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    Procédé de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression
    233.
    发明公开
    Procédé de fabrication d'un moule pour la lithographie par nano-impression 有权
    Verfahren zur Herstellung einer Nanoimprintform

    公开(公告)号：EP2226678A1

    公开(公告)日：2010-09-08

    申请号：EP10155088.7

    申请日：2010-03-01

    Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    Inventor： Landis, Stéfan

    IPC: G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/2059 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/034 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017

    Abstract: L'invention concerne un dispositif formant moule d'impression en trois dimensions et comportant au moins :
    - un substrat, comportant au moins une alternance de couches ayant au moins une partie perpendiculaire au plan du substrat, d'un premier type de matériau et d'un deuxième type de matériau qui peuvent être gravé sélectivement l'un par rapport à l'autre,
    - une topologie de surface comportant au moins:
    a) des premiers motifs dont le sommet est à un premier niveau par rapport à une surface du substrat, située de part et d'autre de ladite topologie, ces premiers motifs étant en premier type de matériau,
    b) et des deuxièmes motifs ayant au moins un deuxième niveau par rapport à ladite surface du substrat, différent du premier niveau et inférieur à celui-ci, et ces deuxièmes motifs étant deuxième type de matériau.

    Abstract translation: 该方法包括在三个类型的表面中在硅绝缘体衬底（2）上形成沟槽（6），所述三种类型的表面包括沟槽的基底，沟槽的侧壁和衬底的顶部，形成第一材料和第二材料， 相对于沟槽的交替层中的第一材料选择性地蚀刻，使得4（i），其中i = 1,2,3，直到n，并且每个具有垂直于衬底的部分，并且选择性地雕刻层的部分 垂直于衬底以形成包括由第一材料制成的第一图案（5）的拓扑。 该方法包括在三个类型的表面中在硅绝缘体衬底（2）上形成沟槽（6），所述三种类型的表面包括沟槽的基底，沟槽的侧壁和衬底的顶部，形成第一材料和第二材料， 相对于沟槽的交替层中的第一材料选择性地蚀刻，使得4（i），其中i = 1,2,3，直到n，并且每个具有垂直于衬底的部分，并且选择性地雕刻层的部分 垂直于衬底以形成包括由第一材料制成的第一图案（5）的拓扑，所述第一图案（5）的尖端相对于位于拓扑的两侧的衬底的表面处于第一水平，并且由第二材料制成的第二图案具有 相对于基板的表面的第二水平不同于第一水平并且低于第一图案的表面。 该方法还包括在拓扑的两侧雕刻一部分基底，其中第一单元相对于基底的表面突出，雕刻第二材料，使得第一图案的尖端具有等于 的基板的表面，并进行第一种和第二类型的材料的各向异性雕刻。 交替层的形成垂直于衬底和沟槽的底部。 在沟槽的底部形成限制或抑制在衬底底部形成交替层的材料。 衬底包括半导体材料的表面层，掩埋绝缘层和支撑体。 掩埋绝缘层的一部分形成限制或抑制在衬底和沟槽的底部上形成交替层的材料层，并且通过将表面层雕刻直到埋入绝缘层来获得。 限制或抑制交替层沉积的材料进一步形成在衬底的顶部上，然后将交替层均匀地沉积在沟槽中，并进行稀化以暴露衬底的侧面。 沟槽不完全被交替的层填充以留下沟槽的残留部分。 填料沉积在残余沟槽的一部分中。 通过两层之间的材料组成的差异可以获得两层第二图案之间的雕刻速度的差异。 第一材料由硅（Si）制成，第二材料由（SiGe）x制成，其中x大于15％，Ge是锗。 包括用于制造三维印模的装置的独立权利要求。

    MICROSTRUCTURE SYNTHESIS BY FLOW LITHOGRAPHY AND POLYMERIZATION
    234.
    发明公开
    MICROSTRUCTURE SYNTHESIS BY FLOW LITHOGRAPHY AND POLYMERIZATION 有权
    HERSTELLUNG EINER MIKROSTRUKTUR DURCH FLIESS-LITHOGRAPHIE UND POLYMERISATION

    公开(公告)号：EP1946186A2

    公开(公告)日：2008-07-23

    申请号：EP06826664.2

    申请日：2006-10-25

    Applicant: THE MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY

    Inventor： DOYLE, Patrick, S. ,  PREGIBON, Daniel, C. ,  DENDUKURI, Dhananjay

    IPC: G03F7/20

    CPC classification number: G03F7/2012 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/2035

    Abstract: In a method for synthesizing polymeric microstructures, a monomer stream is flowed, at a selected flow rate, through a fluidic channel. At least one shaped pulse of illumination is projected to the monomer stream, defining in the monomer stream a shape of at least one microstructure corresponding to the illumination pulse shape while polymerizing that microstructure shape in the monomer stream by the illumination pulse.

