晶片，其包括位于盖晶片的内表面上的面向量规晶片的凹槽，该凹槽限定密封的参考腔，其封闭并防止感测元件暴露于外部环境。

公开(公告)号：WO2010147839A2

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/US2010038158

申请日：2010-06-10

Applicant: ANALOG DEVICES INC ,  TSAU CHRISTINE H ,  NUNAN THOMAS KIERAN

Inventor： TSAU CHRISTINE H ,  NUNAN THOMAS KIERAN

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/31116

Abstract: A thin silicon-rich nitride film (e.g., having a thickness in the range of around 100A to 10000A) deposited using low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) is used for etch stop during vapor HF etching in various MEMS wafer fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film may replace, or be used in combination with, a LPCVD stoichiometric nitride layer in many existing MEMS fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film is deposited at high temperatures (e.g., typically around 650-900 degrees C). Such a LPCVD silicon-rich nitride film generally has enhanced etch selectivity to vapor HF and other harsh chemical environments compared to stoichiometric silicon nitride and therefore a thinner layer typically can be used as an embedded etch stop layer in various MEMS wafer fabrication processes and devices and particularly for vapor HF etching processes, saving time and money in the fabrication process.

Abstract translation: 使用低压化学气相沉积（LPCVD）沉积的薄的富硅氮化物膜（例如，厚度在约100A至10000A的范围内）用于各种MEMS晶片制造工艺和器件中的蒸气HF蚀刻期间的蚀刻停止 。 LPCVD富硅氮化物膜可以在许多现有的MEMS制造工艺和器件中替代或与其组合使用LPCVD化学计量氮化物层。 LPCVD富硅氮化物膜在高温（例如典型地约650-900℃）下沉积。 与化学计量的氮化硅相比，这种LPCVD富硅氮化物膜通常对蒸汽HF和其它苛刻的化学环境具有增强的蚀刻选择性，因此较薄的层通常可用作各种MEMS晶片制造工艺和器件中的嵌入式蚀刻停止层，以及 特别是对于蒸汽HF蚀刻工艺，节省了制造过程中的时间和金钱。

公开(公告)号：WO2010038717A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/JP2009/066890

申请日：2009-09-29

Applicant: パナソニック電工株式会社 ,  辻 幸司 ,  萩原 洋右 ,  牛山 直樹

Inventor： 辻　幸司 ,  萩原　洋右 ,  牛山　直樹

IPC: H01L21/301 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/053

Abstract: 　機能デバイスの製造方法は、ウエハ処理工程と、貼付工程と、ダイシング工程と、剥離工程と、除去工程とを備える。ウエハ処理工程では、基板（１）の基礎となるウエハ（３）の一表面（３ａ）に機能性薄膜（２）を形成する。貼付工程では、ウエハ処理工程の後に、粘着剤を利用した粘着シートである保護シート（６）をウエハ３の一表面（３ａ）に直接的に貼り付けるとともに、ダイシングシート（７）をウエハ（３）の他表面（３ｂ）に貼り付ける。ダイシング工程では、貼付工程の後に、ダイシングシート（７）を切断せずに保護シート（６）とウエハ（３）とを切断して、ウエハ（３）を複数の機能デバイス（１０）に分割する。剥離工程では、ダイシング工程の後に、各機能デバイス（１０）から保護シート（６）を剥離する。除去工程では、剥離工程の後に、各機能デバイス（１０）に付着した保護シート（６）の粘着剤を含む有機物を除去する。

Abstract translation: 一种功能元件的制造方法具备晶片加工工序，接合工序，切割工序，剥离工序及除去工序。 在晶片处理步骤中，在作为基板（1）的基底的晶片（3）的一个表面（3a）上形成功能薄膜（2）。 在晶片加工工序之后的接合工序中，使用粘合剂的保护片（6）直接接合在晶片（3）的表面（3a）上，切割片（7）为 结合在晶片（3）的另一个表面（3b）上。 在接合步骤之后的切割步骤中，切割保护片（6）和晶片（3）而不切割切割片（7），并且将晶片（3）分成多个功能器件（10）。 在切割步骤之后的剥离步骤中，保护片（6）从各功能元件（10）剥离。 在剥离步骤之后的除去步骤中，除去附着在各功能元件（10）上的保护片（6）的粘合剂的有机材料。

公开(公告)号：WO2009033871A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/EP2008/059688

