公开(公告)号：CN1773725A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN1657401A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009071.9

申请日：2005-02-17

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 胡贝特·本泽勒 ,  格哈德·拉梅尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法，其中，半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里，为了制造，在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是，接下来通过一个沟槽蚀刻工艺，从背侧直接在该多孔的第一层下面，在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是：该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。

公开(公告)号：CN106044698B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610237645.6

申请日：2016-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·弗勒梅尔

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0109 ,  G01L9/0041

Abstract: 本公开的各种实施例提供了一种用于封装的MEMS器件的系统和方法。根据实施例，器件包括衬底，布置在衬底之上的换能器裸片；布置在换能器裸片之上的盖体；以及将盖体连接到衬底的支撑结构。支撑结构包括被配置为允许在周围环境和换能器裸片之间传递流体信号的端口。

公开(公告)号：CN109688525A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811000514.1

申请日：2018-08-30

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 井上匡志

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  H04R1/02 ,  H04R7/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R19/04

Abstract: 一种转换器，维持背板的强度的同时，提高信噪比。转换器具备基板、与基板相对配置的背板、与背板相对配置的隔膜，背板具有主体部、支承主体部且与基板连接的支承部、贯通主体部的多个贯通孔，主体部具有：具有多个贯通孔的一部分的中央区域和连续或离散地包围中央区域且具有多个贯通孔的其它部分的三个以上的周边区域，各周边区域连续或离散地包围中央区域，中央区域及各周边区域的贯通孔的开口率相互不同，中央区域及各周边区域的开口率在中央区域内及各周边区域内为一定，中央区域的开口率比各周边区域的开口率高，主体部的外周侧的周边区域的开口率比中央区域侧的周边区域的开口率低。

公开(公告)号：CN109678103A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811625626.6

申请日：2018-12-28

Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司 ,  杭州士兰微电子股份有限公司

Inventor： 季锋 ,  江为团 ,  刘琛 ,  闻永祥

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158

Abstract: 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述半导体衬底的第一表面形成封闭所述空腔的敏感膜片；在所述空腔的内壁形成停止层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述停止层的通道，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；以及经由所述通道去除所述停止层。该方法在空腔内壁形成停止层，用于形成外部环境连通的通道，从而可以形成单芯片结构的压力传感器。

公开(公告)号：CN109502537A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811083883.1

申请日：2018-09-17

Applicant: 梅斯瑞士公司

Inventor： P.德尔雅卡

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R19/00 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  H04R1/06 ,  H04R31/006 ,  H04R2499/10 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2203/1147 ,  B81B3/00 ,  B81B3/0027 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及传感器组件、组装这样的传感器组件的对应方法、以及传感器系统。传感器组件包括至少一个换能器元件(106，106’，106”；206；306；406)，用于监测至少一个被测变量并生成与至少一个被测变量相关的电输出信号；以及传感器基板(112；312；406)，其包括换能器元件。传感器基板(112；312；406)可安装在电路载体(104；204；304；404)上，使得穿透电路载体的介质通道(124)允许至少一个被测变量到换能器元件的接取。电路载体具有导电的可焊接的第一密封图案(132；432)，其至少部分地围绕介质通道且与布置在传感器基板上的可焊接的第二密封图案(134；434)对齐，使得至少部分地围绕介质通道的焊接的密封连接形成在第一密封图案和第二密封图案之间。

公开(公告)号：CN108996467A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810896093.9

申请日：2018-08-08

Applicant: 宁波琻捷电子科技有限公司

Inventor： 温立 ,  李曙光 ,  陈斌峰

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明公开了一种传感器封装结构及方法，涉及传感器封装技术领域，该传感器封装结构包括线路基板、ASIC芯片、第一胶体、MEMS压力传感器和第二胶体，所述第一胶体包括首尾相接的四个侧墙和位于所述侧墙内的封装胶体，四个所述侧墙的高度大于所述封装胶体的高度，所述封装胶体包覆所述ASIC芯片，所述MEMS压力传感器包括MEMS芯片和芯片管脚，所述MEMS芯片位于所述封装胶体的上表面，所述芯片管脚电性连接至所述线路基板，所述第二胶体包覆所述MEMS芯片和所述芯片管脚与所述线路基板之间的引线。该传感器封装结构在采用本发明提供的传感器封装方法进行封装时封装工序简单，能够实现小型化封装，而且在封装时对ASIC芯片和MEMS压力传感器的大小没有特殊要求。

公开(公告)号：CN108793055A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810253119.8

申请日：2018-03-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·亚巴西加瓦蒂 ,  D·卡尔塔比亚诺 ,  A·A·波马里科 ,  G·罗塞利

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  G01L9/0042 ,  H01L41/1132 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00015

Abstract: 本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如，一种微机电换能器包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至半导体本体的第一表面；第一密封腔，位于半导体本体和第一结构本体之间；以及活跃区域，容纳在第一密封腔中，包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。

公开(公告)号：CN108627286A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810213551.4

申请日：2018-03-15

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： B.D.阿利斯泰尔 ,  R.A.戴维斯 ,  R.沃德

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L1/18 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/09 ,  G01L1/2293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明涉及具有向边缘通气的埋置腔的微机电系统（MEMS）力芯片，具体公开了一种力传感器，力传感器可包括传感芯片，传感芯片包括盖和支撑件。一般地，支撑件的第一表面可包括埋置腔和一个或多个通道。一个或多个通道可从埋置腔朝向支撑件的外边缘延伸，并且可确保力传感器对环境或大气压力变化不敏感。盖可结合到支撑件的第一表面，由此形成定位在埋置腔上方的传感膜。另外，力传感器可包括用以感测来自外部媒介的力变化的致动元件。致动元件可将力传递到传感膜，从而导致其挠曲进入埋置腔内。传感膜上的一个或多个传感元件可基于挠曲的量提供对力的变化的指示。

公开(公告)号：CN108529551A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710120393.3

申请日：2017-03-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 庞丹 ,  刘春燕 ,  谷岩

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0771

Abstract: 本发明揭露了一种气压传感器，包括：外壳、电路板、MEMS传感器芯片、ASIC芯片和薄膜；其中，所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片设置在所述电路板上；以及，所述外壳包括至少一个开口端；所述外壳与所述电路板形成容纳所述MEMS传感器芯片和所述ASIC芯片的封装结构；所述封装结构包括空腔体以及设置在所述封装结构上的导通孔，所述导通孔连通所述空腔体和外界环境；所述薄膜设置于所述封装结构的表面上，覆盖所述导通孔。本发明还揭露了一种气压传感器的封装方法。根据本发明的气压传感器，避免了灰尘、水滴等杂质进入导通孔后可能发生的堵塞，或者进入到空腔体内影响各种电子元器件正常工作。