    Abstract translation: 在合成聚合物微结构的方法中，单体流以选定的流速通过流体通道流动。 将至少一个成形的照明脉冲投射到单体流，在单体流中限定与照明脉冲形状相对应的至少一个微结构的形状，同时通过照射脉冲聚合单体流中的微结构形状。

    MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL STRUCTURES
    237.
    发明公开
    MONOLITHIC THREE-DIMENSIONAL STRUCTURES 审中-公开
    整体式三维结构

    公开(公告)号：EP1428245A1

    公开(公告)日：2004-06-16

    申请号：EP02747946.8

    申请日：2002-07-15

    Applicant: Binoptics Corporation

    Inventor： BEHFAR, Alex ,  SCHREMER, Alfred, T. ,  STAGARESCU, Cristian, B.

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: G02B6/12002 ,  B81B2201/047 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0159 ,  G02B6/13 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4249 ,  G03F7/0037 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949 ,  Y10S438/95

    Abstract: Three-dimensional structures of arbitrary shape are fabricated on the surface of a substrate (10) through a series of processing steps wherein a monolithic structure is fabricated in successive layers. A first layer (14) of photoresist material is spun onto a substrate (10) surface (18) and is exposed (26) in a desired pattern corresponding to the shape of a final structure, at a corresponding cross-sectional level in the structure. The layer is not developed after exposure; instead, a second layer (30) of photoresist material is deposited and is also exposed (32) in a desired pattern. Subsequent layers (40,52,64) spun onto the top surface of prior layers (14,30) and exposed (44,54,66), and upon completion of the succession of layers each defining corresponding levels of the desired structure, the layers are all developed at the same time leaving the three-dimensional structure (22).

    Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
    239.
    发明公开
    Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet 失效
    一种用于生产使用预先形成的光致抗蚀剂层的微结构的过程。

    公开(公告)号：EP0607680A2

    公开(公告)日：1994-07-27

    申请号：EP93310107.3

    申请日：1993-12-15

    Applicant: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION

    Inventor： Guckel, Henry ,  Christenson,Todd R. ,  Skrobis, Kenneth

    IPC: G03F7/00 ,  G03F7/38 ,  G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/16

    CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

    Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

    Abstract translation: 在形成微结构的，光致抗蚀剂的预成型片，：诸如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），其全部是无应变，可能之前或附着到基材的厚度期望之后被研磨下来。 光致抗蚀剂通过暴露通过掩模辐射,:诸如X射线图案化，并且使用显影剂以去除已经呈现易受显影剂中的光致抗蚀剂材料显影。 微量金属结构可以通过电镀金属成从光致抗蚀剂已被除去的区域形成。 光致抗蚀剂本身可形成有用的微结构，并且可以从基片通过利用基板和预成型片材可以由去除不影响光致抗蚀剂被去除之间的释放层被除去。 图案的光刻胶的多层可建立以允许形成复杂的三维微结构。

    METHOD FOR FABRICATING SUSPENDED MEMS STRUCTURES
    240.
    发明申请
    METHOD FOR FABRICATING SUSPENDED MEMS STRUCTURES 审中-公开
    制造悬挂MEMS结构的方法

    公开(公告)号：WO2016167853A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/US2016/014223

    申请日：2016-01-21

    Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY ,  MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

    Inventor： MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

    CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

    Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.

    Abstract translation: 一种用于制造包括部分地或完全地悬置在衬底上的外延半导体功能层的悬置微机电系统（MEMS）结构的工艺。 牺牲释放层和功能器件层形成在衬底上。 对功能器件层进行蚀刻以在功能器件层中形成窗口，从而界定将从功能器件层形成的悬置MEMS器件的轮廓。 然后用选择性释放蚀刻剂对牺牲释放层进行蚀刻，以去除由窗口限定的区域中的功能层下方的牺牲释放层，以形成悬浮的MEMS结构。

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