申请日：2008-07-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

Inventor： KRAMER, Torsten ,  BOEHRINGER, Matthias ,  PINTER, Stefan ,  BENZEL, Hubert ,  ILLING, Matthias ,  HAAG, Frieder ,  ARMBRUSTER, Simon

IPC: H01L21/78 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053

Abstract: Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für Chips vorgeschlagen, bei dem möglichst viele Verfahrensschritte im Waferverbund, also parallel für eine Vielzahl von auf einem Wafer angeordneten Chips, durchgeführt werden. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Chips, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht (2) eines Substrats (1) realisiert wird. Bei diesem Verfahren wird die Oberflächenschicht (2) strukturiert und mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht (2) erzeugt, so dass die einzelnen Chipbereiche (5) lediglich über Aufhängestege untereinander und/oder mit dem übrigen Substrat (1) verbunden sind, und/oder so dass die einzelnen Chipbereiche (5) über Stützelemente (7) im Bereich des Hohlraums (3) mit der Substratschicht (4) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Beim Vereinzeln der Chips werden die Aufhängestege und/oder Stützelemente (7) aufgetrennt. Erfindungsgemäß wird die strukturierte und unterhöhlte Oberflächenschicht (2) des Substrats (1) vor dem Vereinzeln der Chips in eine Kunststoffmasse (10) eingebettet.

Abstract translation: 与本发明的芯片的制造方法，提出了其中在晶片装配尽可能多的工艺步骤，所以并行设置，用于在晶片上的多个芯片中执行。 这是一种用于制造多个芯片，其功能，从（1）实现的衬底的表面层（2）开始的方法。 在该方法中，产生在表面层（2）的结构和至少一个腔（3）的表面层下面（2）中，以使得单独的芯片区域（5）仅经由悬架腹板之间彼此和/或与基板（1）的其余部分相连接， 和/或使得各个芯片区域（5）的支承元件（7）在空腔（3）与腔下方的基板层（4）的区域（3）。 在芯片的分离，悬浮液纤维网和/或支撑元件（7）是分离的。 根据本发明，该芯片在一个塑料的质量（10）在分离前的基板（1）的图案化和底切表面层（2）被嵌入。

公开(公告)号：WO2006078374A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：PCT/US2005/045204

申请日：2005-12-14

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. ,  MCDONALD, William, G. ,  HOOPER, Stephen, R. ,  SALIAN, Arvind, S.

Inventor： MCDONALD, William, G. ,  HOOPER, Stephen, R. ,  SALIAN, Arvind, S.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81C2201/053

Abstract: Methods are provided for manufacturing a sensor (100). The method comprises depositing a sacrificial material (330) at a first predetermined thickness onto a wafer having at least one sense element mounted thereon, the sacrificial material deposited at least partially onto the at least one sense element, forming an encapsulating layer (332) at a second predetermined thickness less than the first predetermined thickness over the wafer and around the deposited sacrificial material, and removing the sacrificial material. Apparatus for a sensor manufactured by the aforementioned method are also provided.

Abstract translation: 提供用于制造传感器（100）的方法。 该方法包括将第一预定厚度的牺牲材料（330）沉积到具有安装在其上的至少一个感测元件的晶片上，所述牺牲材料至少部分地沉积在至少一个感测元件上，形成封装层（332） 第二预定厚度小于晶片上方的第一预定厚度并且围绕沉积的牺牲材料，以及去除牺牲材料。 还提供了通过上述方法制造的传感器的装置。

公开(公告)号：WO2003095712A2

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：PCT/US2003/014664

申请日：2003-05-07

Applicant: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

Inventor： COHEN, Adam, L.

IPC: C25D5/02

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0735 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: Enhanced Electrochemical fabrication processes are provided that can form three-dimensional multi-layer structures using semiconductor based circuitry as a substrate. Electrically functional portions of the structure are formed from structural material (e.g. nickel) that adheres to contact pads of the circuit. Aluminum contact pads and silicon structures are protected from copper diffusion damage by application of appropriate barrier layers.

Abstract translation: 提供了增强的电化学制造工艺，其可以使用基于半导体的电路作为衬底形成三维多层结构。 结构的电功能部分由粘附到电路的接触垫的结构材料（例如镍）形成。 铝接触焊盘和硅结构通过施加适当的阻挡层来保护铜扩散损坏。